国产存储正当时，大华C900 PRO固态硬盘首测

近年来，存储国产化随着数据时代的来临，正逐渐成为上到国家下到厂商，一致的期盼和攻坚方向。尤其是在成功的将显示面板行业实现国产化后，其中积累的大量“从引进来到走出去”的实战和理论经验，使得存储国产化的步伐和速度，肉眼可见的在加快。

大华C900 PRO 固态硬盘

一大波国产存储品牌开始登上舞台，从原厂颗粒到主控芯片，从上游渠道再到下游品牌，国产存储化的进程几乎不可阻挡，近日，笔者收到了一款来自大华存储研发的全新C900 PRO 固态硬盘，说起大华存储大家可能不太熟悉，然而其母公司大华股份却大有来头。

■关于大华存储

大华股份，是一家以视频为核心的智慧物联解决方案提供商和运营服务商，全球视频监控市场占有率第二，其业务遍及全球180多个国家和地区，全球员工累计超过16000人；基于视频业务，该公司还延展了机器视觉、视频会议系统、专业无人机、智慧消防、电子车牌、RFID及机器人等新兴视频物联业务，时至今日，已经成为全球领先的智慧物联运营和方案提供商，连续13年荣获中国安防十大品牌，连续13年入选《a&s》“全球安防50强”，大华股份可以说是中国智慧城市建设推荐品牌和中国安防最具影响力的品牌之一。

有着多年安防监控和智慧物联等B端领域的技术积累，大华存储在稳定读写、安全存储乃至数据保护方面都有着先天的行业和技术优势，那么这款全新推出的C端消费级大华C900 PRO 固态硬盘性能表现究竟如何？在技术研发和实际体验上又会有哪些惊喜呢？下面，我们一起来看。

为了更好的更快的了解这款大华C900 PRO 固态硬盘，我们先来总结一下此款大华C900 PRO 固态硬盘主要特性：

1.创新性鲨鱼鳃散热马甲，极速散热稳定性能

2.3500MB/S的最大读取性能，行业顶级水准

3.超大容量的“Max.write”技术，稳定存储更安心

■产品解析：经典“马牌”主控搭配国产闪存

全新C900 PRO固态硬盘，从外观上看，依旧是主流的2280尺寸，单面pcb设计，在硬盘正面集成了主控芯片，闪存颗粒以及外置缓存芯片，三大主要元器件。

主流的2280尺寸

从缺口上看，支持NVMe传输协议，在性能方面应该会有着不错的表现。

关键的元器件方面，主控采用的是Marvell（俗称“马牌”）旗下编号为88SS1092主控芯片，这是一款定位于旗舰的主控芯片，支持PCI Express Gen 3 x 4 主机接口，8通道设计，支持Marvell第三代LDPC技术，具有更高的稳定性和可靠性，同时它还支持 15/16 nm技术的MLC/TLC 以及3D NAND闪存，采用先进的ECC方案，能够进一步提升固态存储产品的耐用性。

88SS1092主控

在主控内部集成了大华存储称之为“Max.write”技术，也就是我们常见的slc缓存技术，然而和普通的slc缓存技术不同的是，大华存储的“Max write”技术，能够智能的根据存储任务和工作负荷，进行slc缓存容量的分配，同时搭配1TB标配的340GB超大slc缓存区间，让用户能够体验到迅捷存储带来的畅爽体验。

3D TLC闪存颗粒

在闪存颗粒上，则是采用业界主流的3D TLC闪存颗粒，单片容量达到512GB，共两片。

外置缓存上，1TB版本上标配容量为1GB的缓存芯片。

除了固态硬盘本身，大华C900 PRO还随机附赠了具有特殊鲨鱼鳃设计的散热马甲，能够显著降低固态硬盘工作时的产品温度，为C900 PRO的稳定传输，提供保护。

鲨鱼鳃散热马甲

“马牌”主控（即Marvell主控），搭配国产3D TLC颗粒，以及鲨鱼鳃散热马甲，大华存储在产品设计和核心元器件采购上还是十分具有诚意的，接下来我们将通过连续性能、4k随机性能、以及全盘稳定性三个维度进行性能测试，一探大华C900 PRO的真实效能。

■性能测试：最大连续性能3400+MB/S

在连续性能测试方面，我们将采用CrystalDiskMark和Txbench两个软件进行对比验证测试，用以展现C900 PRO的真实连续性能。

连续性能测试

CrystalDiskMark是一款来自日本的老牌硬盘性能测试软件，它能够在保证了连续读写、512KB和4KB数据包随机读写性能，以及队列深度（Queue Depth）为32的情况下的4K随机性能等常规测试外，还在队列设置，性能描述，以及测试数据块选择上都进行了优化，更符合当下硬盘的测试需求。

CrystalDiskMark测试

在CrystalDiskMark测试中，大华C900 PRO的最大连续读取速度达到3423.5MB/S，最大连续写入速度则是1918.3MB/S，在PCIE3.0时代，这样的性能已经接近行业天花板水准了，下面我们接着通过Txbench进行对比验证测试。

Txbench，同样也是一款经典的硬盘性能测试软件，该软件能够从不同队列，不同数据块进行存储性能的测试，进而更加真实的模拟日常存储应用场景，对于磁盘的真实性能具有一定参考意义。

Txbench测试

在Txbench测试中，大华C900 PRO的成绩依旧稳定在最大连续读取3408MB/S，最大连续写入1914MB/S，和此前CrystalDiskMark测试相差不到5%误差，由此可见大华存储C900 PRO的连续性能，应该稳定在最大连续读取3400MB/S，最大连续写入1920MB/S左右。

这样的连续性能，可以算得上是行业第一梯队的成绩，能够满足绝大部分用户，高负荷的存储需求，轻松应对电竞游戏，后期处理等多样的应用场景。

4K性能测试

4K随机性能决定了产品在日常复杂的应用场景中的实际体验，在一定程度上更能反映出产品的实际性能。

在4K随机性能测试中，我们将使用AS SSD Benchmark进行测试。

4K随机性能测试

在4K随机性能测试中，大华C900 PRO的表现也相当不错，270,000+iops最大随机读取，以及260,000+iops最大随机写入成绩，能够应对高负载用户对于随机性能的需求。

全盘稳定性测试

全盘稳定性方面，我们采用hd tune pro进行测试，所谓全盘稳定性其实指的是在将全盘空间完全写满过程中，固态硬盘的写入性能的变化波动，通过这个波动，我们可以朴素的评价一款固态硬盘在实际存储过程中，尤其是面对高负荷大容量数据量时的性能表现。

我们将基准写入量设定为1024GB，通过hd tune进行一次全盘数据写入,观察大华C900 PRO写入过程中的性能波动。

hd tune全盘稳定性测试

通过曲线波动，我们可以看到在整个全盘写入过程中，大华C900 PRO基本保持在一个相对稳定的区间中，没有发生较大范围的性能波动，从侧面说明，此款大华C900 PRO有着相当不错的稳定性，在面对高负载存储压力时，还是十分值得信赖的。

■总结：国产存储大势已来 大华存储破局之路

作为新入局的国产存储品牌，大华C900 PRO的综合表现还是让人十分满意和欣慰的，无论是在核心元器件的选择，还是具体的性能表现上，大华C900 PRO都展现了作为领先的安防监控和智慧物联企业，在技术和产品上的经验积累和先发优势。

国产存储大争之世

随着越来越多的中国企业开始进行国产化存储的探索之路，属于国产存储厂商的时代即将到来；笔者相信，大华C900 PRO的诞生只是大华存储的初步试探，唯有坚持创新，性能为王，大华存储方能在未来的国产存储角逐战中，占据高地，成就自我。

UFS 30快到原地飞起 关于存储的二三事

上月底，微电子行业标准发展的全球领导者——固态技术协会JEDEC发布了UFS v3.0标准，单通道带宽提升到11.6Gbps，是HS-G3(UFS 2.1)性能的2倍。而由于UFS支持双通道双向读写，所以UFS 3.0的接口带宽最高可达23.2Gbps，也就是2.9GB/s。

UFS 3.0快到原地飞起 关于存储的二三事

前几天这条新闻见诸各大科技媒体，但不少朋友都看的一脸蒙圈：UFS3.0是什么鬼？23.2Gbps的带宽在手机上意味着什么？UFS3.0都用啥用？用在手机上会给我们带来哪些提升？所以本期发烧学堂，我们就来聊聊UFS 3.0存储技术，给大家答疑解惑。

从UFS说起的手机存储

某品牌发布会上，台上说：我们用的是UFS2.1存储！

旁边大哥一声尖叫吓我一跳。我跟该大哥搭话——

我：我说大哥你尖叫个啥，不会是厂商花钱雇来的托儿吧？不就是个存储么？

某大哥一脸鄙夷：听说过固态硬盘SSD不？着UFS就是手机上的SSD！传输速度更快！

我：那为啥叫UFS不叫SSD？不就是更快么，有个X用？下小电影会更快么？

某大哥瞬间脸色变黑......

（PS：别学我，容易没朋友）

其实这大哥说的没错，现在的UFS存储确实要比以前的eMMC存储传输速度更快。但为啥更快？它们之间又有哪些区别？手机存储经历了哪些发展？我们一起来梳理一下：

eMMC和UFS都是个啥？

准确的说，应该是技术标准，而不是芯片硬件本身。由于存储芯片在封装时运用了这些技术标准，所以习惯上都会用这些字母缩写来称呼这些芯片的类型。

eMMC全称为“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒体存储卡 ，由MMC协会所订立。从eMMC4.3一路发展到4.4、4.5直到现在的5.0、5.1，传输速度也从50MB/s一路狂飙到最新eMMC5.1的600MB/s，而常见于手机上的eMMC5.1实际读取速度不会超过300MB/s。

由于单通道的结构性质，eMMC不能同时读写数据，不支持多线程，想提升这种存储单元的性能，只有不断改进eMMC的总线接口，也就是我们刚才说的eMMC的版本升级。这也注定了eMMC存储不会有太高的提升空间。

两种标准的通道区别（图片引自网络）

UFS全称为“Universal Flash Storage”，即通用闪存存储 ，由固态技术协会JEDEC订立。相比于eMMC，其优势就在于使用高速串行接口替代了并行接口，改用了全双工方式，收发数据可以同时进行。

之前厂商们大力宣传的UFS 2.0规范分为两种，强制标准为HS-G2，可选标准为HS-G3。HS-G2 1Lane最高读写速度为2.9Gbps（约为360MB/s），2Lane最高读写速度为5.8Gbps（约为725MB/s）。可选标准HS-G3 1Lane最高读写速度为5.8Gbps（约为725MB/s），2Lane最高读写速度为11.6Gbps（约为1.45GB/s）。

UFS 2.1的闪存存储标准速度标准没有任何变化，主要是在设备健康、性能优化、安全保护三个方面进行了升级。

在文初我们说的UFS3.0在这一个基础上再次升级，带宽是UFS 2.1的2倍，理论的接口最大带宽为23.2Gbps，即传输速度为2.9GB/s。相比于最新eMMC5.1标准，理论上有着接近5倍的性能优势。

苹果用的是哪种协议的存储？

我们经常会听到这样一个说法，苹果的存储特别特别快，所以手机流畅。那么iPhone用的是UFS吗？其实并不是。从iPhone 6s开始，苹果在手机上用的是使用NVMe(Non-Volatile Memory express)接口协议 ，这种协议在电脑的SSD上比较常见。

在当时，iPhone 6s的闪存实际性能就达到了连续读取速度402MB/s，连续写入速度164MB/s的水准。发展到iPhone 8这一代，性能也有了进一步的提升。iPhone 8 Plus实测读取速度为1131MB/s 。而目前除了少数国际旗舰的UFS2.1读取速度能达到1100MB/s以上外，主流安卓机上用的UFS 2.1实际读取速度一般700MB/s出头 ，所以大多读取性能不如iPhone也理所当然。

不同类型的存储价格差异大吗？

既然UFS存储的性能这么牛X，那是不是比eMMC贵上很多？还真不是，其原因要从存储芯片的封装说起。

不同标准的存储价格（数据来源全球半导体观察网）

我们提及存储时，都在说有多大多大容量，事实上，手机储存容量、固态硬盘、U盘和SD卡等使用的都是一种叫做NAND的储存介质，NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。我们刚才所说的存储，都是在NAND存储芯片的基础上，再加上了控制芯片，接入标准接口，进行标准封装而成的。

这样封装的好处就在于可以使结构高度集成化，而且当手机客户选用封装好的存储芯片进行手机硬件堆叠时，不需要处理其它繁琐的NAND Flash兼容性和管理问题。

之前苹果的存储内存混用一事闹得沸沸扬扬，其原因就在于NAND闪存颗粒也有不同。根据单元存储密度的差异，闪存分为SLC、MLC、TLC三种类型：

SLC（单层式存储） ，单层电子结构，写入数据时电压变化区间小，寿命长，读写次数在10万次以上，但造价高。

MLC（多层式存储） ，使用高低电压构建的双层电子结构，寿命长，造价可接受，读写次数在5000左右。

TLC（三层式存储） ，是MLC闪存延伸，存储密度最高，容量是MLC的1.5倍。 造价成本最低，但使命寿命低，读写次数在1000~2000左右。

所以，采用eMMC和UFS标准虽然对价格有一定影响，但并不是所有原因，还要看闪存颗粒的类型。据悉，采用UFS3.0标准的存储芯片价格会更高一些。当然，苹果的NVMe接口协议的存储芯片价格也不低。

传输速度会给我们带来哪些影响

说可这么多，相信大家最关心的问题还是存储芯片的传输速度会给我们带来哪些影响。其实这个问题不难回答。相信给电脑加装过SSD的朋友都会有这样的体验：以前机械硬盘开机少说也得三十多秒，用了SSD后，开机时间不到10秒了；加载大型游戏能够明显感觉快出很多。在手机上用高速的存储芯片道理是相同的，就是让手机加载更快。

举个大家都有认知的例子：同时代的iPhone游戏加载速度回明显优于安卓手机，其中原因除了处理器性能和软件系统优化外，很大一部分原因就来自于苹果NVMe接口协议存储芯片的高读取速度。当然，得益于此的还有应用的加载速度。

喜欢用手机拍照的朋友，在以前肯定都有这样的烦恼：拍照时手机反应慢，按快门后得等很长一段时间才能拍摄成功；手机里存的照片太多，照片加载特别慢，稍微一滑动手机就会卡到爆。其原因除了手机处理器和软件的优化外，就是因为存储的写入和读取速度太慢造成的。

所以，在不考虑处理器和软件的情况下，存储拥有了更高写速，拍照片就可以更快响应。另外，也允许了像素更高、帧数更多的视频录制；存储读速更高，多张照片和超高质量视频加载得就更快，操作和播放的卡顿就更少。

另外，相比于eMMC，UFS的优势还在于采用了全双工方式，收发数据可以同时进行。打个比方来说，eMMC就相当于一条只允许一辆车经过的通道，对面的车要等通道内的车出来以后才能进入通道。而UFS则是双向车道，允许来往车辆同时运行。即用UFS存储的手机在执行多任务时，无需等待上一进程结束，效率自然提升不少。

那么UFS3.0会给我们带来什么？

刚才提到有更快的加载速度、允许画面质量更高、帧数更多的视频拍摄和播放。除了这些，还能给安卓手机带来什么呢？

首先，UFS 3.0的接口带宽最高可达23.2Gbps，也就是理论传输速度可达2.9GB/s。当然实际速度会有所折损，但应该不会低于2GB/s，这就远远高于iPhone 8 Plus实际读取速度1131MB/s。所以如果苹果的存储方案没有大幅度升级的话，下一代产品将被采用UFS3.0存储的手机超越，iPhone在游戏加载速度上将不具有优势。

我们即将进入网速更快的5G时代（图片来自网络）

另外，我们也将进入5G时代。5G网络最高理论速率可达20Gbps，也就是2.5GB/s左右，按照理论数据一瞬间就可以下载一部高清电影。但问题就在于市面上的手机存储芯片都没有这么高的写入速度。所以，以后制约下载速度的将不再是网速，而是存储。UFS3.0的大带宽显然与5G的高网速更般配。

但近一年内，UFS3.0应该不会投入手机市场。因为麒麟970、骁龙845、Exynos9810等研发较早，暂时没有信息证明这三款旗舰处理器支持UFS3.0标准，所以大概只有等到2019年才能在手机上见到。

写在最后

看到这里，相信大家已经对手机存储有了一定的了解。最后，我们来说一下如何鉴别储存芯片类型：下载一款名为AndroBench，进行速度测试。

标准顺序读取（Sequential Read）MB/s顺序写入（Sequential Write）MB/s eMMC 5.1250 125 eMMC 5.0 250 90 eMMC 4.5140 50

eMMC实际测试参考数值

eMMC速度可以参照表格，一般来说顺序读取速度不超过300MB/s的芯片均为eMMC标准芯片。现在见于主流机型上的UFS标准芯片顺序读取速度在700MB/s左右。当然，如果你碰到顺序读取速度到1100MB/s，那可以说该手机厂商十分良心了。

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