中国nand闪存峰会 “中国闪存市场峰会”在深圳举行，众多产业链核心厂商悉数到场-资讯-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

中国nand闪存峰会 “中国闪存市场峰会”在深圳举行，众多产业链核心厂商悉数到场

发布时间 : 2025-04-10

作者 : 小编

访问数量 : 23

扫码分享至微信

“中国闪存市场峰会”在深圳举行，众多产业链核心厂商悉数到场

近日，2021中国闪存市场峰会（CFMS）在深圳举行，今年主题为“存储标准-存储生态”。这场高标准市场化运作的峰会，得到众多产业链核心厂商的积极响应和大力支持，三星、美光、铠侠、英特尔、长江存储等企业悉数到场。

CFM闪存市场在当天会上发布的《2021年全球存储市场趋势白皮书》（下称“白皮书”）显示，由于疫情下人们转向于居家办公和网上学习等，增加了服务器以及PC需求，存储器也成为在2020年表现最好的领域，较2019年成长15％，贡献了2020年半导体市场整体收入增长的40％。

2021年，半导体产业链讨论最为热烈的无疑为“缺芯”话题，并且已经蔓延至存储行业。再加上，在智能手机厂商为抢占华为空下的市场份额加大备货、手机容量提前扩容，PC、数据中心需求强劲，汽车复苏等需求带动下，存储行情一路看涨。

据闪存市场数据，2021年全球存储市场规模将超过1500亿美元，增长26%，其中DRAM为910亿美元，NAND Flash为650亿美元。在这个千亿美元市场上，从销售区域来看，中国市场的重要性凸显。全球各地区中，在中国的DRAM和NAND Flash销售规模占据30%以上的市场份额，其中部分国际原厂在中国区的销售占比更是高达35%以上。

闪存市场总经理邰炜表示，在“缺芯”的大背景下，终端厂商加大了囤货力度。然而，时间来到二季度，供不应求态势依旧持续，然而，部分终端客户因overbooking引发砍单。当前虽然服务器需求仍在，但迫切性已经有所下降，在PC及智能手机客户砍单动作背后，如今的存储市场供需关系已经由全面供不应求转变为结构性供需失衡。

在技术推进上，三星、美光、SK海力士在今年都带来了最新176层3D NAND产品，长江存储也带来了128L产品，铠侠最新一代162L产品有望在2022年量产。3D NAND的堆叠已经进入了176L，下一代更是朝着2XX层挺进；从DRAM技术发展上来看，三星、SK海力士、美光在今年均会量产1α DRAM制程产品。

同时从产品上来看，今年下半年各原厂也会带来DDR5 DRAM产品。此外，配合着英特尔和AMD处理器平台的发布，预计DDR5在主流产品的应用将在2022年上半年放量。

据悉，CFMS2021齐聚全球领域内核心的存储器厂商、终端厂商、平台应用及网络基础建设厂商等的主要领导和负责人，参会观众更是涵盖了消费类、大数据、行业存储等各领域应用客户。

【撰文】邓子良丰雷

【图片】通讯员/受访者供图

【作者】丰雷

【来源】南方报业传媒集团南方+客户端

来源：南方+ - 创造更多价值

全球首款！238层4D NAND闪存问世

2022年8月3日，SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。

近日，SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。SK海力士表示：“自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个月，SK海力士全球首次成功完成了新一代技术的研发。此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积，其意义更加非凡。”

当天，SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会（Flash Memory Summit 2022）*上首次亮相了238层NAND闪存新产品。在峰会主题演讲中，SK海力士NAND闪存开发担当崔正达说道：“基于其4D NAND闪存技术，SK海力士全球首次成功研发了238层NAND闪存，进而确保了成本、性能、产品质量等层面的全球领先竞争力。公司将持续创新，并不断突破技术瓶颈。”

SK海力士在2018年研发的96层NAND闪存就超越了传统的3D方式，并导入了4D方式。为成功研发4D架构的芯片，SK海力士采用了电荷捕获型技术(CTF，Charge Trap Flash)*和PUC(Peri. Under Cell)* 技术。相比3D方式，4D架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。

238层NAND闪存成功堆栈更高层数的同时，实现了业界最小的面积。新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比176层NAND闪存其生产效率也提高了34%。

此外，238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps，相比前一代产品提高了50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了21%。可以说，SK海力士通过节省芯片的电力消耗，在ESG方面也取得了可圈可点的进步。

SK海力士计划先为cSSD（client SSD，主要应用范围为PC用存储设备）供应238层NAND闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器SSD等。SK海力士还将于明年发布1Tb 密度的全新238层NAND闪存产品，其密度是现有产品的两倍。

*NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量（比特,bit）可分为SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell)、QLC(Quadruple Level Cell)、PLC(Penta Level Cell)等规格。单元信息存储容量越大，意味着单位面积可以存储的数据越多。

*闪存峰会(FMS，Flash Memory Summit)：系每年定期在美国加州圣克拉拉举办的全球闪存芯片领域的最高级别研讨会。SK海力士于本次峰会与其NAND闪存解决方案子公司Solidigm联合进行了主题演讲。

*电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash)：浮栅型(FG，Floating Gate)闪存技术将电荷存储在导体(①)中，而CTF将电荷存储在绝缘体(②)中，以解决单元间的干扰问题。因此，相比FG技术，CTF可缩小芯片的单元面积，同时提高数据的读写性能。

*PUC (Peri Under Cell)：将外围(Peri.)电路放置在存储单元的下方, 以最大化生产效率。

“中国闪存市场峰会”在深圳举行，众多产业链核心厂商悉数到场

全球首款！238层4D NAND闪存问世

关于我们

产品中心

服务与支持