nand flash芯片招聘芯片，全面走向3D-快讯-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

nand flash芯片招聘芯片，全面走向3D

发布时间 : 2024-10-07

作者 : 小编

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芯片，全面走向3D

11年能发生什么？网络平台从天涯论坛、百度贴吧变成微博、抖音；手机霸主从HTC、诺基亚变成苹果、三星；大学新生三件套从床上三件套变成“苹果三件套”。而这一系列变化的背后离不开芯片的发展。2011年，人们还在为芯片晶体管规模创新纪录达39亿个而欢呼，11年后，人们已经被高达1140亿个晶体管的芯片所震撼。即使听上去如同天方夜谭，但11年，已经足够让这个高科技产业发生翻天覆地的变化。纵观芯片发展历史，“极限”两字可以说是存在于每个时代，但无一例外都被一一突破。从22nm工艺节点推出3D晶体管之后，芯片产业仿佛打通了任督二脉，Flash、封装、甚至NAND，都开始走向3D，芯片3D时代悄然已至。

迈出第一步的3D晶体管

晶体管是最早实现3D化的，毕竟按照摩尔定律，晶体管的数量与芯片性能息息相关，在平面晶体管时代，22nm基本就是大家公认的极限了，为了突破这个工艺极限，FinFET晶体管诞生了。FinFET确切的说，是一个技术的代称。世界上第一个3D三维晶体管是由英特尔在2011年5月宣布研制成功，当时英特尔称其为 “Tri-Gate”（三栅极晶体管）。早在2002年，英特尔就已经提出了相关技术专利，花了将近10年完善，并在2011年年底用Tri-Gate技术量产22nm工艺的新一代处理器lvy Bridge，于2012年初正式发布。虽然叫法不同，但Tri-Gate的本质就是FinFET。

图源：英特尔

FinFET 晶体管

FinFET晶体管又叫鳍式场效应晶体管，由3D晶体管之父胡正明教授于1999年发明。相较于平面晶体管，FinFET运用立体的结构，对栅极形状进行改制，闸门被设计成类似鱼鳍的叉状3D架构，位于电路的两侧控制电流的接通与断开，大幅度提升了源极和栅极的接触面积，减少栅极宽度的同时降低漏电率，让晶体管空间利用率大大增加，让电路更加稳定，同时也达成了半导体制程持续微缩的目标。而胡正明教授在发明了FinFET晶体管之后，又投身产业界，2001~2004年期间担任台积电CTO。在其任职期间，台积电于2002年制造出操作电压仅0.7伏特的25纳米晶体管，命名为“Omega FinFET”。上述提到，英特尔是最先推出商业化FinFET的企业，但由于其14nm推迟了整整两个季度，因此被台积电、三星、格芯等代工厂迎头赶上。三星方面，2013年1月，新思科技宣布采用三星的14LPE工艺成功实现了首款测试芯片的流片。2014年，三星还和格芯联合宣布达成新的战略合作，将共同为客户提供14nm FinFET制造工艺。台积电则是在2012年10月16日的年度大会中，宣布制订了20nm平面、16nmFinFET和2.5D发展蓝图，并表示将于2013年11月开始生产16纳米FinFETs。在台积电宣布前一个月，格芯已经宣布在2014年开始提供23纳米FinFET。不过随着芯片制程的不断缩小，FinFET晶体管也遇到了发展瓶颈。台积电首席科学家黄汉森曾表示，在16nm的制程中采用FinFET架构，每个晶体管可以有很多的鳍，但当制程逐渐缩小的时候，鳍的数量也会随之减少。因为不可能有0.5个鳍，所以当制程越往下走、空间越来越小的时候，FinFET最特别的垂直设计将会碰上空间跟技术上的挑战。之前人们都认为5nm将是FinFET的极限，但2020年台积电打破了这个瓶颈，其在2020年第一季的法人说明会上，透露了3nm将继续采取FinFET晶体管技术。而台积电3nm也预计将于今年下半年出货。不过，这个立体结构的微缩也非无极限，3nm似乎真的已经是极限了，从当前的消息来看，台积电到了2nm也将转采其他的技术，也就是下面要说到的GAA

GAA FET 晶体管

GAA全称Gate-All-Around，是一种环绕式栅极晶体管技术，被认为是FinFET技术的升级版。与FinFET的不同之处在于，GAA通过使用纳米片设备制造出了MBC FET（多桥通道场效应管），其设计通道的四个面周围有栅极，减少漏电压并改善了对通道的控制，这是缩小工艺节点时的基本步骤。由于GAAFET 晶体管只在先进制程中有所采用，所以能参与其中的只有三星、台积电、和英特尔三家巨头。三星自称在2002 年就对GAA 保持关注并投入研究，并于2019年宣布，将在3nm制程世代，改采GAA技术，作为FinFET之后的接班制程。根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%。据悉，搭载此项技术的首批3nm三星芯片将于今年上半年实现量产。英特尔方面，2020年年初《Profesionalreview》曾报导，英特尔在5纳米节点上将会放弃FinFET电晶体，转向GAA环绕栅极电晶体。不过从英特尔去年公布的未来五年的芯片制程工艺的技术路线图来看，预计要在2024年的Intel 20A（相当于我们说的2nm）制程上才会用到RibbonFET即英特尔的GAA技术。

图源：英特尔对于台积电2nm制程将采用GAA晶体管好像已成产业内默认的事实，不过笔者搜寻资料发现，台积电官方关于2nm并未给出明确的说法，最初是在2020年7月，据台湾经济日报报道，台积电2nm技术研发有重大突破，已成功找到路径，将切入GAA技术。而在日前2022年第一季度财报电话会议上，虽然台积电总裁魏哲家透露2nm计划2024年预生产，2025年投产，但当分析师询问“有关在 N2 上台积电首次使用 GAA FET，逐渐取代 finFET”的问题，魏哲家也是避而不答。不过台积电（南京）有限公司总经理罗镇球曾在去年年底透露，台积电研发 Nanosheet / Nanowire 的晶体管结构（类似 GAA）超过 15 年，已经达到非常扎实的性能。台积电2nm是否真的采用GAA，或许只能交给时间来揭开这个谜底。

冲向200层的3D Flash

从时间上看，第一个3D晶体管和第一代3D NAND闪存芯片推出的时间相差无几。2011年，英特尔推出世界上第一个3D三维晶体管，2012年三星推出第一代3D NAND闪存芯片，也是第一款32层 SLC V-NAND SSD——850 PRO。闪存走向3D也是发展的必然趋势，毕竟这些年，我们的网络社交方式从文字到图片再到视频，数据量呈指数级增长，平面 NAND已达到其产能发展的极限，再发展下去只会影响其性能、耐用性和可靠性。为了能在有限的空间里存储更多的数据，也为了追求更高的存储密度，闪存工业也开始向3D迈进。最开始是东芝在2008年开发了3D NAND结构BICS，4年后，三星在2012年推出了第一代3D NAND闪存芯片，随后，东芝、西部数据、美光等存储大厂接连跟上，拉开了3D NAND 层数之战的序幕。

2014-2023年的世界领先存储公司的闪存路线图图源：TechInsights对于3D NAND，层数越高，可具有的容量就越大，时至今日，3D NAND的层数厮杀已经迈入200层。今年2月，有韩媒报道称，三星电子将在今年底最晚明年上半年推出超过200层的第八代V NAND产品，采用双堆栈技术，预计率先推出224层NAND产品，与上一代176层NAND产品相比，第八代V NAND可以将生产力和数据传输速度提高了30%。有业内人士表示，三星是目前业内仅采用单堆栈技术实现128层NAND Flash的厂商，采用双堆栈技术的200+层NAND产品也被认为是超高技术领域，技术挑战也十分严峻。西部数据闪存业务部门负责人、执行副总裁Robert Soderbery在5月投资者活动日中公布了其SSD产品路线图，并预言3D NAND即将进入200+层堆叠，西部数据称其为BiCS+。据介绍，西部数据下一步要推出162层的BiCS6闪存，预计2022年底开始量产采用QLC和TLC配置的BiCS6 3D NAND，而176层的NAND也在制造中。此外，西部数据技术路线图显示将在2032年达到500+层堆叠。

图源：西部数据美光近日也发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，虽然暂时还没有公布232层3D NAND闪存芯片的具体参数，但可以知道采用的是CuA架构，初始容量为1Tb（128GB），并预计在 2022 年底左右开始量产。美光透露，其正在批量生产176层闪存芯片，而作为第五代3D NAND的此款芯片将在2022年之内完成自己的历史使命。此外，美光还就500层以上闪存制定发展路线图，只是尚未披露具体时间表。

图源：美光相比之下，SK海力士近期在NAND层数上的新闻并不多，不过早在2020年，SK海力士就已经宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发。我国方面，长江存储于2018年研发了32层3D NAND芯片并在年底量产，2019年量产了基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存。2020年，长江存储宣布，其128层QLC 3D闪存（X2-6070）研制成功。而在近期，有业内人士透露，长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出产品。对于3D NAND未来发展，SK 海力士曾预计 3D NAND 可以扩展到多达 600 层，从这方面来看，相关制造工艺的线性推进策略还能将持续数年。

火爆的3D封装

3D封装在前段时间也是狠狠火了一把，引爆点在于苹果在3月9日凌晨推出的M1 Ultral芯片，就是笔者在开头提到的那个拥有1140亿个晶体管的芯片，而该芯片采用的就是台积电的3D Wafer-on-Wafer封装技术。随着芯片越来越复杂，芯片面积、良率和复杂工艺的矛盾难以调和，3D封装是发展的必然趋势。与传统的封装相比，3D封装技术有望提供更高的芯片连接性和更低的功耗。一般来说，3D封装就是将一颗原来需要一次性流片的大芯片，改为若干颗小面积的芯片，采用引线键合、倒装芯片或二者混合的组装工艺，也可采用硅通孔技术进行互连，组装成一颗大芯片，从而实现大芯片的功能和性能，而这种小面积的芯片就是Chiplet。从当前局势来看，各大IDM厂、晶圆代工厂、封测厂等头部企业都已积极布局3D封装。在晶圆代工厂领域，台积电的3D封装技术一马当先，早在2008年底台积电就成立导线与封装技术整合部门，正式进军封装领域。据悉，台积电的3D封装工艺主要分为前端芯片堆叠SoIC技术和后端先进封装CoWoS和InFO技术。2018年4月台积电首度对外界公布创新的SoIC技术。作为一种多芯片堆栈技术，SoIC可分为CoW（Chip on Wafer）和WoW（Wafer on Wafer）两种键合方式。其中，WoW就是将两层Die以镜像方式垂直堆叠起来，上述苹果M1 Ultral芯片以及今年年初Graphcore推出的IPU都采用的这种封装技术。在2021年Hot Chips上，台积电公布了其SoIC研发进度，在CoW方面正在开发N7-on-N7和N5-on-N5等；WoW方面，则在开发Logic-on-DTC，预计2022年CoW和WoW将会实现基于N5工艺。

图片来源：台积电英特尔则是在2018年推出了3D堆叠封装技术“Foveros”，第一代 Foveros于2019年在Lakefield芯片中推出。英特尔方面预计在2023 年消费级处理器 Meteor Lake上使用其第二代 Foveros 技术，实现 36 微米的凸点间距，与第一代相比，连接密度有效地增加了一倍。除了第二代Foveros 技术外，英特尔预测第三代Foveros Omni以及第四代Foveros Direc都将在2023年量产。

图片来源：英特尔三星在2020年8月公布了自家的3D封装技术“X-Cube”。据了解，X-Cube是一种利用垂直电气连接而不是电线的封装解决方案，三星在 7nm制程的测试过程中，成功利用 TSV 技术将SRAM 堆叠在逻辑芯片顶部，从而释放了空间以将更多的内存封装到更小的占位空间中。三星表示，这项技术将用于 5G、AI、AR、HPC(高性能计算)、移动和 VR 等领域。中国大陆封测厂在3D封装技术领域也是频频发力。比如长电科技在五年7月推出了面向3D封装的XDFOI全系列极高密度扇出型封装解决方案，该技术所运用的极窄节距凸块互联技术能够实现44mm×44mm的封装尺寸，预计于2022年下半年完成产品验证并实现量产。而通富微电南通通富工厂则是在去年8月搬入2.5D/3D生产线首台设备——化学机械抛光设备（CMP），标志着该生产线全面进入设备安装调试和工程验证阶段。此外，华为最近也有一项芯片堆叠封装专利曝光，在日前的分析师大会上，华为常务董事、ICT基础设施业务管理委员会主任汪涛指出，华为正尝试用堆叠芯片的相关技术，用不那么先进的芯片工艺也可以让华为的产品更有竞争力。

指日可待的3D DRAM

虽然与3D NAND同属于存储领域，但DRAM更多得是比拼工艺节点，制造工艺从 1x nm 缓慢推进到 1y、1z、1-alpha 和 1-beta，为此像三星、SK海力士和美光这三大DRAM厂商都已经拥抱了EUV技术，相比之下，3D进程就慢了很多，至今未有产品面市。目前DRAM制造商仍在通过降低技术生产标准来提高存储单元的密度，并且通过向 EUV 扫描仪的过渡可以继续维持一段时间的平面技术，但这种资源也将很快耗尽，而对内存的需求却仍在攀升。由此来看，单元垂直排列，增加DRAM 体积才是未来趋势。

左边是传统的平面DRAM阵列，右边是垂直排列的单元（灰色长管是电容器）。图片来源：Monolithic3D瑞银投资银行全球研究部也指出，对于DRAM，使用EUV只能应对部分挑战，无法解决所有难题。采用3D DRAM是更有希望的解决方案，能缩小DRAM存储元件尺寸，从而提高密度。为此，瑞银投资银行全球研究部预计 3D DRAM最早可能于2027年开始初期生产到2028到29年开始实质性量产。目前，几家存储大厂也开始逐渐向3D DRAM迈进。今年年初，BusinessKorea 报道称，三星电子正在加速 3D DRAM 的研发，已经开始加强招聘人员等相关团队建设。此外，美光科技和 SK 海力士也在考虑开发3D DRAM。美光提交了与三星电子不同的 3D DRAM 专利申请，希望能在不放置单元的情况下改变晶体管和电容器的形状。也有日本媒体报道称，华为将在6月份举行的 VLSI Symposium 2022上发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。Applied Materials和Lam Research等全球半导体设备制造商也在开发与3D DRAM相关的解决方案。不过，由于开发新材料的困难和物理限制，3D DRAM 的商业化还需要一些时间，业内人士预测，3D DRAM 将在 2025 年左右开始问世，虽然与瑞银投资银行全球研究部预计的时间有所出入，但不难看出，未来DRAM或许也将迎来3D DRAM的天下。

写在最后

每个时代有每个时代发展的瓶颈，但同时也有他们的破解之道。在芯片3D化过程中出现了很多新技术，这些新技术在打破平面技术发展极限的同时，也创造出新的难题、新的挑战，未来芯片竞争只会越来越激烈。但“芯片有梦，技无止境”。

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第3056内容，欢迎关注。

晶圆｜集成电路｜设备｜汽车芯片｜存储｜台积电｜AI｜封装

半导体周报：英伟达GTC本周开幕，看好铜价上涨对铜靶材盈利水平的带动

观点

一周行情概览：上周半导体行情落后大部分主要指数。 上周创业板指数上涨4.25%，上证综指上涨0.28%，深证综指上涨2.60%，中小板指上涨2.28%，万得全A上涨2.03%，申万半导体行业指数上涨0.34%，半导体行业指数行情落后于除上证以外主要指数。半导体各细分板块分化明显，其他板块领涨，封测板块跌幅最大。 半导体细分板块中，IC设计板块上周上涨1.8%，半导体材料板块上周上涨1.0%，分立器件板块上周上涨1.9%，半导体设备板块上周-0.8%，封测板块上周下跌1.8%，半导体制造板块上周下跌0.4%，其他板块上涨2.3%。

行业周期当前处于相对底部区间，我们认为短期来看应该提高对需求端变化的敏锐度，优先复苏的品种财务报表有望优先改善，长期来看天风电子团队已覆盖的半导体蓝筹股当前已经处于估值的较低水位，经营上持续优化迭代的公司在下一轮周期高点有望取得更好的市场份额和盈利水平。创新方面，人工智能/卫星通讯/MR将是较大的产业趋势，产业链个股有望随着技术创新的进度持续体现出主题性机会。

英伟达GTC本周开幕，AI产业链再迎新催化，AI手机/AI PC等产业链值得关注。 英伟达GTC将于3月18日至21日期间在圣何塞会议中心和线上同时举行，根据英伟达官网，届时将开展900多场会议，有超过 200 家的展商和20 多场技术讲座。创始人兼CEO黄仁勋将于3月19日做主题演讲分享未来的AI突破，有望成为行业催化剂。我们预计AI有望成为新一轮半导体周期上行的重要推动因素，AI手机/AI PC的到来有望加快用户换机，同时AI功能的增加也提升了对芯片端性能的要求，AI时代半导体行业有望迎来量价齐升的机遇。

看好铜价上涨对铜靶材盈利水平的带动。 截至3月15日，伦铜报收9,072美元/吨，周上涨5.74%，达到近11个月最高水平，沪铜报收73,130元/吨，周上涨4.49%，达到近一年最高水平。随着铜价的上涨，我们判断半导体铜靶材预计同步涨价，考虑到半导体靶材纯度要求高，加工难度大，供需格局较好（下游持续扩产），预计铜靶材在向下游转嫁成本提升的同时，有望获取更高的毛利率弹性。短期来看，若靶材同步涨价，铜靶材企业销售现有低价存货，24年一二季度的毛利率有望超预期，长期看，随着大陆晶圆厂扩产及产能利用率的逐步提升，铜靶材需求持续增长，产业链建议关注：有研新材/江丰电子。

小米SU7拟3月28日上市，销量若超预期或提升米系供应链未来盈利预期。 根据小米汽车，小米SU7拟3月28日上市，上市即交付，将于3月25日在全国29城59家门店同步启动小米SU7首批品鉴活动预约。这是小米造车以来的首款车型，具有较高的市场关注度，新车将搭载高通骁龙8295和双OrinX芯片，若发布后销量超预期，米系供应链未来盈利预期或将提升。

建议关注：

1）半导体设计：力合微/钜泉科技/汇顶科技/晶晨股份/瑞芯微/全志科技/恒玄科技/乐鑫科技/寒武纪/龙芯中科/海光信息（天风计算机覆盖）/江波龙（天风计算机联合覆盖）/北京君正/富瀚微/普冉股份/东芯股份/澜起科技/聚辰股份/帝奥微/纳芯微/圣邦股份/中颖电子/斯达半导/宏微科技/东微半导/思瑞浦/扬杰科技/新洁能/兆易创新/韦尔股份/思特威/艾为电子/卓胜微/晶丰明源/紫光国微/复旦微电/希荻微

2）半导体材料设备零部件：艾森股份/正帆科技（天风机械联合覆盖）/江丰电子/北方华创/新莱应材（天风机械覆盖）/英杰电气（天风电新覆盖）/富创精密/；雅克科技/沪硅产业/华峰测控（天风机械覆盖）/上海新阳/中微公司/精测电子（天风机械联合覆盖）/长川科技（天风机械覆盖）/鼎龙股份（天风化工联合覆盖）/安集科技/拓荆科技（天风机械联合覆盖）/盛美上海/中巨芯/清溢光电/有研新材/华特气体/南大光电/金宏气体（天风化工覆盖）/凯美特气/和远气体（天风化工联合覆盖）

3）IDM代工封测：时代电气/士兰微/扬杰科技/闻泰科技/三安光电；华虹公司/中芯国际/长电科技/通富微电

4）卫星产业链：电科芯片/华力创通/复旦微电/北斗星通/利扬芯片

风险提示：

地缘政治带来的不可预测风险，需求复苏不及预期，技术迭代不及预期

1.上周观点（03/11-03/15）：英伟达GTC本周开幕，看好铜价上涨对铜靶材盈利水平的带动

2. 上周（03/11-03/15）重要事件及行情更新

行业头条：

1.中央国家机关政府采购中心对CPU等安全性纳入采购要求；

2.深圳2024年底计划完成5G、AI等新型基础设施投资1400亿元；

3.2024年半导体销售额将增长24%至6500亿美元（TechInsights）；

4.韩国2月半导体出口额为99.6亿美元，同比激增62.9%；

美国政府未批准AMD向中国出口特供版AI芯片许可；

*资料来源：芯八哥公众号

厂商动态：

1.2023Q4华为海思SoC出货680万颗，同比暴增5121%（Canalys）；

2.恩智浦荷兰员工将举行罢工，要求加薪9%；

3.哪吒汽车推出“第2辆半价”活动，车市价格战升级；

4.日产计划将中国区减产50万辆，相当于在华年产能的三成；

5.本田计划在中国的产能减少两成，降至120万辆左右；

6.三星拟与下游厂商就NAND涨价谈判，目标涨价15%-20%；

7.存储厂商华邦电子计划调涨DDR3价格，报价涨幅上看两成；

8.台积电2月营收1816.5亿元新台币，月减15.8%；

9.奇瑞全资收购东南汽车原实控方青口控股；

10.Marvell宣布与台积电合作2纳米生产平台；

11.纬湃科技与汽车电子新产品投资项目落户天津经开区；

12.三星西安芯片厂开工率恢复至70%；

13.苹果宣布增加在华投资，在上海、深圳设应用研究实验室；

14.小米SU7将于3月28日正式发布，上市即交付；

15.2023年华为销售收入超7000亿元，同比增长超9%；

16. 日本凸版计划在新加坡建设半导体封装基板工厂2026年投产；

17.鸿海2023年营收逾6万亿元新台币，年减7%；

18.力积电协助塔塔集团建厂，2026年底量产28nm芯片；

19.格芯新加坡与中国台湾地区裁员，重心搬往印度；

20.传日本NEC计划5亿美元出售数据中心；

21.思科250亿美元收购Splink案获欧盟无条件批准；

22.台积电和美光等将在中国台湾能源价格上涨约30%；

23.字节跳动投资ReRAM新型存储公司昕原半导体；

*资料来源：芯八哥公众号

供给端 ：存储芯片增产涨价，恩智浦罢工。

需求端： 车市竞争白热化，日企直呼顶不住。

热门品牌分析 ：MCU行情回暖，存储芯片行情好转。

芯片现货行情数据：

3. 半导体产业宏观数据：半导体销售恢复中高速增长，存储成关键

行业内多家主流机构都比较看好2024年的半导体行情。 其中，WSTS表示因生成式AI普及、带动相关半导体产品需求急增，且存储需求预估将呈现大幅复苏，因此2024年全球半导体销售额将增长13.1%，金额达到5,883.64亿美元，再次创历史新高；IDC的看法比WSTS乐观，其认为2024年全球半导体销售额将达到6328亿美元，同比增长20.20%；此外，Gartner也认为2024年全球半导体销售额将迎来增长行情，增长幅度将达到16.80%，金额将达到6328亿美元。

从全球半导体销售额看，2023年半导体行业筑底已基本完成，从Q3厂商连续数月的稳定增长或奠定半导体行业触底回升的基础。 全球部分主流机构/协会上修2024年全球半导体销售额预测，2024年芯片行业将出现10%-18.5%之间的两位数百分比增长。其中，IDC和Gartner最为乐观，分别预测增长达20.2%和18.5%。

从细分品类看， WSTS预计2024年增速最快的前三名是存储、逻辑和处理器，分别增长44.8%、9.6%和7.0% 。其他品类中，光电子增速最低，约1.7%；模拟芯片受库存去化及需求低迷影响，增速约3.7%。总的来看，存储产品或将成为2024年全球半导体市场复苏关键，销售额有望恢复2022年水平。

半导体产业宏观数据 ：根据SIA最新数据，2024年1月全球半导体行业销售额为476.3亿美元，同比增长15.2%，环比下降2.1%。从地区来看，中国销售额同比增长26.6%，表现最佳，美洲次之，销售同比增长20.3%。SIA预计，2024年开年全球半导体销售强劲，几个月内销售可望持续成长，全年全球半导体产业销售额将增长13.1%。

半导体指数走势 ：2024 年 2 月，中国半导体（SW）行业指数上涨 20.58%，费城半导体指数（SOX）上升 15.17%。

半导体细分板块： 2024年2月，申万指数各电子细分板块大幅上涨。 涨幅居前三名分别为半导体设备（22.83% ）、数字芯片设计（21.34% ）和印制电路板（20.57%）。涨幅最小的为面板（8.89%）。其余板块上涨均在10%-20%之间。

2024年1-2月，申万指数各电子细分板块全部下跌。 跌幅最少的三名分别为半导体设备（-2.07%）、品牌消费电子（-4.07%）和面板（-6.75%）。跌幅居前三名分别为模拟芯片设计（-21.63%）、其他电子（-19.15%）和光学元件（-18.95%）。

4. 芯片交期及库存：全球芯片交期持续改善，需求复苏下行业重回上升周期

整体芯片交期趋势 ：2 月，全球芯片交期持续下降，供应情况持续改善，但部分品类有明显波动。

重点芯片供应商交期 ：从2月各供应商看，模拟芯片、消费MCU成交低迷，价格倒挂严重；MOSFET、IGBT及MCU等车规级产品需求趋缓，交期改善明显；FPGA、射频产品价格有小幅波动，需求回升；存储产品价格回升，需求稳定。

头部企业订单及库存情况 ：从企业订单需求看，车规类芯片订单有所下降，库存波动明显；工业、通信类芯片需求低迷；消费类芯片订单保持稳定。

2023年第四季度 ，国际及中国台湾代工、存储板块公司存货周转天数同比下降，分别为-2.43%，-4.31%。逻辑、模拟板块公司存货周转天数同比上升，分别为+21.55%，+34.13%

2023年第三季度 ，中国大陆IDM板块公司存货周转天数同比小幅下降，其余各环节公司存货周转天数同比增加。封测、代工、装备、IDM、材料、设计各板块公司平均存货周转天数分别为57天、153天、586天、148天、116天和253天，同比分别为+10.66%，+25.34%，+23.49%，-5.34%，+31.32%和+9.72%。

5. 产 业链各环节景气度：

5.1. 设计：库存去化效益显现，需求复苏有望带动基本面持续向好

5.1.1. 存储： 周期已触底反弹，存储市场整体保持复苏势头

根据闪存市场公众号对存储行情的周度(截至 2024.03.12)评述， 本周上游资源方面，NANDFlash Wafer 价格持平不变，eTT DDR 资源跟随实际成交价小幅调涨，少量资源价格有松动迹象，整体变动不大。渠道市场方面，一季度淡季渠道需求很平淡，渠道有少量抛货现象，不过由于渠道成本并未见下降，行情整体变动不大。行业市场方面，近期行业市场以少量备货需求为主，整体需求较淡，还有延迟提货的迹象，本周行业价格持平不变。嵌入式市场方面，嵌入式资源供应依然有限，加上现货市场嵌入式产品需求稳固，本周部分嵌入式价格小幅上调。

上游资源方面， 本周 NAND Flash Wafer 价格持平不变，eTT DDR 资源跟随实际成交价小幅调涨，少量资源价格有松动迹象，整体变动不大。

渠道市场方面 ，一季度淡季渠道需求很平淡，渠道有少量抛货现象，不过由于渠道成本并未见下降，行情整体变动不大。行业市场方面， 近期行业市场以少量备货需求为主，整体需求较淡，还有延迟提货的迹象，本周行业价格持平不变。

嵌入式市场方面 ，嵌入式资源供应依然有限，加上现货市场嵌入式产品需求稳固，本周部分嵌入式价格小幅上调。

NVIDIA H200发布催化HBM发展 ：英伟达发布全新H200 GPU及更新后的GH200 产品线。相比H100，H200首次搭载HBM3e，运行大模型的综合性能提升60%-90%。而新一代的GH200依旧采用CPU+GPU架构，也将为下一代AI超级计算机提供动力。HBM3E是市场上最先进的高带宽内存（HBM）产品，HBM即为高带宽内存（High Bandwidth Memory），是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，通过增加带宽，扩展内存容量，让更大的模型，更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案带来的延迟、降低功耗。HBM的高带宽相当于把通道拓宽，让数据可以快速流通。因此面对AI大模型千亿、万亿级别的参数，服务器中负责计算的GPU几乎必须搭载HBM。英伟达创始人黄仁勋也曾表示，计算性能扩展的最大弱点是内存带宽，而HBM的应用打破了内存带宽及功耗瓶颈。在处理Meta的大语言模型Llama2（700亿参数）时，H200的推理速度比H100提高了2倍，处理高性能计算的应用程序上有20%以上的提升，采用HBM3e，完成了1.4倍内存带宽和1.8倍内存容量的升级。

HBM的制程发展 ：目前市场上最新HBM3E，即第5代HBM，正搭载在英伟达的产品中。随着AI相关需求的增加，第六代高带宽存储器HBM4最早将于2026年开始量产。据韩媒报道，SK海力士已开始招聘 CPU 和 GPU 等逻辑半导体设计人员。SK海力士希望HBM4堆栈直接放置在GPU上，从而将存储器和逻辑半导体集成在同一芯片上。这不仅会改变逻辑和存储设备通常互连的方式，还会改变它们的制造方式。如果SK海力士成功，这可能会在很大程度上改变部分半导体代工的运作方式。

HBM迭代进程 ：2024年HBM2、HBM2e和3e的市场份额会发生比较明显的改变。 2023上半年主流还是HBM2e，但是因为H100的问世，下半年HBM3就成为市场主流，很快2024年就会进行到HBM3e，因为它堆叠的层数更高，所以平均单价一定要比现在再高20%-30%以上，所以它对产值的贡献会更明显。

2024年存储下游需求预判 ：对于PC、移动、汽车和工业领域大多数客户来说，存储库存已经处于或接近正常水平。数据中心客户的存储产品库存正在改善，美光预计客户库存将在2024年上半年的某个时候接近该市场的正常水平。另外，在数据中心和PC市场中，DRAM产品正逐渐过渡到DDR5，美光预计在2024年初DDR5的销量将超越DDR4。生成式人工智能应用将从数据中心扩展到边缘，最近市场发布了几款具有AI功能的PC和智能手机，另外，汽车和工业终端市场也将嵌入AI。边缘设备上的人工智能将进一步增强隐私、降低延迟、提高性能、提供更大的个性化等更多优点。

服务器市场 ：2023年数据中心服务器出货量出现两位数百分比下降后，CFM闪存市场预计2024年服务器总出货量将出现中个位数百分比增长。另一方面，随着AI发展，服务器客户预算将从传统服务器转移到人工智能服务器。一些客户推出的新款GPU和AI加速产品路线图显示对高带宽内存(HBM) 容量、性能和功耗的要求不断增加。

PC市场 ：CFM闪存市场预计PC销量在连续两年出现两位数百分比下降之后，到2024年将出现低至中个位数百分比的增长。美光预计PC OEM 厂商将在2024下半年开始增加搭载 AI 的 PC，每台额外增加4 -8GB DRAM容量，SSD平均容量也会增加。

Mobile市场 ：在移动领域，智能手机需求显示出复苏迹象，CFM闪存市场预计2024年智能手机出货量将小幅增长。美光预计智能手机OEM将在2024年开始大量生产支持人工智能的智能手机，每台额外增加4-8GB DRAM容量。

汽车和行业市场 ：工业和汽车市场边缘人工智能的扩散持续增加，对内存需求也将显著增加。CFM闪存市场预计支持人工智能的工业PC的内存容量比标准PC将增长3-5倍，与标准非AI视频摄像机相比，支持AI 的边缘视频安全摄像机的内存容量增加了8倍。

2024年一季度存储价格预判 ：24Q1 整体存储市场价格展望乐观，其中Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC/UFS）均价季涨幅将扩大至18~23%。2024年第一季存储器价格走势在客户端需求持续，以及原厂仍未拉升稼动的情况下，供需缺口加大，Mobile存储器涨幅将较其他应用更明显，将成为该季领涨项目。

2024年第一季度价格预判：1）NAND : 为避免缺货，买方持续扩大NAND Flash产品采购以建立安全库存水位，而供应商为减少亏损，对于推高价格势在必行，预估2024年第一季NAND Flash合约价季涨幅约15-20%，其中预期CSSD涨幅15-20%，ESSD涨幅18-23%，eMMC UFS涨幅18-23%，3D NAND wafers 涨幅8-13%。2）DRAM ：2024年第一季DRAM合约价季涨幅约13~18%，其中Mobile DRAM持续领涨。目前观察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原厂认为持续性减产仍有其必要，以维持存储器产业的供需平衡。

CES2024-SK海力士着重强调存储在AI时代发挥关键作用 ：SK海力士在拉斯维加斯举行的CES2024期间举行了题为“存储，人工智能的力量”的新闻发布会，SK海力士社长兼CEO郭鲁正在会上阐述了SK海力士在人工智能时代的愿景。发布会上，郭社长表示，随着生成人工智能的普及，存储的重要性将进一步提高。 他还表示，“SK海力士正在向ICT行业提供来自世界最佳技术的产品，引领“以存储为中心的人工智能无处不在”。郭社长在新闻发布会上提到：ICT行业在PC、移动和现在基于云的人工智能时代发生了巨大的发展。在整个过程中，各种类型和大量的数据都在生成和传播。现在，我们进入了一个建立在所有数据基础上的AGI新时代。因此，新时代将朝着AGI不断生成数据并重复学习和进化的市场迈进。在AGI时代，存储将在处理数据方面发挥关键作用。 从计算系统的角度来看，存储的作用甚至更为关键。以前，系统基本上是数据流从CPU到内存，然后以顺序的方式返回CPU的迭代，但这种结构不适合处理通过人工智能生成的海量数据。现在，人工智能系统正在以并行方式连接大量人工智能芯片和存储器，以加速大规模数据处理。这意味着人工智能系统的性能取决于更强更快的存储。人工智能时代的存储方向应该是以最快的速度、最有效的方式和更大的容量处理数据。 这与过去一个世纪的存储开发一致，后者提高了密度、速度和带宽。

三星、SK 海力士和美光存储三巨头将极大受益于消费电子的复苏。值得强调的是，在消费电子回暖的带动下，存储芯片在23Q4合约价报价优于市场预期。其中，DRAM方面，DDR5上涨15～20%，DDR4上涨10～15%，DDR3上涨10%，涨幅优于原先预估的5～10% ；而在NAND Flash方面，目前每家厂商平均涨至少20～25%，涨幅比DRAM更大。

5.1.2. 数字芯片：高通发布MR设备芯片XR2+Gen 2，重点关注XR市场相关标的

在过去的一个月(01.25-02.26)数字芯片国际厂商股价涨跌不一 ，其中英伟达/AMD/英特尔股价涨跌幅分别为+28.4%/-2.4%/-13%，联发科/高通/Skyworks/Qorvo 股价涨跌幅分别+18.2%/+1.7%/-2.5%/+6.7%。

在计算芯片方面，根据研究机构Jon Peddie Research统计，2023年第三季度，全球PC GPU出货量达到7190万个，环比增长16.8%，PC CPU出货量环比增长15.2%。PC GPU市场中，英伟达、英特尔、AMD出货量均显著增长，其中AMD环比增长达36.6%。市场份额方面，英伟达为19%，英特尔为64%，AMD为17%。目前个人电脑的GPU搭载率为117%，比上季度增长1.6%，这显示出搭载独立显卡的PC占比增加。此外，台式机独立显卡占比增长了37.4%。专注智能手机SoC的高通、联发科、海思也将极大受益于消费电子的复苏。

根据 Counterpoint Research 的《智能手机 360报告》对全球智能手机出货量的预测，预计 2023 年全球智能手机出货量将同比下降 5%，达到 12 亿台，为近十年最低水平。然而，预计第四季度出货量将同比增长 3%，达到 3.12 亿台。北美和欧洲的出货量预计将与去年持平。但中国和中东和非洲 (MEA)、印度等新兴市场成功扭转颓势，从 2023 年第四季度起将成为智能手机市场的新增长引擎。

5.1.3. 模拟芯片：国际大厂23Q4收入同比减少，24Q1展望营收或环比继续下行

在过去的一个月(01.25-02.26)模拟芯片厂商股价涨跌不一，大部份厂商股价上行。 其中德州仪器/亚德诺/MPS/矽力杰/圣邦股份/思瑞浦近一月股价涨跌幅为-1.1%/-4.2%/+17.7%/+3.7%/+3.1%/-0.2%。

部分汽车料仍缺货，TI大部分物料的交期已恢复正常。热门型号TMS320F28335PGFA价格持续下跌，当前现货价格在60-70元左右。对于TI来说，现货市场整体还是低迷。TI 的逻辑器件和线性器件产品方面，在8-20周内供应持续改善。TI的高速ADC系列、高精度运算放大器系列、隔离系列和高压和隔离电源系列产品的供应仍然紧张。另外，TI对于工业类需求不太看好，目前处于库存调整阶段。.

DDIC随着2023年价格基本稳定或略有下降，随着电视、游戏显示器和商用笔记本电脑等大型应用出货量回升带动DDIC 需求增加。但由于持续的市场压力，DDIC 价格预计将继续呈下降趋势。中国工厂的面板生产日益集中，使长期主导 DDIC 市场的中国台湾供货商面临巨大压力。根据Trendforce数据，2022年至2023年，中国大陆TV DDIC市场份额持续增加，从19.6%提升至23.3%。

国际大厂23Q4收入同比减少，24Q1展望营收或环比继续下行。 国际模拟芯片大厂TI、MPS近期发布23Q4季报，各大厂商业绩在各自的下游应用领域表现均呈现下滑的态势，TI的模拟领域营收为31.20亿美元，同比-12%，嵌入式处理领域实现营收7.52亿美元，同比-10%。

5.1.4. 功率器件：国际功率大厂分部门营收受到下游需求分化明显

在过去的一个月(01.25-02.26)大部份功率器件厂商股价走低，仅小部分厂商股价出现上涨。 其中英飞凌/意法半导体/安森美/Wolfspeed/瑞萨电子/罗姆半导体近一月股价涨跌幅为-3.5%/-1.6%/+6.7%/-25.3%/-4.1%/-2.4%。

中国汽车工业协会发布汽车产销数据。2024年1-2月，我国汽车产销量分别达391.9万辆和402.6万辆，同比分别增长8.1%和11.1%。据中汽协副秘书长陈士华介绍，2月，春节假期导致有效工作日减少，且部分购车需求已在春节前得到释放，汽车产销量总体较1月有所回落。2月，我国汽车产销量分别达150.6万辆和158.4万辆，环比分别下降37.5%和35.1%，同比分别下降25.9%和19.9%。中汽协数据显示，1至2月，我国新能源汽车产销量达125.2万辆和120.7万辆，同比分别增长28.2%和29.4%，市场占有率达30%。中汽协同时预测，2024年我国汽车总销量为3100万辆左右，其中乘用车销量为2680万辆左右，商用车销量为420万辆左右，新能源汽车销量为1150万辆左右，出口量为550万辆左右。随着中国经济逐步恢复，根据中汽协预计，汽车市场需求将继续保持稳定增长，未来中国汽车市场将进入3000万辆级别的新阶段。

根据Trendforce数据，新能源汽车预计2024年成长率为32%，总销售量预计将达到1,700万台。比亚迪在插电式混合动力车市场中保持领先地位，积极拓展品牌和产品组合。理想汽车凭借中国大型 SUV 需求的成长，取得第二名（10%），实现了第一季销售超过 10 万辆的里程碑。

国际功率大厂分部门营收受到下游需求分化明显，国际大厂Wolfspeed预期24Q1营收环比微降，部分中高端产品或标准组件逐步面临价格压力。

5.1.5. 射频芯片：海外龙头Q4普遍出现稼动率提升、毛利率和营收同比增长

海外龙头Q4普遍出现稼动率提升、毛利率和营收同比增长。 1）稳懋：2023年第四季合并营收为新台币48.68亿元，优于原先的预期，较前一季成长17%，较去年同期成长38%。除了Wi-Fi客户主要备货期已过之外，其余的产品皆有二位数成长，同时得力于产能利用率自上一季的50%上升到60%，使得第四季营业毛利率自上一季的 22.1%上升到 29.4%，营业净利率也自上一季的1.7%回升到13.1%；2）Qorvo：23Q4营收实现同比增长，24Q1公司营收指引中值9.25亿美元(9- 9.5亿美元)，同比+46.20%/环比-13.87%。

5.1.6. CIS：消费电子景气回暖及补库拉动业绩回升，三星 CIS 24年有望开启涨价

受益于安卓手机景气回暖、终端厂商库存去化及新机拉货需求带动，CIS公司Q3普遍迎来业绩复苏。 例如思特威、韦尔股份、格科微等本土CIS厂商业绩看：思特威Q3营收7.00亿元，同比增长8.58%，环比增长13%；韦尔股份Q3营收62.23亿元，同比增长44.35%，环比增长37.58%；格科微Q3营收12.93亿元，同比增长1.30%，环比增长17.69%。三家均实现同环比双增，市场回暖已现端倪。同时，23年11月底，三星向客户发出CIS涨价通知，明年一季度平均涨幅高达25%，且个别产品涨幅最高上看30%，成为本轮涨价幅度最大的芯片品类之一。

5.2. 代工：先进制程需求增长，台积电计划2024年底3nm产能提升至80%

据TrendForce的数据，随着终端及IC客户库存陆续消化至较为健康的水位，及2023下半年iPhone、Android阵营推出新机等有利因素，带动晶圆厂第三季智能手机、笔电相关零部件急单涌现。受此影响，2023年第三季度全球十大晶圆代工厂商的产值合计达282.9亿美元，环比增长7.9%，回暖迹象明显。 在增幅上，除了联电、华虹、力积电3家公司营收环比下滑外，其余7家营收均环比增长。其中，英特尔以34.1%的数据在Q3营收中增长幅度最大；而华虹在当季营收下跌幅度达9.3%，下降幅度最大。

展望未来，TrendForce认为，受半导体下行周期影响2023年全球晶圆代工市场规模约1,120亿美元，同比下滑10-15%。不过，其也认为当前芯片库存水平已回归常态，2024年个人电脑、智能手机、服务器等关键终端产品均有望呈现正向增长，拉动半导体需求。因此，TrendForce判断2Q24前后全球晶圆代工市场有可能确立上行趋势，并预计2024年全球晶圆代工市场规模有望迎来5-10%的增长。

2 月，消费类代工订单趋稳，整体产能利用率仍维持低位。

5.3. 封测：先进封装需求供不应求，行业复苏趋势明显

2月，行业持续复苏，AI相关订单成厂商布局重点。 根据芯八哥预计，日月光拟收购lnfineon两座封测厂，AI相关高端先进封装收入将翻倍，24年2月产能利用率为60-65%，预计3月订单上升。长电科技2月产能利用率约70-80%，预计3月订单维持稳定。通富微电2月产能利用率达75-85%，预计3月订单维持稳定。华天科技2月产能利用率达到85%。

AI 需求全面提升，带动先进封装需求提升，台积电启动 CoWoS 大扩产计划。 今年一季度以来，市场对 AI 服务器的需求不断增长，加上 Nvidia 的强劲财报，造成台积电的 CoWoS 封装成为热门话题。据悉，Nvidia、博通、谷歌、亚马逊、NEC、AMD、赛灵思、Habana 等公司已广泛采用 CoWoS 技术。台积电董事长刘德音在今年股东会上表示，最近因为 AI 需求增加，有很多订单来到台积电，且都需要先进封装，这个需求远大于现在的产能，迫使公司要急遽增加先进封装产能。

Chiplet/先进封装技术有望带动封测产业价值量提升，先进封装未来市场空间广阔。 据Yole 分析，先进封装 (AP) 收入预计将从 2022 年的 443 亿美元增长到 2028 年的 786 亿美元，年复合增长率为 10%。在封装领域，2.5D、3D Chiplet 中高速互联封装连接及 TSV 等提升封装价值量，我们预测有望较传统封装提升双倍以上价值量，带来较高产业弹性。

业绩端来看 ，根据各公司第三季度报告，可以显著发现各公司营收均有环比改善，归母净利润环比改善或跌幅收窄，整体呈缓慢复苏态势。

5.4 . 设备材料零部件： 2 月，可统计设备中标数量 9 台，招标数量 178 台，同比+125.32%

2月，硅晶圆需求低迷，设备需求稳定，关注最新政策管控变化。

5.4.1. 设备及零部件中标情况： 2月可统计设备中标数量同比出现下滑

2024年2月，可统计中标设备数量9台，同比-83.02%。 其中薄膜沉积1台，检测设备5台，刻蚀设备2台，其他设备1台。

2024年2月，北方华创可统计中标设备2台，同比-85.71%， 包括2台刻蚀设备。

2024年2月，国内半导体零部件可统计中标共4项，同比+33.33%。 主要为电气类3项，为北方华创、英杰电气中标，机电一体化类1项，为华卓精科中标。

2024年2月，国外半导体零部件可统计中标共21项，同比-22.22%。 主要为光学类5项，机械类4项，气液/真空系统类12项。分公司来看，Pfeiffer可统计中标零部件最多，为9项，MKS 5项，蔡司4项，EBARA 2项，VAT 1项。

5.4.2. 设备招标情况： 2月可统计设备招标数量178台，同比+125.32%

2024年2月，可统计招标设备数量178台，同比+125.32%。 其中薄膜沉积设备1台，溅射设备1台，其他设备175台，清洗设备1台。

2024年2月，华虹华力可统计招标设备共0台，同比持平。

2020-2024年2月，华虹华力可统计招标设备共3589台， 包括246台薄膜沉积设备、395台辅助设备、56台光刻设备、69台后道设备、304台检测设备、2台溅射设备、34台抗蚀剂加工设备、152台刻蚀设备、33台离子注入设备、45台抛光设备、1522台其他设备、139台清洗设备、388台热处理设备、204台真空设备。

5.5. 分销商： 行业需求不确定性较大，AI 相关品类需求强劲

2 月，行业需求不确定性较大，AI 相关品类需求强劲。

6. 终端应用：看好消费电子复苏，关注元宇宙发展走势

6.1. 消费电子：1月AI成PC市场新增长点，关注苹果MR新品对供应链影响

基于Q3季度的良好市场反 馈，业内机构普遍看好2024年的行情。 其中，在手机领域，根据IDC预测，2023年全球智能手机出货量将同比下降1.1%至11.9亿部，2024年全球智能手机出货量将同比增长4.2%至12.4亿部；在折叠手机领域，根据 Counterpoint，2023 年全球折叠屏智能手机出货量预计将同比增长52%达 2270万部，预计在2024年进入折叠屏手机的快速普及期，2025年将达5500万部；在PC领域，根据IDC的数据， 23Q3全球 PC出货量为 6820 万台，环比增长11%，出货量已经连续两个季度环比增长。据其预测，PC 销量在2023 年急剧下降 14%后，在2024年将增长4%；而在笔电领域，据 TrendForce的数据，2023 年三季度，全球笔记本出货量已经连续两个季度实现环比增长。据其预测，2024 年全球笔记本市场整体出货规模将达 1.72 亿台，年增3.2%。

2月，消费电子需求维持稳定，AI成手机/PC市场新增长点，苹果MR新品需求放缓。

6.2. 新能源汽车： 价格战再起，行业集中度提升

2 月，新能源汽车价格战再起，苹果取消造车计划，行业集中度提升。

6.3. 工控： 中国工控市场需求延续低迷，关注行业 AI 化进展对供应链影响

2 月，中国工控市场需求延续低迷，关注行业 AI 化进展对供应链影响。

6.4. 光伏： 库存去化持续改善，部分厂商海外订单有所复苏

2 月，光伏行业库存去化持续改善，部分厂商海外订单有所复苏。

6.5. 储能： 欧洲等主要市场库存压力较大，Q1 储能需求有改善

2 月，欧洲等主要市场库存压力较大，Q1 储能需求有改善。

6.6. 服务器： 生成式 AI 带动相关服务器及上游芯片需求强劲，HBM 等高附加值产品的销量大幅提升

2 月，生成式 AI 带动相关服务器及上游芯片需求强劲，HBM 等高附加值产品的销量大幅提升。

6.7. 通信： 通信端客户需求低迷，头部厂商开启新一轮裁员

2 月，通信端客户需求低迷，头部厂商开启新一轮裁员。

7. 上周海外半导体行情回顾

上周（03/09-03/16）海外各重点指数涨跌不一，费城半导体指数领跌。 其中HSCEIIndex涨幅最大为2.9%，SOXIndex跌幅最大为4.0%。费城半导体指数跌幅为4.0%，表现在海外各重点指数中垫底。

上周（03/09-03/16）标普500行业指数有涨有跌，半导体及其设备指数出现回调。 其中能源指数涨幅最大为3.7%，汽车及配件行业指数跌幅最大为5.2%。半导体及其设备指数跌幅为2.1%，表现劣于大部份标普500行业指数。

8. 上周（03/11-03/15）半导体行情回顾

上周（03/11-03/15）半导体行情落后大部分主要指数。 上周创业板指数上涨4.25%，上证综指上涨0.28%，深证综指上涨2.60%，中小板指上涨2.28%，万得全A上涨2.03%，申万半导体行业指数上涨0.34%，半导体行业指数行情落后于除上证以外主要指数。

半导体各细分板块分化明显，其他板块领涨，封测板块跌幅最大。 半导体细分板块中，IC设计板块上周上涨1.8%，半导体材料板块上周上涨1.0%，分立器件板块上周上涨1.9%，半导体设备板块上周-0.8%，封测板块上周下跌1.8%，半导体制造板块上周下跌0.4%，其他板块上涨2.3%。

上周半导体板块涨幅前10的个股为：裕太微-U，新洁能，华峰测控，德明利，康希通信，美芯晟，佰维存储，润欣科技，普冉股份，帝奥微。

上周半导体板块跌幅前10的个股为：思科瑞，广立微，希荻微，华海诚科，北方华创，钜泉科技，艾森股份，长电科技，长川科技，上海合晶。

9. 上周（03/11-03/15）重点公司公告

【上海新阳 300236.SZ】

业绩快报：2023年度，公司实现营业收入12.12亿元，较去年同期略有增长。实现归属于上市公司股东的净利润1.67亿元，同比增长213.41%，扣除非经常性损益后净利润为1.23亿元，同比增长10.27%。其中，半导体业务增长20.06%，晶圆制造用电镀液及添加剂系列产品市场份额快速增长，集成电路制造用清洗系列产品在客户端认证顺利，销售增长迅速。涂料板块业务，受建筑行业市场环境低迷、涂料产品售价大幅下降等不利因素影响，营业收入较去年同期下降20.08%。

【利扬芯片 688135.SH】

全资子公司东莞利扬芯片测试有限公司于 2024 年 3 月 12 日收到政府补助款项人民币 1,190.16 万元，为与资产相关的政府补助。

【气派科技 688216.SH】

公司拟与梁华特先生、张巧珍女士共同以现金方式向控股子公司气派芯竞科技有限公司（以下简称“气派芯竞”）进行现金增资，气派芯竞注册资本由5,000.00 万元增加到10,000.00 万元，其中，公司认缴注册资本由4,950.00万增加至6,000.00万元；梁华特先生认缴气派芯竞3,875.00 万元新增注册资本，张巧珍认缴注册资本由50.00万元增加至125.00万元。本次增资完成后，公司持有气派芯竞的股份比例由 99%变为60%，不影响公司合并报表范围。

10. 上周（03/11-03/15）半导体重点新闻

Marvell宣布与台积电合作2纳米生产平台。 日前，Marvell宣布与台积电的长期合作关系，开发业界首见针对加速基础设施最佳化的2纳米生产平台。据报导，Marvell开发长Sandeep Bharathi表示，未来AI工作量需要的性能、功耗、面积和晶体密度将大幅提高，2纳米平台让将使迈威尔提供高度差异化的类比、混合信号和基础芯片IP，构建能够实现人工智能承诺的加速基础建设。据报导，Marvell凭借其5纳米平台，从追随者转变为将先进节点技术导入芯片基础设施的领先者，至今已发表了多项5纳米设计，并推出了首款基于台积电3纳米制程的芯片基础设施产品组合。

英特尔获准供货华为。 3月13日消息，据外媒报道，美国芯片制造商英特尔暂时保住了向华为供应芯片的许可，将有更多时间向华为销售价值数亿美元的芯片。值得注意的是，尽管英特尔还在继续向华为供货，但其竞争对手却无法获得类似待遇，比如另一家美国科技巨头AMD，该公司被剥夺了对华为价值数亿美元的销售额。路透社称，在竞争对手无法获得类似许可的情况下，英特尔却能保住销售许可，这表明在美国试图限制中国获得美国尖端技术的过程中，尤其是在严厉制裁像华为这样的公司时，美国企业面临着不公平和不确定的局面。对于相关报道，英特尔、华为、美国商务部和白宫拒绝置评。

ASMPT成功完成对中国MES软件领军企业SKT的全面收购。 近日，全球领先的半导体和电子制造硬件及软件解决方案提供商ASMPT，已成功完成对深圳市深科特信息技术有限公司（SKT）的收购，后者在中国制造执行系统（MES）解决方案领域占据着重要地位。此次收购标志着ASMPT在中国SMT和电子行业软件产品市场的扩张战略中迈出了坚实的一步，具有重要的里程碑意义。

Arteris 扩展面向 Armv9 架构 CPU 的汽车解决方案。 Arteris， Inc.是一家领先的系统 IP 供应商，致力于加速片上系统（SoC）的创建。Arteris宣布了其与 Arm 持续合作的首批成果，以加速基于最新一代 Arm® 汽车增强型（AE）技术的汽车电子创新。此项合作将基于 Armv9 的 Cortex® 处理器与 Arteris 系统 IP 集成在一起，以实现自动驾驶、高级驾驶辅助系统（ADAS）、驾驶舱和信息娱乐、视觉、雷达和激光雷达、车身和底盘控制以及其他汽车应用。

芯动半导体与意法半导体签署碳化硅战略合作协议。 近日，芯动半导体与意法半导体在深圳签署战略合作协议。据悉，为稳定SiC芯片供应，芯动半导体与优质供应商建立长期合作关系，以保障更好地在SiC功率模块领域深耕发展。此次与意法半导体就SiC芯片业务签署战略合作协议，也将进一步推动长城汽车垂直整合，稳定供应链发展。

鸿海增资青岛新核芯，扩大半导体布局。 鸿海近日发布公告称，公司旗下工业富联(FII)增资青岛新核芯科技，投资金额为人民币1亿元。据了解，青岛新核芯主要布局半导体晶圆凸块与载板加工制造，有人士预测鸿海集团此举旨在持续扩大半导体封测布局。据悉，青岛新核芯科技是鸿海旗下的创新封装工厂，成立于2020年，2021年7月开始设备安装，12月实现批量生产，初期月产量预计可达3万片。

苹果在上海、深圳扩大和新设应用研究实验室。 近日，苹果公司宣布已在华累计投资10亿元人民币用于建设应用研究实验室，且投资规模还将继续增长。据悉，苹果公司将扩大在上海的应用研究实验室，为所有产品线的可靠性、质量和材料分析提供支持。并于今年晚些时候在深圳设立新的应用研究实验室，深化与本地供应商的合作，这一全新的实验室将增强对 iPhone、iPad、Apple Vision Pro 等产品的测试和研究能力。

本文源自券商研报精选

芯片，全面走向3D

半导体周报：英伟达GTC本周开幕，看好铜价上涨对铜靶材盈利水平的带动

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