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nand闪存写入原理 写入不掉速!比SLC还要快的X-NAND QLC闪存究竟怎么做到的?
发布时间 : 2024-11-24
作者 : 小编
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写入不掉速!比SLC还要快的X-NAND QLC闪存究竟怎么做到的?

从SLC、MLC一路发展到TLC和QLC,NAND闪存的写入性能正以肉眼可见的速度快速降低。如果不是有SLC缓存遮羞,固态硬盘的写入速度恐怕要比几年前4倍甚至更多。

固态硬盘在变得便宜的同时,读写速度也在不断恶化,对于追求高性能的玩家来说很难接受。硅谷企业NEO Semiconductor研发的X-NAND技术或将成为NAND闪存的大救星:它理论上可以让QLC闪存比现有的SLC更快,同时还能保持低价。唯一的差别是,X-NAND无法提升闪存写入寿命。

增加Plane提高并发:

QLC自身的写入速度大约只有SLC闪存的1/8左右,提高数据读写的并发度是改善闪存性能的主要方向。目前3D NAND闪存已开始从2 Plane设计向4 Plane设计转变。

铠侠的XL-Flash超低延迟闪存为了提高性能更是采用了16 Plane等设计。不过要将16 Plane设计普遍应用到3D闪存中却并不经济:Page Buffer的数量会同步提升,并导致闪存芯片面积急剧增大,进而让闪存的制造成本上升。这也是XL-Flash只能专注于高性能存储而难以惠及消费级SSD的原因。

NEO Semiconductor更改了NAND闪存的设计,将Page Buffers容量降低到1KB来避免16 Plane设计在成本的增加。

X-NAND理论上可将闪存读写速度提高16倍,同时由于位线长度和电容的降低,随机读取速度以及写入验证速度也将大大提高。

按照NEO Semiconductor公开的数据,X-NAND技术可令QLC闪存的随机读写性能提高3倍、顺序读取速度提高27倍、顺序写入速度提高14倍。

提升之后的X-NAND QLC将比当前SLC闪存的顺序读写速度更快一些,但随机读写性能依然落后于真正的SLC闪存。不过,X-NAND技术同样可以用于SLC闪存,让SLC变得比现在更快。

加速鸡血永不停的奥秘:

回到大家最关心的“写入不掉速”问题上来。NEO Semiconductor承诺让QLC闪存可以始终以SLC缓存的速度进行写入,而不会出现缓存用完、速度暴跌。相信很多朋友和小编一样,怀疑这是不是真的。

NEO Semiconductor在最新的白皮书中解释了其中的原理。X-NAND充分发挥了Plane数量增加的红利,让不同分组的闪存交替以SLC写入、QLC释放和闪存擦除三种模式循环工作。

根据NEO Semiconductor的数据,32 Page的数据连续写入到8个Plane耗时6400μs,而将这些数据读取后并发写入到QLC Page所需的时间大约也是6400μs,这么一来一去,就可以保障数据可以始终保持全速写入而不发生掉速。

小容量设备的福音:

X-NAND的一个重要优势是它可以普惠众生,而不仅仅是面向昂贵的高端企业级SSD。

Plane数量的增加使得闪存并发存取性能提升,小容量的闪存也能提供可观的读写速度(特别是写入速度)。在外部接口(SATA/PCIe)总带宽固定的情况下,闪存性能的提升还可以降低对主控闪存通道数量的需求,进而降低SSD主控的成本。

灵活多变,满足每个人的需求:

每个人对存储性能的需求是不同的。硬件发烧友和电竞玩家追求极致性能,普通家用倾向于均衡的性能和成本,办公和教育市场可能更喜欢够用就好的高性价比SSD。X-NAND的Plane数量并非固定在16个,减少Plane数量意味着闪存芯片成本的降低,可以制造出速度相对不那么快、但价格更低的闪存。

NEO Semiconductor在去年的FMS闪存峰会上首次公开X-NAND,目前它们已经获得了相关技术专利,但它们不会自己利用这些技术进行闪存生产。所以我们什么时候能够实际体验到上述新技术优势,在一定程度上取决于世界主要闪存制造商会不会向NEO Semiconductor购买专利授权,或者它们自己是否已经有了类似的专利储备,并最终将其量产。总的来说,NAND闪存的发展前景是光明的,我们无需担心写入速度一步步向着HDD水平滑落而没有选择。

一幅漫画带你了解什么是NAND闪存,为什么物联网需要它

无处不在的物联网设备将产生庞大的数据,但问题在于是否保留所有数据,如果保留,数据将存储在哪里? 相比云计算存储在过去几年中成为目标,如今正在有越来越多的观点认为应该转向布局本地存储和边缘存储,因为不是所有数据需要上云,并且时延要求较高的场景,比如自动驾驶,相比将所有数据一股脑上传到云端,更安全、有效、低成本的方式是将其在边缘实现计算及存储。

尤其考虑到物联网边缘设备自身拥有的诸多特性,比如所处位置偏远不易管理、所处环境较为严苛、产生海量数据对存储容量提出要求、时延较低对读写速度提出要求、强调数据安全、并且对低功耗的性能要求也高等特点,这一系列原因尤其导致数据存储这项工作,在物联网时代面临新的挑战。

但挑战背后即是机遇。

今年,新基建成为热词之一,民间资本为此表现出前所未有的积极性(阿里云3年2000亿投资),国家发改委亦于近期首次明确了新基建的范围,指出重点聚焦信息基础设施建设,包括建设以5G、物联网、工业互联网、卫星互联网为代表的通信网络基础设施,以人工智能、云计算、区块链等为代表的新技术基础设施,以数据中心、智能计算中心为代表的算力基础设施等。

而信息基础设施建设的最终远景,或者说想要实现的主要目标,一定是让闲置的数据被利用起来,因此考虑如何保存并使用它们将会至关重要。

上文提到,全球知名的半导体厂商大多已加入NAND盖楼大赛,形成战国群雄鼎力的局面。

成立于1970年的美国西部数据公司在其中占据着举足轻重的地位。

2017年,西部数据发布首款 96 层 NAND (BiCS4) 零售产品。此产品能够在要求苛刻的移动通信和固态硬盘市场中占据优势,与 48 层和 64 层 NAND 相比,性能与可靠性更高,容量也更大。

2019年,有消息披露西部数据的128层产品将采用Bics5架构,将于2020年面世。

实际上不仅是NAND产品,被称为硬盘业领头羊、数据存储业排头兵的西部数据公司,旗下拥有WD?、SanDisk?、G-TechnologyTM等知名品牌,正在全面拥抱物联网和人工智能,赋能全产业链合作伙伴。

值此之际,西部数据将与物联传媒合作,于4月27日14:30-15:30开展一场线上交流会,不为“卖货”,只为让更多物联网人了解存储,用好存储。

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