3D NAND，可以怎么玩？

相信我们都有所体会，当我们在购买苹果手机时，不同的内存大小价格也差距很大，这个内存指得就是闪存（Flash），苹果是第一家利用闪存来存储数据的公司。闪存又包括NOR Flash和NAND Flash二种，不过NOR Flash的容量较小一般为1Mb-2Gb，而NAND Flash能提供极高的单元密度，可达到高存储密度，适用于大量数据的存储，因此也是主流的闪存技术。从2018年开始，全球大多数的智能手机都已开始使用3D NAND存储芯片，不仅是智能手机，3D NAND芯片在数据中心、云、服务器、SSD、PC等领域也非常受欢迎。

在3D NAND技术推出之前，NAND闪存均为2D平面形式。2D NAND架构的原理就像是在一个有限的平面上盖平房，平房的数量越多，容量也就越大。过往存储芯片厂商将平面NAND中的单元尺寸从120nm扩展到1xnm 节点，实现了100倍的容量。不过随着单元尺寸达到14纳米的物理极限，2D结构在扩展存储容量方面有着很大的局限性（当工艺尺寸达到一定阶段之后，闪存就很容易因为电子流失而丢失其中保存的数据）。

随着2D NAND的微缩达到极限，2007年东芝（现在的铠侠）提出了3D NAND结构的技术理念，3D NAND是行业的一个创新性方向。与减少每个节点单元尺寸的平面NAND不同，3D NAND使用更宽松的工艺，大约介于30 纳米到 50 纳米之间，它通过增加垂直层数来获得更大的存储容量。因此，我们也可以看到，目前主流的存储芯片制造商均在竞相通过增加3D NAND垂直门数，以此来提高存储密度。他们已经规划了下一代3D NAND产品，包括232层/238层，甚至更大到4xx层甚至8xx层。虽说都在盖楼，但是各家盖楼所采用的架构却有所不同。

3D闪存的概念图（图源：铠侠）

2013年，三星率先推出了V-NAND闪存，其中的V代表Vertical，垂直的意思，这是一种通过垂直堆叠3D空间中的穿孔连接其单元层的解决方案。三星是世界上第一家开发和商业化3D内存解决方案的公司，也为存储器行业创造了全新的范例。

2013年，三星所开发的第一个 V-NAND闪存仅有24层，目前三星的V-NAND已经发展到第八代，它共有200多层。2022年11月7日，三星宣布已开始量产具有200层以上的第八代1 TB的3D NAND (V-NAND)，并计划根据消费者需求将其推向市场。 而且三星的目标是到2030年实现1000层。V-NAND闪存不断发展，每一代新的V-NAND都带来了显着的性能提升，以及更低的功耗。

三星86 Gbit 32层第二代V-NAND的横截面

在此，值得一提的是，在V-NAND 128层以前，三星的V-NAND采用的是单层蚀刻技术，它通过圆柱形通道连接电池，能够一次堆叠超过100层，并通过10亿多个孔互连。除了其创新的结构，V-NAND还采用了电荷陷阱闪存 (CTF) 技术来消除单元间干扰。通过在电池中引入非导电的氮化硅层，CTF技术使V-NAND技术免受电荷泄漏和数据损坏的影响。凭借着这一超高纵横比 (UHAR) 孔蚀刻支持的单层技术，三星一直主导着128层的3D NAND。

但是单次刻蚀最多也就到128层，因此，在 128 层设备之外，许多竞争对手采用的都是双层方法，例如美光将两个88层的结构相互堆叠，从而形成一个176层的器件；英特尔的144L 3D QLC设计已经转向了3层堆栈：48 + 48 + 48层，这种方法更容易实施。层数越少，执行HAR蚀刻步骤就越容易。

到了第七代512Gb 176层的TLC芯片，三星开始采用COP（Cell-on-Periphery）结构，后续1Tb 238L TLC产品将是第二代COP TCAT V8 V-NAND。COP结构的存储单元阵列区域位于外围设备上方，但COP结构还是有部分外围设备仍位于单元外部，这意味着必须减少单元阵列以及单元阵列下方和旁边的外围区域，来减小芯片尺寸。

各家存储厂商3D NAND不同架构的比较

（图源：techinsights）

美光从第一代32层3D NAND就开始采用这种在芯片的外围逻辑上构建其3D NAND阵列的方法，美光将之称为是CuA（CMOS-under-array）。该架构为容量增长、密度、性能和成本改进提供了一种扩展方法。将NAND的位单元阵列堆叠成更多层，每平方毫米硅片提供更多bit，从而实现更高的密度和更低的每bit成本。

2022年7月下旬，美光宣布了其232层3D NAND，据美光称，此232层的3D NAND实现每平方毫米最高的TLC密度(14.6 Gb/mm2)。面密度比同类TLC产品高35%到100%。据美光的信息，该3D NAND设备分成六个平面（当今市场上的许多NAND设备只有两个平面，也有的前沿设计采用四个平面分区来通道命令和数据流），以实现更高的并行度，从而提高性能。在每个芯片的基础上，增加的并行性通过支持可以同时向 NAND 设备发出更多的读写命令，提高了顺序和随机访问的读写性能。就像高速公路一样，车道越多，拥堵越少，通过给定区域的交通流量就越大。目前美光的232 层 NAND已出货。

232层，2 stack CuA NAND

（图源：美光）

英特尔和美光此前研发了FG CuA 3D NAND，在此科普一下，NAND闪存的存储单元技术大致分为浮栅（FG）技术和电荷陷阱（CT）技术。FG技术存储单元有一个栅极（浮动栅极），它在单元晶体管的控制栅极和沟道之间电浮动，通过向浮动栅极注入电荷（改变单元晶体管的阈值）来写入数据。

此前的2D NAND闪存所使用主流技术正是FG技术，不过随着NAND闪存技术从2D走向3D，除了英特尔-美光联盟外，各大厂商都放弃了FG技术，转而采用CT技术，如上文中提到的三星。采用CT技术的主要原因是CT技术在制造通孔存储器时比FG技术简单。而FG 技术因其卓越的数据保留特性、高温特性和优于CT技术的可控性而受到高度评价。

英特尔-美光联盟开发的3D NAND闪存技术共有三代，第一代是结合了32层内存通孔和TLC（3bit/cell）型多级内存的硅die，内存容量为384Gbit。第二代全面引入了CuA技术,将层数增加一倍至64 层（2个32 层堆叠）的硅芯片，并与 TLC 和 QLC（4 bit/cell）多级存储器技术相结合实现了商业化。第三代达到96层（2个48 层堆叠），存储容量与二代持平，硅面积减少至76%左右。

Intel-Micron联盟的3D NAND闪存技术

（图源：pc.watch）

Intel 第四代的144层转向自研，该NAND string首次在source和bitline之间由三层（upper deck，middle deck，lower deck和48L）组成，并为TLC和QLC设备保留了FG CuA结构。每个deck都可以分配给 QLC 或 SLC 块的任意组合，以充分受益于英特尔在存储系统中的新的block-by-deck概念。

不过英特尔已经退出了3D NAND市场，以90亿美元的价格将该业务出售给了SK海力士。

架构三：BiCS，代表厂商：铠侠/WD/SK海力士

铠侠（Kioxia）和西部数据（WD）正在联合开发名为 BiCS Flash的3D NAND。铠侠的前身是东芝，如开头所述，东芝是世界上第一个发明闪存（1987年）并且提出3D NAND技术的公司。早在Kioxia还是东芝的时候，就与SanDisk建立了闪存合作伙伴关系，后来西部数据收购了SanDisk，东芝成为了Kioxia，两家便成立了合资企业Flash Ventures（FV），成为合作伙伴。FV由WD / Kioxia各拥有50/50的份额，晶圆产能也被分成50/50的份额。

KIOXIA于2007年在学术会议上提出了BiCS FLASH™“批处理技术”的概念。据铠侠对BiCS FLASH™“批处理技术”的解释是：在BiCS FLASH™中，有一个板状电极作为控制栅(下图中的绿色板)和绝缘体交替堆叠，然后垂直于表面同时打开(冲孔)大量的孔。接下来，在板状电极中打开的孔的内部部分填充(堵塞)电荷存储膜(粉红色部分)和柱状电极(灰色部分为柱状结构)。在此条件下，板状电极与柱状电极的交点为一个存储单元。在BiCS FLASH™存储单元中，电子在穿过柱中心的电极（灰色结构）和电荷存储膜（粉红色）之间交换。这样，存储单元不是一层一层地堆叠起来，而是先堆叠板状电极，然后在它们之间开一个孔，连接电极，这样就形成了所有层的存储单元一次性降低制造成本。

BiCs的基本流程

（图源：铠侠）

2015年铠侠&西部数据推出了48层BiCS 3D NAND ，2017年为64层，2018年为96层，2020年达到112层。2021年，铠侠和西部数据宣布了他们的第六代 BiCS 3D NAND 技术，该技术有162层，这也是采用CuA概念的第一款产品。西部数据透露的路线图中显示，下一代“BiCS+”将在2023 年底推出，层数应增加到200多个。

西部数据的NAND发展路线图

（图源：西部数据）

作为全球最主要的NAND闪存公司之一，SK海力士是最后一家开发3D NAND闪存技术的公司。据Tech insights的分析，从2015年到2019年，SK Hynix陆续开发了四种类型的存储单元阵列：2015年至2016年开发的首个存储单元阵列采用类似于Kioxia开发的称为“ SP-BiCS”的单元阵列“ P-BiCS”的结构，似乎是32层；2017年其又开发了存储单元阵列的改进版本—“ DP-BiCS Gen1”，估计为48层；2018年，SK海力士开发了一种名为“ DP-BiCS Gen2”的存储单元阵列，该阵列具有将存储堆栈分为两个“层”（也称为“甲板”）的结构，估计为72层。

SK海力士的3D NAND架构发展

（图源：Tech insights）

架构四：4D PUC，代表厂商：SK海力士

2018年11月，从第四代96层3D NAND开始，SK海力士推出了新的命名法——4D PUC（Periphery Under Cell），PUC是一种将外围电路重新定位到电池底部的技术，如下图所示。尽管有这个名字，该公司并没有在四维空间中创建产品，“4”这个数字所代表的其实是一种先进性（而不是指进入第四维度）。它是3D架构变体的商品名，首批所谓的4D NAND设备提升了CTF（电荷撷取闪存）NAND阵列下的外围电路，从而在芯片上节省更多空间，并进一步降低生产成本。按照SK海力士的说法，与3D相比，4D 产品单位单元面积更小，生产效率更高。

SK海力士对4D NAND的解释

（图源：SK海力士）

98层之后，SK海力士陆续开发出128层、176层3D NAND。2022年8月，SK海力士宣布已开发出世界最高238层4D NAND闪存，也是尺寸最小的NAND，预计2023年上半年开始量产。SK 海力士目前的4D NAND技术现已被公认为行业标准。

PUC架构使得4D NAND允许在固定区域内实现高密度，减小了芯片尺寸，但缺点是堆叠技术可能在未来达到极限。SK海力士计划以多站点电池（MSC）为核心来克服这一障碍，通过微制造将现有电池分成两个较小的电池来存储数据，减少电池堆叠的数量，同时水平扩展电池密度，这也是SK海力士 4D 2.0的技术概念的核心要素之一。

架构五：Xtacking，代表厂商：长江存储

3D闪存中除了存储阵列之外这些外围电路会占据相当大的芯片面积，可以看出，上述这些存储厂商所采用的架构大多是是将外围电路放到存储单元下方。而长江存储所采取的是与其他公司完全不同的方法——Xtacking。

Xtacking技术是把存储阵列和外围电路分开来做，分别在两个独立晶圆上加工，虽然NAND闪存不适合用更先进的制程来加工，但是外围的电路却可以。两部分选用合适的工艺节点完成后，完成的内存阵列晶圆通过数十亿个垂直互连通道(VIAs)连接到外围晶圆。如下图所示，将外围电路位于内存之上，然后通过铜混合键合技术堆叠并连接它们，可实现更高的位密度。但是这种粘合技术仍然很昂贵。

图源：长江存储

总结

迄今为止，主流的3D NAND架构大抵有以上这五种：V-NAND、BiCS、CuA（COP）、4D PUC和Xtacking。然而就像盖高楼大厦一样，简单的堆层数不是最终目的，高楼不仅要高，还要保证可以通过安全高效的电梯轻松抵达，即每个存储芯片内部的V-NAND能否以更快、更高效、更省电的方式继续上升？这就非常考验各家的本领。随着NAND技术的进步，局限性也将浮出水面。

1TB存储手机大降价，这些技术功不可没

这不双十一吗，浪歌也趁这个机会，想给家里人买个手机，寻思买个存储容量大一点的，这样也能多用几年。

不过去几个电商平台看了一下，发现这年头大存储手机也挺卷的，很多 1TB 存储手机的价格都降到 2000 元以内了 。

比如小米的中端性价比手机红米 Note 12 Turbo，16GB+1TB 的官方定价是 2499 元，现在已经降到 1800 元左右了：

浪歌看完这价格连呼好家伙，很多笔记本的固态也不过 512GB，你这手机不仅有 1TB 的大存储，还把价格打到不足 2000 元了，属实是卷王本王了。

不仅手机存储价格被打下来了，固态硬盘 SSD 价格也是一降再降。

前一阵子，长江存储的亲儿子致态发了个新品，2TB 的 M2 固态硬盘，首发价格也不过 699 而已：

再看看 10 年前，64GB 的固态还要六七百，只能说现在固态硬盘真的是白菜价了。

那么估计有小伙伴要问了，为啥现在手机存储和固态硬盘降价降的这么狠呢？

这里面其实有多种因素，一方面，最近几年国内厂商攻坚克难，技术上已经追平了海外大厂，甚至还有小幅领先；另一方面，就是层出不穷的各种新技术，也大大降低了手机存储和固态的生产成本，反映到销售终端上就是降价了。

而让存储降价的主要新技术，就是新颗粒 和新的堆叠技术 的应用。

目前，消费数码产品的闪存都是 NAND 闪存，这是一种非易失性闪存，可以在存储数据后，即使断电依然保证数据不丢失，同时相较于传统的机械硬盘，NAND 闪存的随机读写速度也更高。

这些优秀特性使得 NAND 成为外置设备、移动便携设备、消费电子产品内置存储的最佳选择，例如手机和数码相机的内置存储便可以直接采用 NAND 闪存，而固态硬盘、移动固态硬盘、存储卡、U 盘这些也都是基于 NAND 闪存技术诞生的。

NAND 闪存的存储原理就是利用了量子力学的隧道效应。在控制门上加较高的编程电压，源极和漏极接地，使电子穿越隧道氧化层到达浮栅，并聚集在浮栅上，存储信息。擦除时仍利用隧道效应，不过把电压反过来，从而消除浮栅上的电子，实现清除信息。

随着技术的发展，NAND 闪存颗粒也在不停的更新，常见类型有SLC、MLC、TLC 和 QLC 等。

不同类型的闪存，其结构特性、单元位数、耐久性等是不同的，其中耐久性是由闪存单元在开始磨损前可以完成的程序擦写（P/E）周期数量来决定的，擦除和写入一个单元的过程便是一个 P/E 周期，P/E 周期的标称数值越高，则表示该闪存颗粒可擦写的次数更高，也即是说寿命会更长。

而让闪存价格暴跌的技术之一，就是QLC 。

QLC NAND 为 4 级单元，每个单元存储 4 个位，比起每个单元仅存储 1-3 位的 SLC、TLC 等，性能和寿命明显更差，但是因为生产成本更低 ，单元空间内的存储容量更高 ，因此更受到厂商们的追捧。

而且性能和单元耐久性的不足也并非无解，可以通过增大容量来弥补，目前已经有取代 TLC 成为消费类产品的首选存储方案的趋势。

当年 TLC NAND 也曾经被很多数码极客们嫌弃，就是因为它寿命和性能都比老大哥 SLC 和 MLC 更差，但是 TLC 同样取代了前辈们，毕竟 TLC 真的把价格打下来了。

所以，虽然 QLC 参数指标很一般，不过只要能进一步把价格压下来，估计也是难逃“真香”的夸赞。

除了 QLC，还有一个技术不得不提，那就是3D NAND 堆叠技术 。

早些年，不管是手机存储还是固态硬盘，都是使用的 2D NAND，这是一种非易失性存储技术，存储单元全部在一个平面上布置。

不过 2D NAND 技术目前已经基本被淘汰了，主要原因有二：

一方面，随着存储容量的增加，每个存储单元的面积变小，导致存储单元之间的相互影响增加，容易产生电荷干扰和数据损失。

另一方面，2D NAND 的写入速度相对较慢。在编程和擦除操作中，需要消耗较长的时间来将电荷注入或移除存储单元中，这就导致写入操作的延迟。

因此，最近十多年，表现更好的 3D NAND 取而代之，成为了存储颗粒制造的主要技术。

与存储单元水平堆叠的 2D NAND 不同，3D NAND 使用多层垂直堆叠 ，可以实现更高的密度、更低的功耗、更好的耐用性、更快的读写速度和更低的成本。

由于能够将大量垂直单元封装成较小的宽度和长度尺寸，因此 3D NAND 在相同的长度和宽度尺寸下具有比 2D NAND 更大的容量。

不过，由于 3D NAND 技术难度更大，目前全世界只有三星、美光、SK 海力士、长江存储、华力微电子等几家企业能够做。

这里就不得不提一下长江存储了，这家中国企业通过自主研发的第四代 3D NAND 芯片技术“XTacking3.0”，成功实现了232 层堆叠 ，成为当时世界堆叠层数最高的存储芯片工艺，让老牌存储企业三星和美光大为震惊。

而长江存储的 232 层堆叠不仅大幅提高了存储密度，还使数据传输速率达到了新的高度。依托于中国产业链优势，长江存储在最近两年大批量出货，成功把固态硬盘和手机存储的价格拉至新低。

这也是为啥最近半年各种大容量存储手机和超低价固态硬盘层出不穷的原因 —— 以长江存储、华力微电子为主的国产企业已经摘下了 3D NAND 这颗工业皇冠上的明珠，我们消费者也就能用更实惠的价格拿下更大的存储容量。

不过，随着原材料成本的上升，存储价格大跳水可能会告一段落 ，甚至还要涨一波价 。

主控制造商群联（Phison）最近几天就发出信号，预估生产 NAND 闪存芯片即将出现材料短缺，会导致 SSD 价格上涨，这就意味着低价的 NAND 闪存可能要没了。

近几个月来，用于生产容量为 64 GB 的 512 千兆位 TLC 闪存芯片的硅晶圆现货价格上涨。10 月份的价格为每颗芯片 2,304 美元，比 6 月份高出 63.3%，当时的报价只有 1,411 美元。

而在上周，TLC 现货芯片的价格又飙涨了 12.7%。1TB TLC 闪存的成本从大约 22 美元增加到 36 美元。

浪歌只能说，且买且珍惜吧 ！

本文源自IT之家

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