长江存储vs美光：一场中美芯片战的“反围剿”

崛起之前，长江存储躲不过“专利”这道槛。

11月9日，国内存储厂商长江存储 在美国加州北区地方法院正式起诉美系存储大厂美光 ，指控其侵犯了8项3D NAND相关的美国专利 。

长江存储在专利侵权起诉书中表示，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。

一直以来，国内半导体厂商在海外大厂面前都扮演着“弱者”形象，而这一次长江存储选择主动出击。

在这背后，长江存储的硬实力是一方面。更重要的是，中国半导体厂商已经重视到专利 这把“武器”。

国产厂商，挑战存储巨头

NAND，又叫闪存，是一种非易失性存储器（ROM），断电后仍能保存数据，通常应用于外部存储器。

用通俗的语言，其实就是我们熟知的“硬盘 ”。

包括SSD固态硬盘、U盘等等在内，其实都是NAND。但一般来说，存储大厂之间的比拼，都围绕在大容量数据存储上。

想要提升NAND的性能，主要有两个技术路径。

其一，是和手机芯片类似，提升制程节点；而当传统2D NAND技术走到瓶颈后，只能通过纵向叠加层数的方式获取高密度和大容量，这就是3D NAND技术。

长江存储之所以能在近些年搅局NAND市场，正是在国际存储巨头集体转向3D NAND的重要转折点，抢先一步量产232层闪存颗粒，并交付给第三方企业进行封装流入市场。

这一切，得益于长江存储在2018年发布的名为“Xtacking架构 ”的新技术。

该技术简单来说是可以实现并行、模块化产品设计及制造，缩短开发时间和生产周期的同时，还能实现比传统3D NAND技术更高的存储密度与性能。

在这个buff的加持下，长江存储一路开挂。

不仅快速追上与海力士、三星等大厂的距离，并且在同行刚开启商业化时，率先实现量产。

目前，Xtacking技术已经发展到3.0，不少存储国际大厂都对技术非常感兴趣，甚至传出不排除以技术交叉授权的方式来彼此合作，足以看出长江存储在专利层面的储备 。

在指控书里，长江存储表示，美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”、“11,501,822”、“10,658,378”、“10,937,806”、“10,861,872”、“11,468,957”、“11,600,342”和“10,868,031"，涉及侵权的产品包括96层、128层、176层、232层的3D NAND。

半导体知识产权专家表示，这些专利的申请日都在2018年之后，并不是长江存储早期成立时的专利，而是与Xtacking技术关系紧密，因此大概率会与美光技术产生重复，且技术成熟度可能会更好。

此外，根据IFI Claims的统计显示，长江存储在2020年之后在美国陆续有获得专利授权，并且在近两年呈现出稳定和增长的态势，目前已经有近400项专利，足以看出长江存储在美国布局专利的力度 。

值得一提的是，在长江存储成立之初，中科院微电子所向其授权了1000多项闪存专利，更直接派出了工程师团队现场支援。也正是这些积累多年的专利，为长江存储的快速成长奠定了基础。

专利战，虚虚实实

虽然长江存储在美国本土专利储备上做足了准备，但相比于美光近13100项有效的美国专利，前者还是有种“蚍蜉撼大树”的感觉。

而在今年1月份，有一家名为BeSang的美国初创公司，同样因为3D NAND技术起诉了美光和英特尔，但因其体量过小，目前也没有太大进展。

另一方面，在长江存储指控的176层3D NAND技术上，美光其实是全球首个实现量产的厂商，在其专有的CuA（CMOS-under-array）架构下，美光的进度算是最快的。

既然有这么多不利因素，那么长江存储为何还要死磕美光呢？

据《 问芯Voice》的报道，专利战真正目的，是为了在美国的出口管制封锁下，为公司争取公平谈判的机会，是为公司的生存而战 。

在过去几十年间，西方科技巨头之间的专利大战屡见不鲜，而中国厂商在近些年才开始涉及到专利纠纷，多少有些“不适应。

对于科技公司而言，知识产权其实是公司的竞争力之一，而专利则是知识产权的核心构成。

因此科技巨头之间的专利大战，金钱利益永远不是第一位，市场竞争才是背后更重要的一环 。

就长江存储而言，目前虽然在NAND市场有了一席之地，但依然受到了不少打压。

为了打开更大的市场，竞争是躲不了的一环。

图源 | 长桥海豚投研

比起三星、海力士等韩系大厂，美光自带“美国半导体企业”的身份，更容易受到市场的关注。

尤其是在中美半导体行业持续对抗、中国企业长期受到出口管制的不公平对待的大背景下，“长江存储vs美光”的对抗更有机会提升中国企业的信息。

另一方面，目前美光在国内被限制，自身发展又受到半导体“周期性”影响，仍处在低谷，对于长江存储而言，这正是难得的机会。

这或许印证了那句，“进攻就是最好的防守”。

专利战的虚虚实实背后，长江存储足够吸引全行业的目光 。

胜算虽大，国产存储依然很难

去年年底，长江存储被美国商务部列入实体清单，限制了先进设备材料的进出口。这恰好是长江存储公开宣布232层颗粒量产的时间。

在失去领先的“窗口期”之后，美光、SK海力士、三星等厂商逐渐追了上来，在技术上还反超了长江存储。

目前，SK海力士已经公布了其最新的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品，三星、美光也陆续曝光300+层NAND闪存。

显然，长江存储在300+层时代开始走向了落后。

不过在价格、以及产品优势面前，长江存储还是能在短时间内搅动市场。

同时，国家集成电路产业投资基金继续为长江进行投资，保证其产能以及研发进度。

希望这次专利诉讼，能为长江存储再次争取到下一个“窗口”，同时也为更多中国半导体企业带来信心 。

本文作者：jh，观点仅代表个人，题图源：网络

美光详解全球首款 232 层 NAND：速度提升 50%，最高 TLC 密度

IT之家 7 月 27 日消息，昨晚，美光公司宣布全球首款 232 层 NAND 已在该公司的新加坡工厂量产，初期将以封装颗粒形式通过 Crucial 英睿达 SSD 消费产品线向客户发货。

现在，美光发文介绍了 232 层 NAND 的相关技术。

官方表示，该技术节点达到了现今业界最快的 NAND I / O 速度：2.4 GB / s， 比美光 176 层制程节点所提供最高速的介面数据传输速度快 50%。与前一代产品相比，美光 232 层 NAND 的每晶粒写入频宽提高 100%，读取频宽亦增加超过 75%。

此外，美光 232 层 NAND 引进全球首款六平面（6-Plane） TLC 生产型 NAND，是所有 TLC 闪存中每晶粒拥有最多平面的产品，且每个平面都有独立的读取能力。

232 层 NAND 的精巧外形不仅赋予客户在设计上的弹性，也实现了有史以来最高的 TLC 密度（14.6 Gb / mm2） ，其单位储存密度较目前市场上的 TLC 竞品相比高出 35% 至 100%。232 层 NAND 并采用比美光前几代产品小 28% 的新封装尺寸，11.5mm x 13.5mm 的封装使其成为目前最小的高密度 NAND，在更小的空间内实现更高的容量也有助于大幅降低应用时所占据的主板空间。

美光的 232 层 NAND 也是首款在生产中支援 NV-LPDDR4 的产品，此低电压介面与过去的 I / O 介面相比可节省每位元传输逾 30%。

美光表示，232 层 NAND 突破性功能将助客户在资料中心、更轻薄的笔记型电脑、最新的移动装置和整个智慧边缘领域提供更多创新解决方案。

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