千金难买“牛回头”，一旦符合“牛回头”走势，直接9成仓买进，后市将日进斗金

（本文由公众号越声攻略（yslc688）整理，仅供参考，不构成操作建议。如自行操作，注意仓位控制和风险自负。)

遵守正确的交易准则让你在炒股的道路上赢在起跑线

1、以顺势为对，以逆势为错

价格变化具有一定的趋势性，无论是上涨趋势还是下跌趋势的形成都不容易，一旦形成很难在短时间内转变。因此，除非市场趋势已出现了明显改变，否则一定要尊重趋势!

在上涨时高位建空单，或在下跌时低位建多单，都是逆势操作的行为，后果往往不堪设想。因为趋势是无敌的，是任何力量都无法阻挡的!

趋势是交易的精髓，读懂趋势也就获得了市场中赚钱的金钥匙。顺应趋势，可以避免亏损，可以获取利润。

2、以轻仓为对，以重仓为错

价格波动的随机性决定了交易中仓位控制的重要性，一般以轻仓为宜，因为仓位一旦很重，其心态也会发生变化，往往影响正常的的决策判断和交易策略，从而影响交易结果。

仓位控制是交易中最基础、最重要的一个环节。有投资大师这样说：真正的投资收益规则是，仓位影响态度、态度影响分析、分析影响决策、决策影响收益。

3、以知足为对，以贪婪为错

多数投资者即使他们的分析水平、技术方法再高，最终也难免落入失败的结局，究其根源是什么呢?是贪婪。克服贪婪的主要武器是什么呢?是知足常乐。

盈利最大的敌人是贪婪，知足是交易中获利的要诀。

4、以止损保赢为对，以放任自流为错

止损是交易中非常重要的一环，因为任何时候保本都是第一位，赚钱是第二位的。

事实上，建立合理的止损原则相当有效，谨慎的自救策略的核心在于不让亏损继续扩大。

“留得青山在，不怕没柴烧”，止损的魅力正在于此!

一、牛回头战法

1、抓到牛股的概率是0.1%，但是抓到牛回头的概率是80%。

2、抓不到牛股没关系，我们可以抓它牛回头。

3、什么是牛回头?先看一下图

图中是天赐材料2016年的一段行情走势图，标注1 的位置，这是该股第一次走牛的行情，在那一波行情里面，你想做到，是比较难的，首先大盘当时的环境，以及锂电池产业的消息，业绩等等都是没有公开的，是先知先觉的主力偷偷的做起来，但是当锂电池行业爆发，上市公司业绩巨变之后，股价已经涨了一倍多。像这样的股票我们几乎每年都遇到很多，估计很多人都会感慨希望做到这样的股票，但那只是一种美好的愿望。

抓不到第一波没关系，这种牛股，大多数人都抓不到第一波，但是我们可以比较容易的抓到第二波或者第三波。图中2的位置，就是这个股票大幅上涨之后的一个深度调整，经过几个月的时间后，这个股票又来了第二波上涨行情，而且这第二波不必第一波小。那么在2和3之间就出现了一个牛回头的机会。就是图中，两个黄色圆圈发出信号的地方，这就是牛回头。

牛回头就是做牛股的第二波行情，甚至第三波行情，总之我们做的不是第一波，因为那个太难，更多的人更能把握的是做第二波。

上图万科在去年股权大战之前的走势，也走出了非常美妙的牛回头行情，第一波你跟不上没关系，可以做第二波。图中2,和3之间那个黄色圆圈里面的红色箭头就是牛回头量化信号。

这样的例子真的是太多了，几乎90%的牛股都会第二波行情，都会有牛回头走势。所以我的分析方法跟很多人不同，我不抓牛股，因为很难，没有那么高的成功率，但我可以等牛股走完，做第二波，这个成功率高，且安全，不用追涨，全都是低吸，更重要的是我们每个人都会选出已经走出来的牛股，这样每个人都可以轻松掌握这种方法。

4、识别牛回头的五个基本要素

1)走牛：牛回头，必须曾经是牛股，龙头，黑马，妖股等，走牛越近越好。

2)充分调整：第一波行情结束后，要经历充分的调整。这个充分分两层，一个是时间够长，一个是幅度够大

3)企稳：要有一定的企稳走势或者明显的信号。

4)缩量：调整的好坏，除了空间，还有量，洗的人都走了，也就缩量了。

5)信号阳线：当大起大落之后，市场归于平静，空方最后的动力耗尽，只需要一个小阳线，就能宣告多方的反攻。

5、牛回头五要素中最关键的是那个充分调整。

肯定很多人都想知道充分调整，到底是什么标准，这里就把这部分教给大家。

1)正常行情下20-30天均线企稳可能性大，比如震荡市。

2)特别好的行情下，可能就是15天线企稳，比如牛市。

3)比较差的行情下60天线的企稳可能性大，比如熊市。

4)调整幅度刚好是第一波涨幅的50%位置，企稳的可能性大。

5)大龙头大黑马，一般会在15日线得到支撑企稳，开启牛回头

有了这些，想很多人短线低吸，就明白怎么操作了吧，这是纯干货。我把最重要的部分分享给大家，聪明的你一定会学会使用的。

6、牛回头行情不一定都是涨很多。

大家在使用这个方法的时候，一定要注意，做牛回头行情，不要抱着暴涨的心理，也不要贪婪，有时候牛回头行情也就是个反弹，幅度没有那么高。运气好，碰上更牛的，也不要当成必然，反正做股票就是要先保证小幅赚钱，然后再考虑大赚，其实真正赚钱的人都是积少成多，利滚利才是投资的最核心。

——龙回头战法

龙回头战法，就是指主力资金在大幅拉升之后由于短期获利丰厚，股票抛盘增多，需要通过打压股价来达到洗盘的目的，为继续拉升股价或出货做准备。从而就给了抄底资金一个绝佳买点。

一、龙回头战法的选股标准

1、入选股票必须是前期市场火爆龙头，必须要有几个涨停板。没有涨停板力度不够，不容易聚集人气，反弹的力度也不会太强，很容易陷入复杂的调整。

2、前期拉升的过程中，必须要有量能的积累，操盘手法越凶悍越好;回落整理的过程中，尽量极度缩量，没有像样的反弹越好。量能的积累是主力资金进场的标志;操盘手法越凶悍，就越容易洗掉跟风盘，也说明了主力志在高远;下跌极度缩量，就说明主力资金并没有退长，很容易开始第二波拉升。

3、调整的时间为3-10个交易日，比较理想的就是5—7个交易日。小于3个交易日调整不够充分，容易影响第二波的力度和强度;大于10个交易日，时间太长了，人本身的遗忘性，比较难再次汇聚人气。

二、龙回头战法选股方法

在市场进行一轮调整之后，市场出现相对的盘整格局，观察涨幅榜上每日的涨停股，加入到自选股里面观察。其核心意义在于寻找以涨停板为启动阳线的一个上升波段，在强势调整之后再次把握上涨的波段。这个波段中再次出现涨停板的概率很大。

三、龙回头战法买入点

1、涨停板出现在底部区域，股价回调至涨停板二分之位置形成买点

2、连续涨停的股票，第一根长阴调整重要支撑位形成买点

3、前期连续涨停得股票，回调到第一个涨停板或启动位附近就形成买点

四、龙回头战法实战案例分析

参考案例：金洲管道(002443)

特征：

A、缩量下跌;B、低位涨停放量;C、强势调整洗盘;之后短线再次活跃，博取短线收益!

参考案例：曙光股份(600303)

参考案例：有研硅股(600206)

案例参考：天泽信息(300209)

实盘案例：皖新传媒(601801)

2016/10/20出现涨停板，以涨停启动、成交量配合，加入自选观察，短线陷入调整，10-27号金叉出现，出现买点。同时流动资金翻红 (流动资金表示个股资金活跃度)。10-28出现涨停板。

五、注意事项

涨停阳线作为启动信号参考，观察后期洗盘的力度，是否为缩量，洗盘调整之后再次出现阳线(小、中、大阳线都可以)介入，介入仓位50%以下。

止盈参考：10-20% ;止损参考：4%-7%; 如果股价跌破5日均线3天不收回则出局等待。

六、龙头战法的预警、选股公式：

龙头战法的预警公式源码：

ZT:=C=ZTPRICE(REF(C,1),0.1);

T1:=COUNT(ZT,2)=2;

LZR:=BARSLAST(T1);

T2:=BETWEEN(LZR,4,11);

T3:=ZT OR C>REF(C,LZR);

T2 AND T3;

通达信强龙回头选股指标公式：

X_1:=EMA((-100)*(HHV(HIGH,21)-CLOSE)/(HHV(HIGH,21)-LLV(LOW,21)),3)+100;

X_2:=EMA(X_1,7);

X_3:=REF(CLOSE,1);

X_4:=SMA(MAX(CLOSE-X_3,0),8,1)/SMA(ABS(CLOSE-X_3),8,1)*100;

X_5:=SMA(MAX(CLOSE-X_3,0),52,1)/SMA(ABS(CLOSE-X_3),52,1)*100;

X_6:=EMA(CLOSE,3)-EMA(CLOSE,8);

X_7:=EMA(OPEN,3)-EMA(OPEN,8);

X_8:=(CLOSE-LLV(LOW,42))/(HHV(HIGH,42)-LLV(LOW,42))*100;

X_9:=SMA(X_8,9,2);

X_10:=SMA(X_9,3,1);

X_11:=3*X_9-2*X_10;

X_12:=EXIST(X_2>90,35) AND X_5>50 AND CROSS(X_6,X_7) AND REF(LOW,1)

X_13:=EXIST(CLOSE/REF(CLOSE,1)>1.055,60);

X_14:=DYNAINFO(4)>0;

X_15:=X_13 AND X_14;

X_16:=IF(CODELIKE(27),0,1);

XG:X_12 AND X_15 AND X_16;

使资金在相对安全的前提下，提高资金有效使用率

在交易系统出现信号时期，因为必然存在不确定性，就需要资金管理来将不确定性(我称为风险)降到最大可控程度，这个并不是技术交易系统的内容。假设，一个可以达到70%成功率的技术交易系统，如果加入资金管理，可以提升到80%，那么，这个技术交易系统的成功率就是80%，而不是70%。

资金管理主要讲究规避风险和安全获利。留得青山在，不怕没柴烧。留住明天还能生存的实力，比今天获利还重要。资金管理包括各股票使用资金的组合、每笔交易资金使用的大小、追加资金数量的方法等，这些要素，都最终影响投资者整个交易成绩。世界上所有的赌场都限制赌徒下注的最高限额，一来是控制赌徒的损失，减少负面影响，二来也是控制赌场经营的风险。一个好的专业投资者同样也应该限制自己每次的交易金融，大多数投资者的观念都是一直在寻找一个高准确率的交易方法、交易体系，然而，假定有相同的交易机会因素，体系中最关键的因素是盈利或亏损时投资额的大小。一般的投资者都不太理解这个概念，没有注意到资金管理的重要性。在交易中盈利的次数很多，但是最后看账单，结果是亏损，这就是资金管理缺失的原因。

华尔街有句名言：让利润奔跑，当方向正确时加大仓位，尽量去赢。投资大师理查·丹尼斯说：“95%的利润来源于5%的交易。”这说明了把握交易资金量的重要性。

在亏损后及时止损，减少资金的亏损。在盈利时增加资金，以使盈利达到最大化。在股市进行买卖交易属于零和游戏，注定大多数人是输家。反过来说：一个成功的投资者获利的机会，是建立在别人失败的基础上的。提高资金运用的技巧，对资金的运用要有全面的计划，在具体的资金管理过程中要遵循四大原则。

1.顺势而为：在牛市的上升趋势中，每一次回调都是加仓的机会，放手去赢。

2.永远不超额使用资金，为出现万一情况，留有余地。一次性投入的最大交易资金为70%，30%作为预备。在加仓过程中，注意运用等份分配法或金字塔分配法扩大持仓量。保本最重要。不管是投资还是投机，重要的条件是保住资本。

3.学会尊重趋势，下跌趋势学会空仓，上涨趋势逐步加仓。

4.不要在股票处于盘整时去建仓。不见兔子不撒鹰，一定要等到趋势明朗再建仓，而且是分批建仓，除非对基本面有深入的研究，并有十足的把握，可以在盘整时建仓，但一旦出现反方向运动，要记住第一时间止损。

总而言之，在资金管理中不可以盲目地一次以100%的资金买入投资者看好的股票，哪怕100%地认为会赢，也要留出一部分作为后备资金，以防万一。可以先用一部分资金尝试方向，摸清情况后，在确定方向后再加大资金投入，并注意设立合理的止损位。

如果你也是技术控，也在潜心研究股市里的技术操作，不妨关注公众号越声攻略(yslc688)加入实战解盘特训营，你会有更多的收获!

声明：本内容由越声攻略提供，不代表投资快报认可其投资观点。

CS创世SD NAND的存储芯片应用方案

前言:

　很感谢深圳雷龙发展有限公司为博主提供的两片SD NAND的存储芯片，在这里博主记录一下自己的使用过程以及部分设计。

深入了解该产品：

　拿到这个产品之后，我大致了解了下两款芯片的性能。CSNP4GCR01-AMW是一种基于NAND闪存和SD控制器的4Gb密度嵌入式存储；而CSNP32GCR01-AOW是一种基于NAND闪存和SD控制器的32Gb密度嵌入式存储。与原始NAND相比其具有嵌入式坏块管理和更强的嵌入式ECC。即使在异常断电，它仍然可以安全地保存数据。作为一个存储芯片，它确实做到了小巧，LGA-8的封装对比我之前用到过的TF卡，只占到了其面积的三分之一，这样对于一些嵌入式的设计就方便了很多。

　雷龙官方还很贴心的提供了样品的测试板，在这款测试板上，我焊接了4GB的CSNP4GCR01-AMW上去，并且跑了一下分，对于一款小的存储芯片而言，实在难得。

　（上图为测试板焊接图）

　博主日前在设计基于H616与NB-IOT的嵌入式智能储物柜的时候考虑过存储方面的问题，当时在SD NAND和EMMC与TF卡中徘徊，以下是几个存储类型的对比。

　经过多方对比，本着不需要频繁更换的原则，同时也为了更好的防水和成本考虑，最终决定使用雷龙公司的SD NAND 作为设计样品的存储部分。

　此外，SD NAND还具有不用写驱动程序自带坏块管理的NAND FLASH（贴片式TF卡），不标准的SDIO接口，也同时兼容SPI/SD接口，10万次的SLC晶圆擦写寿命，通过一万次的随机掉电测试耐高低温，经过跑分测得，速度级别Class10。标准的SD2.0协议，普通的SD卡可以直接驱动，支持TF卡启动的SOC都可以用SD NAND，而且雷龙官方还贴心的提供了STM32参考例程和原厂技术支持，这对于刚上手的小白而言，十分友好。

设计理念：

　使用H616作为主控CPU并搭配NB-IOT来向申请下来的云端传输数据，当WIFI正常时，储物数据每搁两小时向云端传输一次，当有人取出物品时再次向云端发送一次数据（不保留在SD NAND中）；一旦系统检测到WIFI出现问题，储物数据转而存储到SD NAND中，取物时输入的物品ID和取出时间一并放入SD NAND中（我也是看中了SD NAND与原始NAND相比其具有嵌入式坏块管理和更强的嵌入式ECC。即使在异常断电，它仍然可以安全地保存数据这一点）。

部分SD NAND的参考设计

　根据官方数据手册提供的SD NAND参考设计，只占用8个GPIO，对于H616来说，确实很友好

　这里为了不泄露他人的劳动成果，我也就不粘PCB设计了。

采用H616驱动SD NAND的示例代码

　下面是关于H616驱动SD NAND的示例代码，这里记录一下自己当初的学习过程（注：这个代码不能直接拿过来就用，而是要根据自己的需求修改）

#include <stdio.h>#include <stdint.h>#include <stdlib.h>#include <string.h>#include "h616_sdio.h"// 定义SDIO引脚#define SDIO_CMD_PIN 0#define SDIO_CLK_PIN 1#define SDIO_D0_PIN 2#define SDIO_D1_PIN 3#define SDIO_D2_PIN 4#define SDIO_D3_PIN 5// 定义NAND芯片命令#define CMD_READ 0x00#define CMD_WRITE 0x80#define CMD_ERASE 0x60#define CMD_STATUS 0x70#define CMD_RESET 0xff// 定义NAND芯片状态#define STATUS_READY 0x40#define STATUS_ERROR 0x01// 初始化SDIO控制器void sdio_init(){// 设置SDIO引脚模式和速率h616_sdio_set_pin_mode(SDIO_CMD_PIN, H616_SDIO_PIN_MODE_SDIO);h616_sdio_set_pin_mode(SDIO_CLK_PIN, H616_SDIO_PIN_MODE_SDIO);h616_sdio_set_pin_mode(SDIO_D0_PIN, H616_SDIO_PIN_MODE_SDIO);h616_sdio_set_pin_mode(SDIO_D1_PIN, H616_SDIO_PIN_MODE_SDIO);h616_sdio_set_pin_mode(SDIO_D2_PIN, H616_SDIO_PIN_MODE_SDIO);h616_sdio_set_pin_mode(SDIO_D3_PIN, H616_SDIO_PIN_MODE_SDIO);h616_sdio_set_clock(H616_SDIO_CLOCK_FREQ_25MHZ);// 初始化SDIO控制器h616_sdio_init();}// 发送NAND芯片命令void nand_send_cmd(uint8_t cmd){// 设置SDIO控制器传输模式和命令码h616_sdio_set_transfer_mode(H616_SDIO_TRANSFER_MODE_WRITE);h616_sdio_set_command_code(cmd);// 发送命令h616_sdio_send_command();}// 发送NAND芯片地址void nand_send_addr(uint32_t addr){// 设置SDIO控制器传输模式和地址h616_sdio_set_transfer_mode(H616_SDIO_TRANSFER_MODE_WRITE);h616_sdio_set_address(addr);// 发送地址h616_sdio_send_address();}// 读取NAND芯片数据void nand_read_data(uint8_t *data, uint32_t size){// 设置SDIO控制器传输模式h616_sdio_set_transfer_mode(H616_SDIO_TRANSFER_MODE_READ);// 读取数据h616_sdio_read_data(data, size);}// 写入NAND芯片数据void nand_write_data(const uint8_t *data, uint32_t size){// 设置SDIO控制器传输模式h616_sdio_set_transfer_mode(H616_SDIO_TRANSFER_MODE_WRITE);// 写入数据h616_sdio_write_data(data, size);}// 读取NAND芯片状态uint8_t nand_read_status(){uint8_t status;// 发送读取状态命令nand_send_cmd(CMD_STATUS);// 读取状态nand_read_data(&status, 1);return status;}// 等待NAND芯片准备就绪void nand_wait_ready(){uint8_t status;// 循环读取状态，直到NAND芯片准备就绪do {status = nand_read_status();} while ((status & STATUS_READY) == 0);}// 读取NAND芯片数据void nand_read(uint32_t page, uint32_t column, uint8_t *data, uint32_t size){// 发送读取命令和地址nand_send_cmd(CMD_READ);nand_send_addr(column | (page << 8));// 等待NAND芯片准备就绪nand_wait_ready();// 读取数据nand_read_data(data, size);}// 写入NAND芯片数据void nand_write(uint32_t page, uint32_t column, const uint8_t *data, uint32_t size){// 发送写入命令和地址nand_send_cmd(CMD_WRITE);nand_send_addr(column | (page << 8));// 写入数据nand_write_data(data, size);// 等待NAND芯片准备就绪nand_wait_ready();}// 擦除NAND芯片块void nand_erase(uint32_t block){// 发送擦除命令和地址nand_send_cmd(CMD_ERASE);nand_send_addr(block << 8);// 等待NAND芯片准备就绪nand_wait_ready();}// 复位NAND芯片void nand_reset(){// 发送复位命令nand_send_cmd(CMD_RESET);// 等待NAND芯片准备就绪nand_wait_ready();}// 示例程序入口int main(){uint8_t data[2048];memset(data, 0x5a, sizeof(data));// 初始化SDIO控制器sdio_init();// 复位NAND芯片nand_reset();// 擦除第0块nand_erase(0);// 写入第0页nand_write(0, 0, data, sizeof(data));// 读取第0页nand_read(0, 0, data, sizeof(data));return 0;}

　————————————————

【本文转载自CSDN，作者：孙启尧】

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