nand读奇数块智能座舱之存储篇第三篇---NAND Flash 一眼就看明白了-快讯-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

nand读奇数块智能座舱之存储篇第三篇---NAND Flash 一眼就看明白了

发布时间 : 2025-03-12

作者 : 小编

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智能座舱之存储篇第三篇---NAND Flash 一眼就看明白了

上期内容我们重点说了NAND FLASH本身的一些特殊性，比如写之前要进行擦除，而且存在坏块的可能性性，所以很多车厂在评估NAND FLASH的时候，会评估目前容量的冗余量是多少，要保障有足够多的空间去预防坏块的产生后的数据搬移。

这期内容重点说说NAND FLASH的一些操作特性，怎么进行控制和读取的。这期的内容有点硬核，需要有一些专业知识的人进行阅读，科普类的文章咱们下期继续。

NAND FLASH的硬件特性介绍

上图是镁光 NAND FLASH MT29F1G08ABAEAH4的引脚（Pin）所对应的功能，简单翻译如下：

1. I/O0 ~ I/O7：用于输入地址/数据/命令，输出数据

2. CLE：Command Latch Enable，命令锁存使能，在输入命令之前，要先在模式寄存器中，设置CLE使能

3. ALE：Address Latch Enable，地址锁存使能，在输入地址之前，要先在模式寄存器中，设置ALE使能

4. CE#：Chip Enable，芯片使能，在操作Nand Flash之前，要先选中此芯片，才能操作

5. RE#：Read Enable，读使能，在读取数据之前，要先使CE＃有效。

6. WE#：Write Enable，写使能,在写取数据之前，要先使WE＃有效。

7. WP#：Write Protect，写保护

8. R/B#:Ready/Busy Output,就绪/忙,主要用于在发送完编程/擦除命令后,检测这些操作是否完成,忙,表示编程/擦除操作仍在进行中,就绪表示操作完成.

9. Vcc：Power，电源

10. Vss：Ground，接地

11. N.C：Non-Connection,未定义，未连接。

实际项目的NAND FLASH原理图

上图中我们可以发现有两个地方需要上拉电阻R/B#:、WP#，其他都是CPU同nand flash直接相连接。通过查询flash 的datasheet可以发现，这两个引脚是开漏极输出，需要上拉电阻。

而且可以看到电路设计中WP#引脚一端接上拉电阻，一端通过二极管和0欧姆电阻连接到CPU复位引脚，CPU主芯片平台的复位是低电平复位，WP#引脚是低电平的时候写保护有效，这样做的目的就是，在复位期间，即CPU复位引脚为低电平期间此时WP#引脚也为二极管电压（0.7V）为低电平，为写保护状态，在复位期间，CPU引脚状态不定，容易对flash进行误操作。这样做的目的就是硬件实现在CPU复位期间，flash是写保护状态，不允许写入的。

很多时候掉电产生的擦除数据，导致数据丢失无法开机、无法保存掉电记忆等等问题都可以使用这个方案来对策解决问题。

为何需要ALE和CLE

比如命令锁存使能(Command Latch Enable,CLE)和地址锁存使能(Address Latch Enable，ALE)，那是因为，Nand Flash就8个I/O，而且是复用的，也就是，可以传数据，也可以传地址，也可以传命令，为了区分你当前传入的到底是啥，所以，先要用发一个CLE（或ALE）命令，告诉nand Flash的控制器一声，我下面要传的是命令（或地址），这样，里面才能根据传入的内容，进行对应的动作。否则,nand flash内部,怎么知道你传入的是数据,还是地址,还是命令啊,也就无法实现正确的操作了。

Nand Flash只有8个I/O引脚的好处

1. 减少外围引脚：相对于并口(Parellel)的Nor Flash的48或52个引脚来说，的确是大大减小了引脚数目，这样封装后的芯片体积，就小很多。现在芯片在向体积更小，功能更强，功耗更低发展，减小芯片体积，就是很大的优势。同时，减少芯片接口，也意味着使用此芯片的相关的外围电路会更简化，避免了繁琐的硬件连线。

2. 提高系统的可扩展性，因为没有像其他设备一样用物理大小对应的完全数目的addr引脚，在芯片内部换了芯片的大小等的改动，对于用全部的地址addr的引脚，那么就会引起这些引脚数目的增加，比如容量扩大一倍，地址空间/寻址空间扩大一倍，所以，地址线数目/addr引脚数目，就要多加一个，而对于统一用8个I/O的引脚的Nand Flash，由于对外提供的都是统一的8个引脚，内部的芯片大小的变化或者其他的变化，对于外部使用者(比如编写nand flash驱动的人)来说，不需要关心，只是保证新的芯片，还是遵循同样的接口，同样的时序，同样的命令，就可以了。这样就提高了系统的扩展性。

片选无关(CE don’t-care)技术

Nand flash支持一个叫做CE don’t-care的技术，字面意思就是，不关心是否片选，那有人会问了，

如果不片选，那还能对其操作吗？答案就是，这个技术，主要用在当时是不需要选中芯片却还可以继续操作的这些情况：在某些应用，比如录音，音频播放等应用中，外部使用的微秒（us）级的时钟周期，此处假设是比较少的2us，在进行读取一页或者对页编程时，是对Nand Flash操作，这样的串行（Serial Access）访问的周期都是20/30/50ns，都是纳秒（ns）级的，此处假设是50ns，当你已经发了对应的读或写的命令之后，接下来只是需要Nand Flash内部去自己操作，将数据读取除了或写入进去到内部的数据寄存器中而已，此处，如果可以把片选取消，CE#是低电平有效，取消片选就是拉高电平，这样会在下一个外部命令发送过来之前，即微秒量级的时间里面，即2us－50ns≈2us，这段时间的取消片选，可以降低很少的系统功耗，但是多次的操作，就可以在很大程度上降低整体的功耗了。

总结起来简单解释就是：由于某些外部应用的频率比较低，而Nand Flash内部操作速度比较快，所以具体读写操作的大部分时间里面，都是在等待外部命令的输入，同时却选中芯片，产生了多余的功耗，此“不关心片选”技术，就是在Nand Flash的内部的相对快速的操作（读或写）完成之后，就取消片选，以节省系统功耗。待下次外部命令/数据/地址输入来的时候，再选中芯片，即可正常继续操作了。这样，整体上，就可以大大降低系统功耗了。

NAND FLASH 的读操作详细解读

以最简单的read操作为例，解释如何理解时序图，以及将时序图中的要求，转化为代码。解释时序图之前，让我们先要搞清楚，我们要做的事情：那就是，要从nand flash的某个页里面，读取我们要的数据。要实现此功能，会涉及到几部分的知识，至少很容易想到的就是：需要用到哪些命令，怎么发这些命令，怎么计算所需要的地址，怎么读取我们要的数据等等。

就好比你去图书馆借书，想想是一个什么样的流程，首先得告诉馆长你要要借书还是还书、然后把要借书的位置告诉馆长，最后是把图书卡或者借书证件给馆长，此时就耐心等待要借的书籍了。

下面，就一步步的解释，需要做什么，以及如何去做：

1.需要使用何种命令

首先，是要了解，对于读取数据，要用什么命令。

下面是datasheet中的命令集合：

很容易看出，我们要读取数据，要用到Read命令，该命令需要2个周期，第一个周期发0x00，第二个周期发0x30。

2.发送命令前的准备工作以及时序图各个信号的具体含义

知道了用何命令后，再去了解如何发送这些命令。

Nand Flash数据读取操作的时序图

注：此图来自镁光的型号MT29F1G08ABAEAH4:E的nand flash的数据手册(datasheet)。

我们来一起看看，我在图中的特意标注的①边上的红色竖线。

红色竖线所处的时刻，是在发送读操作的第一个周期的命令0x00之前的那一刻。让我们看看，在那一刻，其所穿过好几行都对应什么值，以及进一步理解，为何要那个值。

（1）红色竖线穿过的第一行，是CLE。还记得前面介绍命令所存使能（CLE）那个引脚吧？CLE，将CLE置1，就说明你将要通过I/O复用端口发送进入Nand Flash的，是命令，而不是地址或者其他类型的数据。只有这样将CLE置1，使其有效，才能去通知了内部硬件逻辑，你接下来将收到的是命令，内部硬件逻辑，才会将受到的命令，放到命令寄存器中，才能实现后面正确的操作，否则，不去将CLE置1使其有效，硬件会无所适从，不知道你传入的到底是数据还是命令了。

（2）而第二行，是CE#，那一刻的值是0。这个道理很简单，你既然要向Nand Flash发命令，那么先要选中它，所以，要保证CE#为低电平，使其有效，也就是片选有效。

（3）第三行是WE#，意思是写使能。因为接下来是往nand Flash里面写命令，所以，要使得WE#有效，所以设为低电平。

（4）第四行，是ALE是低电平，而ALE是高电平有效，此时意思就是使其无效。而对应地，前面介绍的，使CLE有效，因为将要数据的是命令，而不是地址。如果在其他某些场合，比如接下来的要输入地址的时候，就要使其有效，而使CLE无效了。

（5）第五行，RE#，此时是高电平，无效。可以看到，知道后面低6阶段，才变成低电平，才有效，因为那时候，要发生读取命令，去读取数据。

（6）第六行，就是我们重点要介绍的，复用的输入输出I/O端口了，此刻，还没有输入数据，接下来，在不同的阶段，会输入或输出不同的数据/地址。

（7）第七行，R/B#,高电平，表示R（Ready）/就绪，因为到了后面的第5阶段，硬件内部，在第四阶段，接受了外界的读取命令后，把该页的数据一点点送到页寄存器中，这段时间，属于系统在忙着干活，属于忙的阶段，所以，R/B#才变成低，表示Busy忙的状态的。

介绍了时刻①的各个信号的值，以及为何是这个值之后，相信，后面的各个时刻，对应的不同信号的各个值，大家就会自己慢慢分析了，也就容易理解具体的操作顺序和原理了。

3.如何计算出，我们要传入的地址

在介绍具体读取数据的详细流程之前，还要做一件事，那就是，先要搞懂我们要访问的地址，以及这些地址，如何分解后，一点点传入进去，使得硬件能识别才行。

此处还是以MT29F1G08ABAEAH4:E为例，此nand flash，一共有1024个块，每个块内有64页，每个页是2K+64 Bytes，假设，我们要访问其中的第1000个块中的第25页中的1208字节处的地址，此时，我们就要先把具体的地址算出来：

物理地址=块大小×块号+页大小×页号+页内地址=1000×128K+2K×25+1208=0x7D0CCB8,接下来，我们就看看，怎么才能把这个实际的物理地址，转化为nand Flash所要求的格式。

在解释地址组成之前，先要来看看其datasheet中关于地址周期的介绍：

图 Nand Flash的地址周期组成

结合时序图的2，3阶段，我们可以看出，此nand flash地址周期共有4个，2个列(Column)周期，2个行（Row）周期。

而对于对应的，我们可以看出，实际上，列地址CA0~CA10，就是页内地址，11位地址范围是从0到2047，即2K,而多出的A11，理论上可以表示2048～4095，但是实际上，上述规格书中说明当CA11为1时，CA【10：6】都必须为0，所以我们最多也只用到了2048～2112，用于表示页内的oob区域，其大小是64字节。

PA0～PA5，称作页号，页的号码，可以定位到具体是哪一个页。由6个位控制，最多寻址64页，符合规格书中的一块有64页。

而其中，BA6～BA15，表示对应的块号，即属于哪个块,有10个位控制，寻址范围为1024个块。

// 可见：地址的传输顺序是是页内地址，页号，块号。从小到大。

简单解释完了地址组成，那么就很容易分析上面例子中的地址了：

0x7D0CCB8 = 0111 1101 0000 1100 0000 1100 1011 1000，分别分配到4个地址周期就是：

1st 周期，CA7～CA0 ：1011 1000 = 0x B8

2nd周期，CA11～CA8 ：0000 1100 = 0x 0C

3rd周期，BA7～PA0 ：0000 1100 = 0x 0C

4th周期，A27～A20 ：0111 1101 = 0x 7D

注意，上图图中对应的，*L，意思是低电平，由于未用到那些位，datasheet中强制要求设为0，所以，才有上面的2nd周期中的高4位是0000.。因此，接下来要介绍的，我们要访问第1000个块中的第25页中的1208字节处的话，所要传入的地址就是分4个周期，分别传入2个列地址的：0xB8，0x0C，然后再传2个行地址的：0x0C，0x7D，这样硬件才能识别。

4.读操作过程的解释

准备工作终于完了，下面就可以开始解释说明，对于读操作的，上面图中标出来的，1-6个阶段，具体是什么含义。

（1）操作准备阶段：此处是读（Read）操作，所以，先发一个图5中读命令的第一个阶段的0x00,表示，让硬件先准备一下，接下来的操作是读。

（2）发送两个周期的列地址。也就是页内地址，表示，我要从一个页的什么位置开始读取数据。

（3）接下来再传入三个行地址。对应的也就是页号。

（4）然后再发一个读操作的第二个周期的命令0x30。接下来，就是硬件内部自己的事情了。

（5）Nand Flash内部硬件逻辑，负责去按照你的要求，根据传入的地址，找到哪个块中的哪个页，然后把整个这一页的数据，都一点点搬运到页缓存中去。而在此期间，你所能做的事，也就只需要去读取状态寄存器，看看对应的位的值，也就是R/B#那一位，是1还是0，0的话，就表示，系统是busy，仍在”忙“（着读取数据），如果是1，就说系统活干完了，忙清了，已经把整个页的数据都搬运到页缓存里去了，你可以接下来读取你要的数据了。

对于这里。估计有人会问了，这一个页一共2048+64字节，如果我传入的页内地址，就像上面给的1028一类的值，只是想读取1028到2011这部分数据，而不是页开始的0地址整个页的数据，那么内部硬件却读取整个页的数据出来，岂不是很浪费吗？答案是，的确很浪费，效率看起来不高，但是实际就是这么做的，而且本身读取整个页的数据，相对时间并不长，而且读出来之后，内部数据指针会定位到你刚才所制定的1208的那个位置。

（6）接下来，就是“窃取“系统忙了半天之后的劳动成果的时候了，呵呵。通过先去Nand Flash的控制器中的数据寄存器中写入你要读取多少个字节(byte)/字(word)，然后就可以去Nand Flash的控制器的FIFO中，一点点读取你要的数据了。

至此，整个Nand Flash的读操作就完成了。

对于其他操作，可以根据上面的分析，一点点自己去看datasheet，根据里面的时序图去分析具体的操作过程，然后对照代码，会更加清楚具体是如何实现的。

NAND FLASH 搭配NOR FLASH的优缺点

常见的应用组合就是，用小容量的Nor Flash存储启动代码，比如uboot，系统启动后,初始化对应的硬件，包括SDRAM等，然后将Nand Flash上的Linux 内核读取到内存中，做好该做的事情后，就跳转到SDRAM中去执行内核了。

这样的好处是由于NAND 本身有坏块的可能性，所以为了保障启动万无一失，很多要求高级安全的产品，标注必须从NOR Flash启动uboot，而且从NOR启动还有一个好处就是启动速度快，NAND Flash的优点是容量大，但是读取速度不快，比不上NOR Flash，比如一些对于开机速度有要求的产品应用，比如车载液晶仪表，这类产品为了快速启动一般都是NOR FLASH+EMMC的配置，当然像赛普拉斯平台直接上hyperflash那就更快了。

NAND Flash的ECC校验简单说明

我们先来说说为什么需要ECC校验这个事情，其实上一篇文章我们说过由于NAND flash的自身的不稳定性，存在位翻转的现象，所以就存在写入到flash中的数据和读出来的数据不一样的情况发生，此时就需要有一个检验的机制，防止读出来的不正确，还可以纠正过来。

其实这个就类似于去银行存钱，你存了1W，过几天去银行去取钱的时候发现只有9000了，这个时候你就会拿出存条找银行理论，上次明明存的就是1W啊，你少的1000必须跟我纠正过来，其实这个就是NAND flash的ECC检验原理，发现有读出来的数据和存进去的数据不正确，此时就需要去纠正回来，当然这里的纠正的数据是有限制的，不是所有数据出错都能纠正过来。

ECC 校验是在奇偶校验的基础上发展而来的，它将数据块看作一个矩阵，利用矩阵的行、列奇偶信息生成 ECC 校验码。它能够检测并纠正单比特错误和检测双比特错误，但对双比特以上的错误不能保证检测。它克服了传统奇偶校验只能检出奇数位出错、校验码冗长、不能纠错的局限性。每 nbit 的 Ecc 数值可满足 2的n次方bit 数据包的校验要求。

当往Nand Flash 的Page 中写入数据的时候，每256字节我们生成一个ECC 校验和，称之为原ECC校验和，保存到 PAGE 的OOB数据区中。当从Nand Flash 中读取数据的时候，每 256 字节我们生成一个ECC校验和，称之为新 ECC 校验和。

校验的时候，根据上述ECC生成原理不难推断：将从 OOB 区中读出的原 ECC校验和新ECC校验和按位异或，若结果为0，则表示不存在错（或是出现了ECC无法检测的错误）：若3个字节异或结果中存在11个比特位为1，表示存在一个比特错误，且可纠正；若3个字节异或结果中只存在1个比特位为1，表示OOB区出错：其他情况均表示出现了无法纠正的错误。

这两期我们基本上把NAND FLASH的相关设计和使用都完整讲了一遍，下期会讲讲车载DRAM和EMMC的相关内容，敬请期待。

百家争鸣谁为先 7款主流3D NAND固态硬盘横向评测

2017年可以称为3D NAND 固态硬盘的元年，英特尔、东芝、西部数据、闪迪等众多厂商纷纷推出全新64层3D NAND固态硬盘，这些硬盘均采用3D NAND设计，官方宣称3D NAND固态硬盘除了提供超越常规的高稳定、低功耗、高耐用性等优越性外，它们还将容量标准再次拔高，并且降低了成本。

那么这个3D NAND到底是啥？

来看看上面这张图，固态硬盘的NAND闪存最开始是平面铺展，随着2D平面闪存工艺进步，到达15nm的水平后，平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限。到达极限后就出现问题了。

问题一：每个闪存储存单元所储存的电子越来越少，能抗磨损(每次写入、擦除，需要高电压，材料对对电子控制能力随之变弱)的冗余电子减少，严重影响闪存耐久度。

问题二：单元之间干扰也随工艺进步增强，电容耦合干扰已经达到25％(还是各种设计改进优化后的结果)。

既然平面已经达到极限，研究人员就开始尝试3D架构设计。于是乎，32层NAND闪存出现了，紧接着，48层，64层，最后连96层也都被逐一开发出来了。不过目前商用的只有64层设计。

接下来我们选择市场上容量在240GB~256GB之间销量较多的7款3D NAND 固态硬盘进行横向评测，如何在鱼龙混杂的市场慧眼如炬，识别真货，ITheat热点科技带给大家最全面的产品解读！

以上测试硬盘均从京东自营或者天猫官方旗舰店购买，价格明细表如下：

这7款3D NAND固态硬盘分别是英特尔545S、三星850EVO、东芝TR200、西部数据Blue 3D版、英睿达BX300、闪迪至尊高速3D版、英睿达MX300，也是大家最常用的型号。

7款SSD价格分别从400~700元不等，价格最低的是东芝TR200为469元，简直创造SSD近来价格的新低了！最贵的是英睿达BX300系列为658元，竟然比东芝TR200贵了40%。

接下来我们拆解看看他们的主控型号以及闪存颗粒型号：

从图中可以看出用的最多的主控还是Silicon Motion（慧荣）与Marvell，三星以及东芝使用自家生产的主控。在闪存颗粒上，7款都是使用自家的原厂颗粒。

Silicon Motion SM2258是慧荣2016年发布的产品，其完美支持TLC闪存，慧荣SM2258控制器支持NANDXtend ECC技术，可以将NAND闪存的耐久度提升3倍，可以显著提升解码效率，提速达40%，也能显著降低产品的能耗。全面支持2D/3D TLC闪存成品解决方案。而Silicon Motion SM2258H与Silicon Motion SM2259都是SM2258的更新版本，具体参数未知，针对于英特尔545S以及英睿达BX300做了专门优化，应该是只强不弱。

Marvell88SS1074是Marvell公司2016年的产品，其采用28nm CMOS制造工艺，可以支持15nm制程的TLC/MLC/SLC和3D堆栈闪存，支持DEVSLP休眠模式以实现低功耗，以400MT/s的速率支持ONFI 3/Toggle 2接口标准，支持256位AES加密技术。主控支持Marvell第三代的NANDEdge纠错及LPDC低密度奇偶校验技术，这对TLC闪存SSD尤为重要。

至于三星自家的MGX Controller目前不知道具体数据，三星家的SSD一直用自己的主控，性能也还不错。

东芝的TC58NC1010GSB主控目前也无具体数据。

我们再来看一下其他参考因素：

SSD质保时间最长的是三星与英特尔，他们的硬盘质保时间为5年，其余为3年。

SSD平均无故障时间最长的是西部数据与闪迪的175万小时。

TBW是官方宣称SSD总写入量，也是SSD寿命。在官方宣称的耐久性TBW中，最长的是英特尔545S达到144TBW，就是说这块硬盘可以写入144TB的数据，按照每天写入100GB数据量，可以使用1440天，但是实际上，对于普通消费者来说可能用不到这么多，所以对于一般用户来说不用太担心SSD寿命。

以上因素可以作为购买时候的参考依据，但是真正决定性因素则是速度！SSD不以速度决成败就是耍流氓！以下我们选取AS SSD测试SSD得分，CrystalDiskMark进行连续读写性能测试，HD Tune进行SLC Cache测试，最后再以PCMark8 综合性能模拟测试。

在测试中，我们使用简体中文版Windows 10 64位版本的操作系统，关闭所有Windows开机启动项，并不对操作系统进行任何优化，为获取最为真实原始的客观评测数据提供基础。

测试平台参数如下：

AS SSD Benchmark速度测试

AS SSD Benchmark可以说是每一个固态硬盘用户必备的软件，其准确性和扎实的技术都能够为我们提供足够的参考价值，它可测试出硬盘的持续读写性能、“ISO文件/项目/游戏”等拷贝速度，以及4K随机性能等。

首先通过AS SSD测试其运行速度，其中测试数据包大小为1GB，3GB，5GB，10GB，每种数据包测试3次并对结果取平均值。

AS SSD顺序读取速度

通过AS SSD Benchmark测试其顺序读取速度，速度最快几款SSD包括英特尔545S，英睿达BX300系列，其次是东芝TR200以及三星850 EVO，最弱的是西部数据Blue 3D版，闪迪至尊高速3D 版，英睿达MX300系列。

AS SSD顺序写入速度

通过AS SSD Benchmark测试其顺序写入速度，在写入速度测试中，7款3D NAND SSD的初始写入速度基本都能达到或接近标称速度，但是随着测试包越来越大，多家的SSD都出现掉速情况，掉速最严重的是东芝TR200、西部数据Blue 3D版与闪迪至尊高速3D 版，其次是英特尔545S，三星850 EVO。值得称赞的是英睿达BX300以及英睿达MX300系列全程无掉速，稍后我们会进行另外的测试寻找它们的极限值在哪里！

AS SSD 4K读取速度测试

在AS SSD Benchmark 4K读取速度测试中，表现优秀的是东芝TR200与三星850 EVO，剩余的都表现的十分平稳，中规中矩。

AS SSD总得分

使用AS SSD Benchmark测试大家也都喜欢看分数，数据最好的是三星850 EVO与英睿达BX300。

ATTO Disk Benchmark测试

ATTO Disk Benchmark是一款简单易用的磁盘传输速率检测软件，使用了不同大小的数据测试包，数据包按0.5KB，1.0KB，2.0KB直到到64MB分别进行读写测试，测试完成后数据用柱状图的形式表达出来。能够很好的说明文件大小比例不同时对磁盘读取、写入速度的影响。我们选取数据包大小从512B，1KB，2KB…直到64MB，数据长度选取32GB，然后记录数据。

ATTO Disk Benchmark读取速度测试

随着数据包的增大，测试其连续读取速度，各家的SSD都表现良好。

ATTO Disk Benchmark写入速度测试

测试写入速度时，有些SSD表现就很奇怪，随着数据包的增大，英特尔545S以及三星850 EVO速度就掉到了三百多，而西部数据Blue 3D版以及闪迪至尊高速3D版表现更是糟糕，竟然掉到了两百多兆每秒。而值得称赞的则有东芝TR200，英睿达BX300，英睿达MX300。

SLC Cache测试

只要是TLC的闪存颗粒性能都与SLC Cache挂钩，接下来我们测试一下这7款SSD的SLC缓存容量大小以及缓存外持续写入速度。

三星850EVO的缓存容量大小为3GB，缓存外持续写入速度为320MB/s。

Intel 545S的固件不稳定，虽然其官网宣称的8GB SLC缓存，但是这结果浮动的有些厉害。勉强给它3GB。

SLC缓存容量

SLC缓存外持续写入速度

将所有SSD的测试之后，将结果进行统计，英睿达BX300系列很给力，由于采用MLC颗粒，加入SLC超级缓存机制，全盘不掉速。其次是英睿达MX300拥有10GB的SLC缓存区域，这个数值刚好是SSD各种测试软件的数据包大小的极限值，不得不说很机智。东芝TR200拥有3.2GB SLC缓存区域，其余的西部数据3D版本，闪迪至尊高速，三星850EVO都只有3GB缓存区域，英特尔固件不稳定，数据一直跳动。

PCMark8 综合性能模拟测试

通过PCMark8可以测试SSD的综合性能，在测试中，会使用测试SSD依次打开并运行以下应用软件：World of Warcraft，Battlefield 3，Adobe Photoshop light，Adobe Photoshop heavy，Adobe InDesign，Adobe After Effects，Adobe Ilustrator，Microsoft Word，Microsoft Excel，Microsoft PowerPoint，在使用过程的速度以及打开时间进行统计，并以分数形式表示结果。

示例：英特尔的测试结果如上，PCMark8测试存储带宽为193.35MB/s，测试所有应用软件使用的总基准时间为68.2分钟，分数为4890分。

PCMark8测试存储带宽数据以及测试所有应用软件使用的总基准时间记录如下：

PCMark8测试存储带宽

PCMark8测试所有软件总基准时间

完成所有应用软件测试所用时间最短的是英睿达BX300系列，而速度最快的则是三星850 EVO。

我们将7款SSD全部测试完毕，看一下分数。

PCMark8分数排行

在PCMark8评测中，评分最高的竟然是三星850 EVO，英睿达BX300系列以4分的差距紧追其后。

如果是使用在移动笔记本上，功耗无疑是影响续航重要的一环。我们也进行了功耗测试。

功耗测试

我们会测取全速写入时的功耗，此刻的功耗为最高功耗；测取无读取写入情况下的功耗，此刻的功耗为待机功耗；测试4K随即读取时候的功耗，此刻的功耗为日常使用功耗。

最高功率测试

在最高功率测试中，表现最优秀的是东芝TR200，最高功率只有1.25W。

待机功率测试

在待机功率测试中，最优秀的是英睿达BX300系列，待机功率仅为0.05W。

日常使用功率测试

日常使用功率也是最具有代表性的功率测试，日常的移动办公对续航的要求比较高，而则其中的一部分电量消耗则是来自硬盘的消耗。在这个测试中，东芝TR200表现最优秀，日常使用功率只有0.6W，而其余6款均在1W左右。

总结

在日常使用中，240GB~256GB的固态硬盘一般会作为主系统盘，存放系统、常用软件以及游戏文件，而对系统盘的使用主基调是随机4K读写与小文件的读取写入等，大容量数据拷入比较少。对于日常使用体验的影响因素就包括：价格、随机4K读写性能，小文件读写速率、以及PCMark8得分，如果是在移动端，功耗也很重要。

但是根据多方面的综合考虑，笔者故列出一个日常使用推荐榜，该推荐榜以多维度综合考虑，每个角度给予一定的比重，然后计算分数，得出排行。

价格比重为30%：性价比永远很重要。

小数据读写速率比重为30%：包括随机4K读写性能与小文件读写性能，它保证日常的使用体验。

SLC cace为20%：缓存代表着TLC的固态硬盘的缓存容量，代表着它的掉速情况。

PCMark8得分占比为10%：由于PCMark8代表着盘的全面性能，甚至是极限性能，但是普通用户在日常使用中并不会从各个方面各个角度来使用这个盘。

功耗占比为10%：对于移动笔记本来说，续航很重要。

综合参数排行

根据日常使用的各种综合因素来看，综合数据得出推荐榜单。

第一名是英睿达BX300系列，这块盘是美光原厂MLC闪存颗粒，无论是顺序读写，还是4K写入，以及PCMark8跑分，它的表现绝对都是一流水准，当然658元的价格也是所有评测SSD中的第一。

第二名是三星850 EVO，PCMark8跑分第一，各方面的综合性能也是不必多说，它采用的是三星原厂3D V-NAND TLC闪存颗粒，在使用中表现优秀，拥有5年的质保，虽然也会掉速，但是结果在接受范围。

第三名东芝TR200可以说是一匹黑马，作为所有SSD中价格最低的一款，469元的价格比之英睿达BX300便宜了40%，将近半块盘的价格。笔者原本并没有对它有太多期待，但是放在日常使用中，无论是打游戏还是工作，它都能胜任，且表现令人满意。如果是移动端更可考虑，因为它的功耗很低。

大家在选购日常使用的SSD时，这个榜单不妨作为参考。

智能座舱之存储篇第三篇---NAND Flash 一眼就看明白了

百家争鸣谁为先 7款主流3D NAND固态硬盘横向评测

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