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nand闪存芯片电压识别德明利申请NAND闪存最佳读取电压区间的定位专利，提高程序纠错的效率

发布时间 : 2025-02-22

作者 : 小编

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德明利申请NAND闪存最佳读取电压区间的定位专利，提高程序纠错的效率

金融界2024年4月6日消息，据国家知识产权局公告，深圳市德明利技术股份有限公司申请一项名为“一种NAND闪存最佳读取电压区间的定位方法、装置及电子设备、存储介质“，公开号CN117831603A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明涉及电子技术领域，尤其是涉及一种NAND闪存最佳读取电压区间的定位方法、装置及电子设备、存储介质，该方法包括：根据NAND闪存的型号确定基准电压区间；将所述基准电压区间向右偏移得到第一电压区间，并，将基准电压区间向左偏移得到第二电压区间。本申请先确定基准电压区间，并之后将该基准电压区间向右偏移或向左偏移，并读取这三个区间内的soft bit的个数，基于这三个区间的soft bit的个数之间的比较关系，确定NAND闪存最佳读取电压区间，这样可以有效的减小确定最佳读取电压区间所需尝试测量的次数，以快速的确定最佳读取电压区间，以提高便于程序纠错的效率。

本文源自金融界

三星量产第五代V-NAND闪存：90层堆栈，QLC闪存在路上

2018年各大NAND厂商都已经大规模量产了64层堆栈的3D NAND闪存，以TLC闪存为主，下一代闪存的堆栈层数要继续提升50%达到96层级别。三星今天宣布量产第五代V-NAND闪存，业界首发Toggle DDR 4.0接口，速率达到了1.4Gbps，堆栈层数超过90层。此外，三星还准备推出1Tb核心容量以及QLC结构的V-NAND闪存。

三星的V-NAND是3D NAND闪存中的一种，目前主力生产的是第四代V-NAND，堆栈层数64层，现在量产的是第五代V-NAND闪存，核心容量256Gb并不算高，但是各项指标很强大，它首发支持Toggle DDR 4.0接口，传输速度达到了1.4Gbps，相比64层堆栈的V-NAND闪存提升了40%。

第五代V-NAND闪存的性能、功耗也进一步优化，工作电压从1.8V降至1.2V，同时写入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代闪存提升了30%，读取信号的响应时间也缩短到了50us。

三星的第五代V-NAND闪存内部堆栈了超过90层CTF Cell单元，是目前堆栈层数最高的，这些存储单元通过微通道孔洞连接，每个孔洞只有几百纳米宽，总计包含超过850亿个CTF单元，每个单元可以存储三位数据（这是TLC闪存）。

此外，第五代V-NAND闪存在制造工艺上也做了优化，制造生产效率提升了30%，先进的工艺使得每个闪存单元的高度降低了20%，减少了单位之间的窜扰，提高了数据处理的效率。

除了第五代V-NAND闪存之外，三星还在扩展V-NAND闪存，准备推出核心容量高达1Tb的NAND闪存及QLC类型的闪存，继续推动下一代闪存发展。

三星目前正在加大第五代V-NAND闪存的量产，以便满足高密度存储领域——超算、企业服务器及移动市场的需求。