N1 Life完成千万美元Pre-A轮融资，斯坦福突破性技术引领新药开发进入高速高通量时代 钛媒体首发

图片来源@视觉中国

文 | 硅星闻

药物递送是整个药物研发过程中决定成败的最重要环节之一，然而人体内各个复杂的组织和生物屏障都有可能阻碍药物在人体中成药。这其中，潜藏着一个能够 “四两拨千斤”的方法：实现组织靶向、克服生物屏障，通过创新技术找到最优路径，帮助药物分子在人体中穿越迷雾。

过去十几年间，斯坦福化学博士臧晓羽的时间都花在这件事上。她师从美国科学院院士、斯坦福大学Paul A. Wender教授，其课题组投入近三十年时间开发优化突破性的药物递送技术。2019年，她与Wender院士创立了N1 Life，将研究成果转化到临床应用，把可以赋能并加速药物开发的底层核心技术正式推向市场。

4月17日消息，N1 Life （安医生命科技）宣布完成千万美元Pre-A轮融资，由君联资本领投，康哲药业、中新资本、颢平投资跟投，老股东峰瑞资本持续加码。 据悉，本轮资金将用于多肽和纳米双平台技术的进一步筛选优化和首个抗肿瘤管线的临床前开发。

君联资本执行董事戚飞表示：“递送技术一直是创新药开发的关键要素，在ADC已经越来越得到验证的背景下，基于多肽偶联的下一代PDC递送系统值得关注。N1 Life建立了独有的PDC技术平台并在此基础上进行系列药物开发，取得了令人期待的进展。从成立之初，N1 Life就引进了具备丰富经验的研发和产业化团队，同时通过广泛的合作，与产业伙伴共同探索，推动药物递送领域的全球创新。”

随着N1 Life落地速度加快，未来的新药开发也许将事半功倍。

突破性多肽递送技术，加速药物开发

N1 Life基于突破性多肽技术，开发出了一整套Absotride工具箱，能通过独特的多肽载体递送药物，有选择性的克服组织屏障，结合在Linker（连接物）及载荷药物优化方面的深厚研究积累，快速定向设计开发新型偶联药物，提升新药开发成功率。目前该技术主要应用于不同疾病领域的各类多肽偶联药物 PDC（Peptide–drug conjugates）。

“开发新药面临着多重困难，我们希望建立平台型的药物递送工具箱，从分子和结构层面帮助解决这些成药过程中的挑战，举一反三，提高新药研发成功率。 ”臧晓羽表示。

从结构组成上看，通过Absotride工具箱生成的PDC药物主要包含三个部分：多肽载体（Peptide Transporter）、Linker、载荷药物（Payload Drug）。

通过连接物，具有组织选择和渗透能力多肽载体与活性药物分子共价结合，将其导向至病变组织内部，发挥治疗作用，同时减少系统暴露和药物过量引起的毒副反应。Absotride创新型肿瘤靶向多肽MetaTide能通过识别肿瘤微环境和肿瘤组织选择性结合，在肿瘤病治疗中起到独特且广泛适用的“靶向定位”作用。

N1 Life的技术创新实现了载体技术的突破，通过基于数据和经验的结构设计，其团队可以敲定对于特定药物和适应症而言最合适的递送方案，通过提高递送效率来提升药效和安全性。

基于Absotride工具平台，N1 Life可以快速开发全新的PDC药物，大大缩短药物研发时间并降低成本，提升药效、降低毒性，克服原药物耐药性，还有可能扩大适应症范围。比如将原来系统给药的药物通过皮肤给药载体用于体外局部给药，降低系统免疫毒性。在同等成本条件下，由此可以大大提高药物开发的通量和成功率。

“以肿瘤为例，我们设计的MetaTide多肽可以识别出肿瘤微环境，递送药物，还能克服实体瘤的多重耐药性。”臧晓羽解释道。

通过识别分散的肿瘤组织，提高针对扩散肿瘤的药效

通过识别肿瘤微环境特征实现肿瘤组织宏观靶向

近30年的科研积累中，臧晓羽所在的斯坦福大学Paul A. Wender院士课题组持续升级药物递送技术，不断提高递送效率、安全性和稳定性，积累了大量的数据和经验。

Paul A. Wender是美国科学院院士、在斯坦福大学化学系与化学和系统生物学系担任教授，长期聚焦药物化学和药物递送技术的开发和使用，专长为有机合成和偶联化学，曾成功参与创办了Kai Pharmaceuticals、CellGate, BryoLogyx等数家新锐生物医药公司，其中不乏被安进等大型药企收购的明星项目，同时还担任Eli Lilly、Roche、Novartis、Merck等多家MNC的研发顾问。臧晓羽加入后，主要从事小分子、蛋白药物递送方向的研究。期间，她领导了实验室一系列创新技术的研发，而后与Wender教授合作创立公司，进行科研成果转化。

Paul Wender院士带领实验室项目负责人讨论课题

目前，N1 Life的商业模式包括两类：

首先，自研药物管线。 用N1 Life的创新多肽载体，可实现药物到组织的递送和吸收。例如通过MetaTide实现肿瘤微环境宏观靶向和在肿瘤细胞内选择性释放药物，渗透实体瘤，可有效治疗难治性实体瘤扩散及耐药症状，适用于多瘤种多器官和多阶段，包括耐药的脑部肿瘤。

据悉，N1 Life的抗肿瘤多肽偶联药物管线目前正处于临床前开发阶段，试验显示，该药物在小鼠肿瘤模型中几乎可以完全消除耐药肿瘤、扩散肿瘤和肿瘤腹水。臧晓羽表示，基于临床前的数据，N1 Life将于数月内向 FDA 递交 IND 申请。

其次，通过平台合作，提供技术方案，与药企合作，共同开发管线。 N1 Life提供两种用于不同类药物的递送工具平台，与合作企业共同进行偶联或纳米新型药物，目前已与国内外知名药企达成皮肤管线、小核酸、mRNA等领域的合作，共同开发创新药物 。

商业前景明晰，促进药物升级

正如上文所述，N1 Life不仅能够凭借递送技术加速新药开发，布局小分子药物、小核酸（例如 siRNA）药物和mRNA药物等CGT领域，适应症聚焦于肿瘤、眼科、皮肤病和神经系统疾病等；还可以带来全新意义上的“老药升级”。

过去几十年，药物研发领域的科学家医学家积累了大量的药物药效和安全性数据，包括研究数据和临床数据。比如市面上已经专利过期、以及在临床Ⅱ、Ⅲ期失败的小分子、多肽及蛋白类药物等等，已经经过大量实验论证或已上市验证。

面对这些过去的“老药”甚至“无用药”，N1 Life可以根据临床需求，基于Absotride技术快速优化，扩大适应症、提升药效，让他们成为FDA或NMPA认可的“新药”。

“可以说，有了Absotride技术，我们能用最快的速度，最短的时间，最低的成本，解决临床疑难困境。”臧晓羽表示。

N1 Life创始人及CEO 臧晓羽

在新药开发领域，将药物通过连接物与载体结合，提升递送及给药效率的偶联药物类型和概念正不断拓展，除了发展迅速的PDC外，还包括已经有广大市场的ADC（抗体偶联药物）、新兴的核素偶联药物（RDC）、小分子偶联药物（SMDC）、抗体免疫刺激偶联药物（ISAC）等。

而众多偶联药物中，由于多肽独特的性质，PDC药物被认为是新药研发中的未来新星——作为肿瘤靶向载体，多肽具有许多优点，与ADC相比，它们易于合成，结构修饰可以很容易地引入，支持合理的药物设计，以提高生物利用度、亲和力和稳定性。此外，多肽具有较低的免疫原性。

近年来，PDC药物领域涌现了不少备受关注的交易——2021年，行业领先的PDC平台型公司PeptiDream与 Alnylam 签署了一项许可协议，共同开发多肽-siRNA偶联药物，潜在总额高达 22 亿美元。

2022年底，专注于肿瘤的 Exelixis与Cybrexa 达成基于临床阶段多肽偶联药物 (PDC) CBX-12达成总价7 亿美元的交易，其中包括近7000万美金的首付款。如今多肽药物整体市场达数百亿美元，仍在不断增长。

这样的市场背景下，N1 Life作为PDC药物的领先技术企业，前景可期。

峰瑞资本合伙人马睿表示：“ N1 Life具有全球领先的化学和临床团队，也具有自主知识产权的mRNA递送和药物多肽偶联两大技术平台。其PDC管线的数据展现出扎实的PK改善表现、良好的穿膜特性（克服耐药&穿脑）以及肿瘤微环境靶向性，在肿瘤、眼科、皮科及核酸领域的成药潜力优秀。很高兴我们峰瑞有机会从天使轮开始支持公司并见证公司发展超预期，期待未来N1利用递送平台技术不断带来新的疗法和药物。”

除了PDC药物，N1 Life针对核酸类药物和基因编辑也进行了创新递送技术的布局——自主研发的ChARLS纳米递送技术目前已实现体内器官靶向的mRNA递送。该技术与国内知名Biotech公司锐正基因通过合作开发，持续扩大应用范围，在基因治疗、基因编辑、细胞疗法、科研诊断等多个领域都有广泛的应用前景。

据悉，这项技术已显示出优于当前LNP技术的递送效率。 N1 Life正在与合作伙伴建立高通量的靶向筛选平台，未来N1 Life将会开发高分子聚合物文库，针对不同的器官和组织进行靶向优化，结合AI大语言模型，筛选精准高效的高分子载体。

为未来的药物开发提供技术驱动

N1 Life开发的提升递送成功率及效果的突破性技术，对药物领域的影响力，既在当下，也在未来。

未来，被组织屏障阻挡的种种药物，都能通过N1 Life的递送技术进行更新换代。

“人体内的屏障多种多样，不管是血脑屏障、皮肤、还是我们目前在研发的肿瘤，Absotride技术都能利用多肽和组织的特点，去设计可以识别并克服这些屏障的载体。”

这意味着未来，Absotride技术可以覆盖肿瘤、医美、眼科、神经疾病、遗传疾病等多个领域，帮助攻克更多的医学难题。

不管是肿瘤药物、CNS神经系统药物、基因治疗、还是医美、眼科等领域，都有着巨大的市场潜力：

根据Fortune Business Insight 数据，全球药物递送市场预计将从 2022 年的 393.3 亿美元增长到 2029 年的 717.5 亿美元，预测期内的复合年增长率为 9.0%。Straits Research数据显示，2021 年全球肿瘤药物市场规模为 1480.506 亿美元。预计到 2030 年将达到 2886.366 亿美元，预测期内（2022-2030 年）的复合年增长率为 7.7%。北美是最主要的市场之一，预计在预测期内以 6.7% 的复合年增长率增长。Marketsandmarkets报告显示，局部用药将成为未来十年内药物递送领域发展最快的细分方向，而Absotride递送技术中的部分载体所具有的组织穿透性恰恰是局部用药提升药效的关键。

如今，N1 Life在美国硅谷和中国长三角地区进行了双中心产业布局，基于硅谷不断创新，进行技术研发并快速推出管线，并与国际顶尖公司和团队合作，保持药物递送领域第一梯队优势；同时，N1 Life也会借力中国速度和效率，在国内建立中试生产和产业化中心，通过中国成熟的服务体系，快速落地产品，实现全球化产业布局。

臧晓羽还透露，公司也布局了多元化的商业模式，例如通过成立合资公司、平台合作等多种形式的合作加快技术转化。

随着N1 Life优秀的技术落地，其技术平台有望在未来药物开发中起到举足轻重的作用，为各类药物的成药和升级提供技术驱动力，加速药物开发，让这些与人类健康息息相关的药物更快地进入市场、提升药效。

（本文首发钛媒体APP）

3D NAND，可以怎么玩？

相信我们都有所体会，当我们在购买苹果手机时，不同的内存大小价格也差距很大，这个内存指得就是闪存（Flash），苹果是第一家利用闪存来存储数据的公司。闪存又包括NOR Flash和NAND Flash二种，不过NOR Flash的容量较小一般为1Mb-2Gb，而NAND Flash能提供极高的单元密度，可达到高存储密度，适用于大量数据的存储，因此也是主流的闪存技术。从2018年开始，全球大多数的智能手机都已开始使用3D NAND存储芯片，不仅是智能手机，3D NAND芯片在数据中心、云、服务器、SSD、PC等领域也非常受欢迎。

在3D NAND技术推出之前，NAND闪存均为2D平面形式。2D NAND架构的原理就像是在一个有限的平面上盖平房，平房的数量越多，容量也就越大。过往存储芯片厂商将平面NAND中的单元尺寸从120nm扩展到1xnm 节点，实现了100倍的容量。不过随着单元尺寸达到14纳米的物理极限，2D结构在扩展存储容量方面有着很大的局限性（当工艺尺寸达到一定阶段之后，闪存就很容易因为电子流失而丢失其中保存的数据）。

随着2D NAND的微缩达到极限，2007年东芝（现在的铠侠）提出了3D NAND结构的技术理念，3D NAND是行业的一个创新性方向。与减少每个节点单元尺寸的平面NAND不同，3D NAND使用更宽松的工艺，大约介于30 纳米到 50 纳米之间，它通过增加垂直层数来获得更大的存储容量。因此，我们也可以看到，目前主流的存储芯片制造商均在竞相通过增加3D NAND垂直门数，以此来提高存储密度。他们已经规划了下一代3D NAND产品，包括232层/238层，甚至更大到4xx层甚至8xx层。虽说都在盖楼，但是各家盖楼所采用的架构却有所不同。

3D闪存的概念图（图源：铠侠）

架构一：V-NAND，代表厂商：三星

2013年，三星率先推出了V-NAND闪存，其中的V代表Vertical，垂直的意思，这是一种通过垂直堆叠3D空间中的穿孔连接其单元层的解决方案。三星是世界上第一家开发和商业化3D内存解决方案的公司，也为存储器行业创造了全新的范例。

2013年，三星所开发的第一个 V-NAND闪存仅有24层，目前三星的V-NAND已经发展到第八代，它共有200多层。2022年11月7日，三星宣布已开始量产具有200层以上的第八代1 TB的3D NAND (V-NAND)，并计划根据消费者需求将其推向市场。 而且三星的目标是到2030年实现1000层。V-NAND闪存不断发展，每一代新的V-NAND都带来了显着的性能提升，以及更低的功耗。

三星86 Gbit 32层第二代V-NAND的横截面

在此，值得一提的是，在V-NAND 128层以前，三星的V-NAND采用的是单层蚀刻技术，它通过圆柱形通道连接电池，能够一次堆叠超过100层，并通过10亿多个孔互连。除了其创新的结构，V-NAND还采用了电荷陷阱闪存 (CTF) 技术来消除单元间干扰。通过在电池中引入非导电的氮化硅层，CTF技术使V-NAND技术免受电荷泄漏和数据损坏的影响。凭借着这一超高纵横比 (UHAR) 孔蚀刻支持的单层技术，三星一直主导着128层的3D NAND。

但是单次刻蚀最多也就到128层，因此，在 128 层设备之外，许多竞争对手采用的都是双层方法，例如美光将两个88层的结构相互堆叠，从而形成一个176层的器件；英特尔的144L 3D QLC设计已经转向了3层堆栈：48 + 48 + 48层，这种方法更容易实施。层数越少，执行HAR蚀刻步骤就越容易。

到了第七代512Gb 176层的TLC芯片，三星开始采用COP（Cell-on-Periphery）结构，后续1Tb 238L TLC产品将是第二代COP TCAT V8 V-NAND。COP结构的存储单元阵列区域位于外围设备上方，但COP结构还是有部分外围设备仍位于单元外部，这意味着必须减少单元阵列以及单元阵列下方和旁边的外围区域，来减小芯片尺寸。

各家存储厂商3D NAND不同架构的比较

（图源：techinsights）

架构二：CuA，代表厂商：美光/英特尔

美光从第一代32层3D NAND就开始采用这种在芯片的外围逻辑上构建其3D NAND阵列的方法，美光将之称为是CuA（CMOS-under-array）。该架构为容量增长、密度、性能和成本改进提供了一种扩展方法。将NAND的位单元阵列堆叠成更多层，每平方毫米硅片提供更多bit，从而实现更高的密度和更低的每bit成本。

2022年7月下旬，美光宣布了其232层3D NAND，据美光称，此232层的3D NAND实现每平方毫米最高的TLC密度(14.6 Gb/mm2)。面密度比同类TLC产品高35%到100%。据美光的信息，该3D NAND设备分成六个平面（当今市场上的许多NAND设备只有两个平面，也有的前沿设计采用四个平面分区来通道命令和数据流），以实现更高的并行度，从而提高性能。在每个芯片的基础上，增加的并行性通过支持可以同时向 NAND 设备发出更多的读写命令，提高了顺序和随机访问的读写性能。就像高速公路一样，车道越多，拥堵越少，通过给定区域的交通流量就越大。目前美光的232 层 NAND已出货。

232层，2 stack CuA NAND

（图源：美光）

英特尔和美光此前研发了FG CuA 3D NAND，在此科普一下，NAND闪存的存储单元技术大致分为浮栅（FG）技术和电荷陷阱（CT）技术。FG技术存储单元有一个栅极（浮动栅极），它在单元晶体管的控制栅极和沟道之间电浮动，通过向浮动栅极注入电荷（改变单元晶体管的阈值）来写入数据。

此前的2D NAND闪存所使用主流技术正是FG技术，不过随着NAND闪存技术从2D走向3D，除了英特尔-美光联盟外，各大厂商都放弃了FG技术，转而采用CT技术，如上文中提到的三星。采用CT技术的主要原因是CT技术在制造通孔存储器时比FG技术简单。而FG 技术因其卓越的数据保留特性、高温特性和优于CT技术的可控性而受到高度评价。

英特尔-美光联盟开发的3D NAND闪存技术共有三代，第一代是结合了32层内存通孔和TLC（3bit/cell）型多级内存的硅die，内存容量为384Gbit。第二代全面引入了CuA技术,将层数增加一倍至64 层（2个32 层堆叠）的硅芯片，并与 TLC 和 QLC（4 bit/cell）多级存储器技术相结合实现了商业化。第三代达到96层（2个48 层堆叠），存储容量与二代持平，硅面积减少至76%左右。

Intel-Micron联盟的3D NAND闪存技术

（图源：pc.watch）

Intel 第四代的144层转向自研，该NAND string首次在source和bitline之间由三层（upper deck，middle deck，lower deck和48L）组成，并为TLC和QLC设备保留了FG CuA结构。每个deck都可以分配给 QLC 或 SLC 块的任意组合，以充分受益于英特尔在存储系统中的新的block-by-deck概念。

不过英特尔已经退出了3D NAND市场，以90亿美元的价格将该业务出售给了SK海力士。

架构三：BiCS，代表厂商：铠侠/WD/SK海力士

铠侠（Kioxia）和西部数据（WD）正在联合开发名为 BiCS Flash的3D NAND。铠侠的前身是东芝，如开头所述，东芝是世界上第一个发明闪存（1987年）并且提出3D NAND技术的公司。早在Kioxia还是东芝的时候，就与SanDisk建立了闪存合作伙伴关系，后来西部数据收购了SanDisk，东芝成为了Kioxia，两家便成立了合资企业Flash Ventures（FV），成为合作伙伴。FV由WD / Kioxia各拥有50/50的份额，晶圆产能也被分成50/50的份额。

KIOXIA于2007年在学术会议上提出了BiCS FLASH™“批处理技术”的概念。据铠侠对BiCS FLASH™“批处理技术”的解释是：在BiCS FLASH™中，有一个板状电极作为控制栅(下图中的绿色板)和绝缘体交替堆叠，然后垂直于表面同时打开(冲孔)大量的孔。接下来，在板状电极中打开的孔的内部部分填充(堵塞)电荷存储膜(粉红色部分)和柱状电极(灰色部分为柱状结构)。在此条件下，板状电极与柱状电极的交点为一个存储单元。在BiCS FLASH™存储单元中，电子在穿过柱中心的电极（灰色结构）和电荷存储膜（粉红色）之间交换。这样，存储单元不是一层一层地堆叠起来，而是先堆叠板状电极，然后在它们之间开一个孔，连接电极，这样就形成了所有层的存储单元一次性降低制造成本。

BiCs的基本流程

（图源：铠侠）

2015年铠侠&西部数据推出了48层BiCS 3D NAND ，2017年为64层，2018年为96层，2020年达到112层。2021年，铠侠和西部数据宣布了他们的第六代 BiCS 3D NAND 技术，该技术有162层，这也是采用CuA概念的第一款产品。西部数据透露的路线图中显示，下一代“BiCS+”将在2023 年底推出，层数应增加到200多个。

西部数据的NAND发展路线图

（图源：西部数据）

作为全球最主要的NAND闪存公司之一，SK海力士是最后一家开发3D NAND闪存技术的公司。据Tech insights的分析，从2015年到2019年，SK Hynix陆续开发了四种类型的存储单元阵列：2015年至2016年开发的首个存储单元阵列采用类似于Kioxia开发的称为“ SP-BiCS”的单元阵列“ P-BiCS”的结构，似乎是32层；2017年其又开发了存储单元阵列的改进版本—“ DP-BiCS Gen1”，估计为48层；2018年，SK海力士开发了一种名为“ DP-BiCS Gen2”的存储单元阵列，该阵列具有将存储堆栈分为两个“层”（也称为“甲板”）的结构，估计为72层。

SK海力士的3D NAND架构发展

（图源：Tech insights）

架构四：4D PUC，代表厂商：SK海力士

2018年11月，从第四代96层3D NAND开始，SK海力士推出了新的命名法——4D PUC（Periphery Under Cell），PUC是一种将外围电路重新定位到电池底部的技术，如下图所示。尽管有这个名字，该公司并没有在四维空间中创建产品，“4”这个数字所代表的其实是一种先进性（而不是指进入第四维度）。它是3D架构变体的商品名，首批所谓的4D NAND设备提升了CTF（电荷撷取闪存）NAND阵列下的外围电路，从而在芯片上节省更多空间，并进一步降低生产成本。按照SK海力士的说法，与3D相比，4D 产品单位单元面积更小，生产效率更高。

SK海力士对4D NAND的解释

（图源：SK海力士）

98层之后，SK海力士陆续开发出128层、176层3D NAND。2022年8月，SK海力士宣布已开发出世界最高238层4D NAND闪存，也是尺寸最小的NAND，预计2023年上半年开始量产。SK 海力士目前的4D NAND技术现已被公认为行业标准。

PUC架构使得4D NAND允许在固定区域内实现高密度，减小了芯片尺寸，但缺点是堆叠技术可能在未来达到极限。SK海力士计划以多站点电池（MSC）为核心来克服这一障碍，通过微制造将现有电池分成两个较小的电池来存储数据，减少电池堆叠的数量，同时水平扩展电池密度，这也是SK海力士 4D 2.0的技术概念的核心要素之一。

架构五：Xtacking，代表厂商：长江存储

3D闪存中除了存储阵列之外这些外围电路会占据相当大的芯片面积，可以看出，上述这些存储厂商所采用的架构大多是是将外围电路放到存储单元下方。而长江存储所采取的是与其他公司完全不同的方法——Xtacking。

Xtacking技术是把存储阵列和外围电路分开来做，分别在两个独立晶圆上加工，虽然NAND闪存不适合用更先进的制程来加工，但是外围的电路却可以。两部分选用合适的工艺节点完成后，完成的内存阵列晶圆通过数十亿个垂直互连通道(VIAs)连接到外围晶圆。如下图所示，将外围电路位于内存之上，然后通过铜混合键合技术堆叠并连接它们，可实现更高的位密度。但是这种粘合技术仍然很昂贵。

图源：长江存储

总结

迄今为止，主流的3D NAND架构大抵有以上这五种：V-NAND、BiCS、CuA（COP）、4D PUC和Xtacking。然而就像盖高楼大厦一样，简单的堆层数不是最终目的，高楼不仅要高，还要保证可以通过安全高效的电梯轻松抵达，即每个存储芯片内部的V-NAND能否以更快、更高效、更省电的方式继续上升？这就非常考验各家的本领。随着NAND技术的进步，局限性也将浮出水面。

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