「正点原子FPGA连载」第十一章QSPI Flash读写测试
1)摘自【正点原子】领航者 ZYNQ 之嵌入式开发指南
2)实验平台:正点原子领航者ZYNQ开发板3)平台购买地址:https://item.taobao.com/item.htm?&id=6061601087614)全套实验源码+手册+视频下载:http://www.openedv.com/docs/boards/fpga/zdyz_linhanz.html5)对正点原子FPGA感兴趣的同学可以加群讨论:8767449006)关注正点原子公众号,获取最新资料
第十一章QSPI Flash读写测试实验
Quad-SPI Flash控制器是PS内部输入/输出外设(IOP)的一部分,用来访问多位串行Flash存储器件,适合于使用较少的引脚数目达到较高数据带宽的应用场景。本章我们将通过QSPI Flash控制器,来完成对QSPI Flash的读写操作。本章包括以下几个部分:1111.1简介11.2实验任务11.3硬件设计11.4软件设计11.5下载验证11.1简介ZYNQ中的QSPI Flash控制器可以工作在三种模式下:I/O模式、线性地址模式,以及传统SPI模式。在I/O模式中,软件负责实现Flash器件的通信协议。软件需要将Flash命令和数据写到控制器中的TXD寄存器中,然后将接收到的数据从RXD寄存器中读出。而线性地址模式则使用一组器件操作来减小软件从Flash中读取数据的开销。线性模式使用硬件来实现来自AXI接口的命令到Flash指令的转换。对用户来说,在线性模式下读QSPI Flash就像读取ROM一样简单。但是该模式只支持读操作,不支持写操作。传统模式下的QSPI Flash控制器就像一个普通的SPI控制器,这个模式用的相对较少。QSPI Flash控制器的系统框图如下所示:
图 11.1.1 QSPI系统框图
从图 11.1.1中可以看到,QSPI Flash控制器通过MIO与外部Flash器件连接,支持三种模式:单个从器件模式、双从器件并行模式和双从器件堆模式。通过使用双从器件模式可以扩展QSPI Flash的存储容量。在使用单个器件的时候,直接存储访问Flash器件的地址映射FC00_0000到FCFF_FFFF(16MB)。在使用双器件模式时,地址空间可以扩展为FC00_0000至FDFF_FFFF(32MB)。另外,在上图中可以看到控制器左侧有两种类型的接口:AXI接口和APB接口。其中AXI接口用于线性地址模式,而APB接口用于I/O模式。QSPI Flash控制器的模块示意图如图 11.1.2所示。从中我们可以清晰的看出QSPI Flash控制器两种模式的差异。由于线性地址模式不支持写操作,因此本次实验重点介绍I/O模式。在I/O模式下,软件需要把命令和数据转化成QSPI Flash协议下的指令,转换之后的指令将被写入Tx FIFO。然后发送逻辑将Tx FIFO中的内容按照QSPI接口规范进行并串转换,最后通过MIO将转换后的数据送到Flash存储器中。在发送逻辑将Tx FIFO中的数据发送出去的同时,接收逻辑会采样所发送的串行数据,进行串并转换后存储到Rx FIFO里面。如果执行的是读操作,在发送读指令和读地址之后,MIO会在发送逻辑的控制下由输出模式切换成输入模式,从Flash中读出的数据将被存储丰Rx FIFO中。由于Rx FIFO中会同时接收由软件发出的指令,因此我们需要对Rx FIFO中的原始数据进行过滤,从而得到从Flash中读出的有效数据。
图 11.1.2 QSPI Flash控制器功能框图
11.2实验任务本章的实验任务是使用QSPI Flash控制器,先后对领航者核心板上的QSPI Flash进行写、读操作。通过对比读出的数据是否等于写入的数据,从而验证读写操作是否正确。11.3硬件设计根据实验任务我们可以画出本次实验的系统框图,如下图所示:
图 11.3.1 系统框图
从图 11.3.1中可以看出,本次实验是在“Hello Wold”实验的基础上增加了一个QSPI Flash控制器。我们将通过该控制器对QSPI Flash进行读写操作,并通过串口打印读写数据对比之后的结果。首先创建Vivado工程,工程名为“qspi_rw_test”,然后创建Block Design设计(system.bd)并添加ZYNQ7 Processing System模块。接下来按照《“Hello World”实验》中的步骤对ZYNQ PS模块进行配置,配置完成 后我们要添加本次实验所使用的QSPI Flash控制器模块。如下图所示:
图 11.3.2 QSPI配置界面
如图 11.3.2所示,在左侧导航栏中选择“Peripheral I/O Pins”,然后在右侧勾选“Quad SPI Flash”,并选择“Single SS 4bit IO”模式。“Single SS 4bit IO”指的是单个从器件模式,其中“SS”为“Slave Select”的缩写。看以看出,该模式下控制器使用了MIO1至MIO6共6个引脚。最后点击右下角的“OK”,本次实验ZYNQ处理系统就配置完成了。接下来在Diagram窗口中选择自动连接PS模块端口,连接完成后模块如下图所示:
图 11.3.3 ZYNQ7模块
到这里我们的Block Design就设计完成了,在Diagram窗口空白处右击,然后选择“Validate Design”验证设计。验证完成后弹出对话框提示“Validation Successful”表明设计无误,点击“OK”确认。最后按快捷键“Ctrl + S”保存设计。接下来在Source窗口中右键点击Block Design设计文件“system.bd”,然后依次执行“Generate Output Products”和“Create HDL Wrapper”。然后在菜单栏中选择 File > Export > Export hardware导出硬件,最后在菜单栏选择File > Launch SDK,启动SDK软件。11.4软件设计在SDK软件中新建一个BSP工程和一个空的应用工程,应用工程名为“qspi_Flash_test”。然后为应用工程新建一个源文件“main.c”,我们在新建的main.c文件中输入本次实验的代码。代码的主体部分如下所示:
1 #include "xparameters.h" /* SDK generated parameters */2 #include "xqspips.h" /* QSPI device driver */3 #include "xil_printf.h"4 5 #define QSPI_DEVICE_ID XPAR_XQSPIPS_0_DEVICE_ID6 7 //发送到Flash器件的指令8 #define WRITE_STATUS_CMD 0x019 #define WRITE_CMD 0x0210 #define READ_CMD 0x0311 #define WRITE_DISABLE_CMD 0x0412 #define READ_STATUS_CMD 0x0513 #define WRITE_ENABLE_CMD 0x0614 #define FAST_READ_CMD 0x0B15 #define DUAL_READ_CMD 0x3B16 #define QUAD_READ_CMD 0x6B17 #define BULK_ERASE_CMD 0xC718 #define SEC_ERASE_CMD 0xD819 #define READ_ID 0x9F20 21 //Flash BUFFER中各数据的偏移量22 #define COMMAND_OFFSET 0 // Flash instruction23 #define ADDRESS_1_OFFSET 1 // MSB byte of address to read or write24 #define ADDRESS_2_OFFSET 2 // Middle byte of address to read or write25 #define ADDRESS_3_OFFSET 3 // LSB byte of address to read or write26 #define DATA_OFFSET 4 // Start of Data for Read/Write27 #define DUMMY_OFFSET 4 // Dummy byte offset for reads28 29 #define DUMMY_SIZE 1 // Number of dummy bytes for reads30 #define RD_ID_SIZE 4 // Read ID command + 3 bytes ID response31 #define BULK_ERASE_SIZE 1 // Bulk Erase command size32 #define SEC_ERASE_SIZE 4 // Sector Erase command + Sector address33 34 #define OVERHEAD_SIZE 4 // control information: command and address35 36 #define SECTOR_SIZE 0x1000037 #define NUM_SECTORS 0x10038 #define NUM_PAGES 0x1000039 #define PAGE_SIZE 25640 41 /* Number of Flash pages to be written.*/42 #define PAGE_COUNT 1643 44 /* Flash address to which data is to be written.*/45 #define TEST_ADDRESS 0x0005500046 #define UNIQUE_VALUE 0x0547 48 #define MAX_DATA (PAGE_COUNT * PAGE_SIZE)49 50 void FlashErase(XQspiPs *QspiPtr, u32 Address, u32 ByteCount);51 void FlashWrite(XQspiPs *QspiPtr, u32 Address, u32 ByteCount, u8 Command);52 void FlashRead(XQspiPs *QspiPtr, u32 Address, u32 ByteCount, u8 Command);53 int FlashReadID(void);54 void FlashQuadEnable(XQspiPs *QspiPtr);55 int QspiFlashPolledExample(XQspiPs *QspiInstancePtr, u16 QspiDeviceId);56 57 static XQspiPs QspiInstance;58 59 int Test = 5;60 61 u8 ReadBuffer[MAX_DATA + DATA_OFFSET + DUMMY_SIZE];62 u8 WriteBuffer[PAGE_SIZE + DATA_OFFSET];63 64 int main(void)65 {66 int Status;67 68 xil_printf("QSPI Flash Polled Example Test \r\n");69 70 /* Run the Qspi Interrupt example.*/71 Status = QspiFlashPolledExample(&QspiInstance, QSPI_DEVICE_ID);72 if (Status != XST_SUCCESS) {73 xil_printf("QSPI Flash Polled Example Test Failed\r\n");74 return XST_FAILURE;75 }76 77 xil_printf("Successfully ran QSPI Flash Polled Example Test\r\n");78 return XST_SUCCESS;79 }
首先,本次实验的C程序是在官方提供的示例程序“xqspips_Flash_polled_example.c”的基础上修改得到的,该示例程序演示了如何使用轮询模式对QSPI Flash进行读写操作。在程序的开头,我们定义了一系列的参数,包括Flash器件的指令、Flash BUFFER中各数据段的偏移量、Flash器件PAGE、SECTOR的数目和大小等信息。这些信息针对不同型号的Flash器件有所不同,需要通过查看器件的数据手册得到。接下来在程序第50至55行声明了六个函数,这些函数是前面我们提到的示例程序中所提供的。我们对其中最后一个函数QspiFlashPolledExample(XQspiPs *QspiInstancePtr, u16 QspiDeviceId)进行修改,从而简化读写测试过程。而其他的函数如擦除FlashErase( )、写操作FlashWrite( )、读操作FlashRead( )等,我们可以将其当作库函数来使用。程序的主函数特别简单,就是通过调用修改之后的示例函数QspiFlashPolledExample( )来对Flash进行读写测试,并打印最终的测试结果。下面是该示例函数的代码:
81 int QspiFlashPolledExample(XQspiPs *QspiInstancePtr, u16 QspiDeviceId)82 {83 int Status;84 u8 *BufferPtr;85 u8 UniqueValue;86 int Count;87 int Page;88 XQspiPs_Config *QspiConfig;89 90 //初始化QSPI驱动91 QspiConfig = XQspiPs_LookupConfig(QspiDeviceId);92 XQspiPs_CfgInitialize(QspiInstancePtr, QspiConfig, QspiConfig->BaseAddress);93 //初始化读写BUFFER94 for (UniqueValue = UNIQUE_VALUE, Count = 0; Count < PAGE_SIZE;95 Count++, UniqueValue++) {96 WriteBuffer[DATA_OFFSET + Count] = (u8)(UniqueValue + Test);97 }98 memset(ReadBuffer, 0x00, sizeof(ReadBuffer));99 100 //设置手动启动和手动片选模式101 XQspiPs_SetOptions(QspiInstancePtr, XQSPIPS_MANUAL_START_OPTION |102 XQSPIPS_FORCE_SSELECT_OPTION |103 XQSPIPS_HOLD_B_DRIVE_OPTION);104 //设置QSPI时钟的分频系数105 XQspiPs_SetClkPrescaler(QspiInstancePtr, XQSPIPS_CLK_PRESCALE_8);106 //片选信号置为有效107 XQspiPs_SetSlaveSelect(QspiInstancePtr);108 //读Flash ID109 FlashReadID();110 //使能Flash Quad模式111 FlashQuadEnable(QspiInstancePtr);112 //擦除Flash113 FlashErase(QspiInstancePtr, TEST_ADDRESS, MAX_DATA);114 //向Flash中写入数据115 for (Page = 0; Page < PAGE_COUNT; Page++) {116 FlashWrite(QspiInstancePtr, (Page * PAGE_SIZE) + TEST_ADDRESS,117 PAGE_SIZE, WRITE_CMD);118 }119 //使用QUAD模式从Flash中读出数据120 FlashRead(QspiInstancePtr, TEST_ADDRESS, MAX_DATA, QUAD_READ_CMD);121 122 //对比写入Flash与从Flash中读出的数据123 BufferPtr = &ReadBuffer[DATA_OFFSET + DUMMY_SIZE];124 for (UniqueValue = UNIQUE_VALUE, Count = 0; Count < MAX_DATA;125 Count++, UniqueValue++) {126 if (BufferPtr[Count] != (u8)(UniqueValue + Test)) {127 return XST_FAILURE;128 }129 }130 131 return XST_SUCCESS;132 }在示例函数中,首先对QSPI Flash控制器驱动进行初始化。然后对读写BUFFER进行初始化,初始化完成后WriteBuffer中为需要写入Flash的测试数据;而ReadBuffer则全部清零,准备用于接收从Flash中读回的数据,进而与WriteBuffer中的数据进行对比。接下来,通过调用xqspips.h头文件中的库函数来对QSPI Flash控制器进行配置。将其配置成手动启动和手动片选模式,并将片选信号置为有效状态。QSPI Flash控制器在I/O模式下,有两种流控(Flow Control)方法:手动模式和自动模式。手动模式下,将由用户来控制数据传输的开始。而在手动模式下,又分为“手动片选”和“自动片选”,它们指的是片选信号的控制权。自动片选所传输的数据量受限于Tx FIFO的深度,而手动片选更适合批量数据的传输。片选信号置为有效状态意味着Flash传输序列的开始。在程序的108至120行,我们调用示例程序“xqspips_Flash_polled_example.c”所提供的函数,来执行一系列Flash操作,包括读Flash ID、使能Flash Quad模式、擦除Flash等。其中最核心的是通过FlashWrite( )函数向Flash指定地址写入测试数据,然后通过FlashRead( )函数将数据从该地址读出,放至读BUFFER中。最后,在程序的122至129行,通过对比写BUFFER与读BUFFER中的数据是否一致,从而判断Flash读写测试实验是否成功。程序的剩余部分是前面所声明的一系列操作Flash的函数的实现,因为我们将其当作库函数直接调用,因此代码就不再贴出来了。大家有兴趣的话也可以研究一下,这些函数是如何将读写指令和数据转换成QSPI Flash所要求的命令格式的。实际上,这些函数的功能也都是通过调用xqspips.h头文件中的库函数XQspiPs_PolledTransfer( )来实现的。11.5下载验证首先我们将下载器与领航者底板上的JTAG接口连接,下载器另外一端与电脑连接。然后使用Mini USB连接线将开发板左侧的USB_UART接口与电脑连接,用于串口通信。最后连接开发板的电源,并打开电源开关。在SDK软件下方的SDK Terminal窗口中点击右上角的加号设置并连接串口。然后下载本次实验软件程序,下载完成后,在下方的SDK Terminal中可以看到应用程序打印的信息如下图所示:
图 11.5.1 串口打印结果
从图 11.5.1中可以看出,本次实验所实现的QSPI Flash读写测试功能,在领航者ZYNQ开发板上面下载验证成功。
华邦电子携三大产品线及合作伙伴生态产品亮相慕尼黑上海电子展
备受瞩目的电子行业重要展会之一慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心拉开帷幕。本次展会聚焦新能源汽车、储能、智能驾驶、卫星通信、机器人、可穿戴、智能建筑、边缘智能、智慧电源、第三代半导体等应用领域等年度热门趋势,吸引了1600+家国内外优质电子企业参展。作为全球半导体存储解决方案领导厂商,华邦电子以“芯存绿意,共创未来”为主题,再度亮相慕尼黑上海电子展。
三大产品线亮相,展示华邦电子创新实力
随着数字化、智慧化转型的加速,尤其是人工智能、汽车、物联网等热门领域的快速迭代创新,使得不同终端设备需要处理的数据量也在急速增加,各行各业对存储产品的性能、容量和安全性等要求日益提高。华邦电子此次携DRAM、闪存、安全闪存三大产品线亮相,展示了覆盖车用、工业、消费电子、智能物联网、移动通信等多领域的全面产品阵容。其中,DRAM产品线以高性能、低成本、低功耗、先进封装等优异性能,满足了用户全方位严苛需求。闪存产品线则包括了一系列高速度、高容量、高可靠性、低成本的产品,如QspiNAND、OctalNAND、NOR Flash等,为车用、消费电子等容量需求快速增长的应用场景提供了理想解决方案。而安全闪存产品线中的TrustME®系列,更凭借独一无二的安全性设计、严苛认证标准、强大的部署弹性,满足了从金融交易系统,到汽车网络安全,再到边缘设备保护等不同安全等级的产品需求。
在2024慕尼黑上海电子展现场,华邦电子的明星产品悉数亮相,充分展示华邦电子多年来在存储领域的技术积淀和创新能力。其中,DRAM、闪存及安全闪存产品展区带来了已广泛应用于AI、车用、边缘计算、工业及消费电子等领域的产品演示实例,包括适用于低功耗设备的HYPERRAM™、LPDDR4/4X、市占率居于首位的NOR Flash,以及满足商业、工业和服务器领域的物联网边缘设备安全运行所需的TrustME®系列安全闪存产品。
携手合作伙伴,共建繁荣产业生态
华邦电子不仅注重产品研发和创新,还积极与业界领先的汽车厂商以及各大头部MCU厂商达成了深度技术融合与产品应用。2023年,华邦电子还宣布加入UCIe联盟,进一步在Chiplet生态建设领域发挥积极作用。
基于与生态伙伴的紧密合作,华邦电子在今年的慕尼黑上海电子展上带来了阵容更为强大的合作伙伴生态产品。例如,搭载于Mobileye STME-EyeQ4H的4Gb LPDDR4,为 ADAS前置摄像头提供了极具成本效益的低功耗解决方案;以及应用于Xilinx Zynq UltraScale + MPSoC 的OctalNAND,以其出色的 240MB/s 数据吞吐量和可靠性,成为工业与汽车应用的理想选择;而与Sunplus SPHE8368-P合作的工业及车规级DDR3,以及具有缓冲读取和连续读取功能的车规级QspiNAND,为车载信息娱乐系统带来了超高性价比方案。
未来,华邦电子将继续秉持创新、合作、共赢的理念,加大研发投入,为业界打造更出色的产品和解决方案。同时,华邦电子期待与更多客户及合作伙伴携手并进,共同构建更加蓬勃发展的产业生态。
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