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慧荣nand股价 AI仅部分“捂暖”存储行情，但已在深刻改变竞争逻辑

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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AI仅部分“捂暖”存储行情，但已在深刻改变竞争逻辑

占集成电路约三分之一的存储芯片被认为是半导体市场的晴雨表。AI催化、消费电子行情低迷两股力量拉扯下，存储行情近期走出了分化。

近日接受第一财经记者采访时，头部NAND Flash主控芯片厂商慧荣科技终端与车用存储业务群资深副总段喜亭表示，因AI需求推动，上半年数据中心需求非常火热，一方面需要HBM（高带宽内存）将数据快速交给处理器运算，另一方面又需要大容量SSD（固态硬盘）存储大量数据。

HBM由多个DRAM颗粒（动态随机存储器）堆叠而成，几乎是高性能AI芯片的刚需，最早被AI催化，SSD则由NAND Flash颗粒（一种非易失性存储介质，下称闪存）制成，两种颗粒占据了最主要的存储芯片市场。但在可见的数据中心火热需求下，市场需求其实分配不均。段喜亭告诉记者，上半年原厂闪存颗粒价格持续上涨，消费电子终端价格却出现脱节。其背后，消费终端零售市场需求非常惨淡，要靠数据中心的需求弥补来支撑原厂闪存颗粒涨价。这种情况下，下半年闪存颗粒能涨多少还需观察。

在冷热的两端，一边是DRAM厂商火热扩产HBM、NAND Flash厂商推动价格回涨，另一边消费电子“寒潮”未完全退去。市场需求青黄不接之际，另一些由AI带来的深刻变化正在发生。

存储行情冷热不均

行情上看，HBM需求仍在走高。据SEMI（国际半导体产业协会）近日报告，来自晶圆厂设备部门的销售额预计将在2024年增长2.8%，达到980亿美元，高于此前预测，原因包括业内大量投资DRAM和HBM。

几大DRAM厂商仍在比拼扩产。SK集团近日表示，旗下半导体子公司SK海力士计划到2028年投资103万亿韩元，其中约80%的金额将用于投资HBM。另有消息称，美光正在美国建设HBM测试产线与量产线，计划在2025年将HBM市占率提高至20%左右。

记者了解到，扩产已逐渐缓解HBM产能紧缺的状况。“HBM技术迭代速度非常快，下半年主要集中在HBM3e的需求上。总体来看，HBM依然处于供不应求的状态。但在搭载HBM3的英伟达H100芯片中，已经观察到其周期收敛至一个季度的趋势。” TrendForce集邦咨询分析师王豫琪告诉记者。

不过，HBM之外，存储行情存在分化。因AI训练等环节需存储大量数据，闪存产品在数据中心的需求也有所增长，但闪存另一大应用领域消费电子仍显疲态。据IDC数据，今年第二季度全球PC出货量同比增长3%至6490万台，第一季度全球智能手机出货量同比增长7.8%至2.89亿台，但两者出货量均不及2022年同期。

需求反映至闪存颗粒价格。“上半年闪存颗粒价格拉升得非常快，数据中心所需产品供不应求。但目前看，下半年消费电子终端零售市场还是不够好。闪存原厂是不是会继续涨价，要看数据中心下半年还有多大动力购买存储产品。我认为下半年闪存颗粒涨价幅度会收敛，但还不确定会收敛多少。”段喜亭告诉记者。

从现货闪存颗粒价格看，TrendForce集邦咨询分析师敖国锋则告诉记者，闪存原厂经历去年大幅亏损后，今年首要目标是实现或增加盈利，尤其在今年产能未大幅扩张的情况下，闪存价格持续上涨。但由于现货市场需求不佳，现货价格并未像原厂价格那样积极上涨。

集邦咨询预测，第三季度Enterprise（企业）SSD受惠于AI扩大使用，但消费电子需求持续不振。预测NAND Flash均价涨幅将从第二季度的15%~20%收敛至第三季度的5%~10%。

虽未直接生产存储颗粒，国内多家企业业务也与存储系统、存储模组、SSD等相关。经历行情回暖的上半年并面对需求未完全确定的下半年，闪存相关厂商的业绩和股价有所反应。

从业绩看，同有科技、佰维存储近日预告了今年上半年净利润同比扭亏，分别预计盈利0.4亿元~0.52亿元和2.8亿元~3.3亿元，江波龙也预告上半年同比扭亏，盈利5.2亿元~6.1亿元。从股价看，同有科技、朗科科技、江波龙和佰维存储今年年初都曾有过一波股价拉升，年内盘中股价高点分别定格在3月、3月、4月和7月初，但高点后，股价便持续波动或有所下滑。

AI改变了行业竞争

数据中心和消费电子终端都面临AI算力消耗带来的能源问题。使用电池且无法如数据中心一样采用液冷等辅助方式的消费电子终端，对存储产品的功耗要求更加严格。段喜亭告诉记者，AI的“风”要从数据中心“吹”到消费终端设备面临三大挑战，包括控制终端能耗、缩小大语言模型和降低成本。

存储厂商的竞争已从更快数据传输速度、更大存储容量“打”到了更节能。记者近日从三星电子了解到，三星在联发科下一代天玑移动平台完成了其最快的LPDDR5X DRAM验证，该产品便突出了能耗降低对具备AI功能的移动设备的适应。闪存和SSD厂商铠侠此前告诉记者，铠侠在推进大容量的同时也会发力低功耗、省电。铠侠本月开始送样的2TB四级单元（QTC）存储器也强调了功耗表现和对AI场景的适应。

节能的要求对闪存产品主控芯片厂商而言，一定程度上则成为高制程的比拼。不同于通过3D堆叠提高存储密度、不太强调先进制程的存储颗粒，闪存产品上还有一颗需要依靠制程进步提升性能的主控芯片。记者了解到，应AI场景的高性能和低功耗要求，这颗主控芯片也开始迈向高制程。

“以前我们评估主控芯片好坏主要看速度，但在AI时代，我们看的是单位瓦数里的数据传输速度。这对主控芯片厂商来说构成了更高门槛。我们最新推出的产品已经用到台积电6nm EUV制程。进入6nm乃至5nm、3nm，厂商投资将会非常巨大，行业竞争门槛更高了。”段喜亭告诉记者，英伟达AI芯片迭代速度基本是一年推出一颗，闪存主控芯片与之相似，迭代速度加快后，主控芯片厂商需要考虑自身是否有足够的财力持续进行研发投资。

“为满足AI服务器对节能和散热的要求，越来越多厂商开始采用6~12nm制程开发SSD主控。这不仅大幅提高了开发资金的门槛（预计开发6/7nm制程所需资金约为2千万~3千万美元），同时也使研究技术变得愈加复杂。这些因素将会拉大主控厂商之间的竞争态势。” 敖国锋也告诉记者。

不论是服务器还是消费电子终端，为适应AI工作负载而使用更快的HBM、更大容量的闪存产品和先进制程的闪存主控芯片都可能拉高成本。市场研究机构TechInsights近日报告就指出，AI将推动芯片平均价格上涨。

虽然闪存颗粒下半年是否继续涨价存在不确定性，但受益于AI对先进制程芯片的强劲需求，代工龙头台积电涨价似乎更具确定性。台积电今年6月便传出针对部分先进制程芯片涨价。业内人士告诉记者，台积电涨价是基于在先进制程领域的定价权，在竞争压力较大的成熟制程领域不太敢明显涨价，而先进制程涨价目前还没看到停下来的迹象。

(本文来自第一财经)

头部存储厂集体扭亏，后市怎么走？

作者丨骆轶琪

编辑丨朱益民

图源丨图虫

经历了多个季度亏损之后，全球头部存储大厂终于陆续迎来扭亏。

21世纪经济报道记者综合梳理发现，头部国际存储大厂基本在2022年四季度开始，存储相关业务出现亏损，在2023年四季度开始，SK海力士率先迎来盈利，今年一季度，美光、三星等厂商也实现扭亏为盈。

这也与本轮存储周期的特征有关。

多名业内人士告诉记者，本轮存储周期的拐点并非单一来自下游市场复苏，而更多是由上游存储供应商（前述头部厂商为代表），通过强势减产，加速拉动市场进入供需关系改善阶段；此后则是通过拉动单价上涨，逐渐实现盈利改善。这是与既往存储周期波动的较大不同。

历史上，三星一贯通过采用“逆周期”投资的方式，在下行周期大局投资扩产，才在一次次竞争中突出重围，成就今天的存储霸主地位。但如今，随着三星开启减产，才真正拉动存储产业开启“止血”之路，推动存储产业至今逐渐回归正向成长曲线。

生成式AI虽然在驱动HBM之外的更多存储类产品需求增加，但由于当前全球手机和PC需求在以较为温和的速度恢复，因此其还难以单一维度对存储带来较大提振，头部厂商更多还是致力于拥抱AI服务器相关需求。

接下来要担心的命题则是存储价格过快上涨。 深圳市闪存市场资讯有限公司总经理邰炜就认为，存储行业从去年三季度开始，价格迎来全面反弹。叠加今年一季度再次大涨，预计今年后续三个季度的价格将保持平稳向上趋势。“当然我们也呼吁，过高过快涨幅将严重影响终端产品线的规划、打击容量扩充积极性，也不利于产业整体健康稳定发展。”

陆续扭亏

率先实现扭亏的SK海力士，有赖于其在HBM市场迅速放量。

财报显示，2023年三季度，SK海力士的DRAM业务在经历两个季度亏损后开始实现盈利，其中HBM和DDR5是其中较大业绩支撑。在2024年一季度，NAND Flash业务也进入盈利状态，这主要源于eSSD（企业级固态硬盘）的贡献。

一季度SK海力士实现收入12.43万亿韩元，同比增长144%、环比增长10%；经营利润为2.89万亿韩元，环比暴增734%，前一年的2023年一季度，其经营利润还是亏损3.4万亿韩元。

（SK海力士在2023年四季度开始整体扭亏，图源：公司官网）

值得注意的是售价趋势。财报显示，仅今年一季度，SK海力士的DARM类产品ASP（平均销售价格）环比上涨超过20%；NAND Flash类产品ASP环比上涨30%以上。 此前一季度也有类似较高的提升表现。

具体到各类型主要终端市场，PC部分在2024年上半年预计相对疲软，在下半年则受益于企业级需求的支撑，其中AI PC和Windows10相关产品将推动换机需求和存储容量扩充。手机市场除了一些具备AI功能的旗舰类手机，整体需求相对温和，接下来更多搭载AI功能和软件的手机新品发布，将推动下半年对相应存储容量和换机的新需求。

（SK海力士两大类产品类型的ASP均在快速环比上涨）

服务器市场随着AI技术发展重点从训练转向推理，将持续受益于AI服务器的强劲支撑，且此前2017—2018年对云计算数据中心服务器的庞大投入将逐渐进入更换阶段。

三星旗下业务线较多，具体到与存储相关的DS半导体业务部门来看，三星在连续四个季度亏损后，今年一季度迎来扭亏，实现经营性利润1.91万亿韩元。 公司方面指出，在DDR5的稳固需求和生成式AI对相应存储产品的需求支撑下，价格持续上涨、需求强劲。

展望第二季度，三星方面认为，预计AI将驱动相关存储需求持续成长，包括传统服务器和闪存产品；有赖于主要移动端客户的持续出货，预计移动类存储产品需求将保持稳定。不过在产品组合方面，三星将倾向于将更多产能分配给服务器相关存储，而非PC和移动终端相关产品。 预计将在二季度实现HBM3E 12H DRAM、基于1bnm 32Gb DDR5的量产。

预计2024年全年，考虑到更多生成式AI功能将被应用在终端中，预计PC和手机的相关存储需求将较为强劲。

5月以来，偏中游端的存储主控芯片厂商陆续发布业绩，显示开始进入快速成长阶段。

慧荣科技2024年第一财季实现营收1.89亿美元，环比减少6%、同比增长53%。第一季毛利率45%。SSD控制芯片营收环比成长5%、同比成长35%—40%；eMMC/UFS控制芯片营收环比减少10%—15%，同比大幅增加235%—240%。

慧荣科技总经理苟嘉章表示，Client SSD控制芯片营收已连续四季成长，动能来自终端市场需求稳定，以及与各大NAND厂合作案规模增加。考虑到年初的强劲表现和持续增加的未出货订单，公司决定调高全年财测。 预估2024年第二季营收将介于1.99亿—2.8亿美元之间，环比成长5%—10%，同比增加42%—48%。2024全年营收将在8—8.3亿美元间，同比成长25%—30%。

群联电子5月10日发布的财报显示，2024年第一季公司实现合并营业收入净额为新台币165.26亿元，环比增加4.9%、同比增加64.0%；净利为新台币24.20亿元。

4月合并营收新台币51.56亿元，同比增长53%，为历史同期次高；累计1—4月营收达新台币216.82亿元，同比增长61%，也创历史同期次高；1—4月的储存位元数总出货量年增率达63%，刷新历史同期新高。

大陆A股公司有类似趋势。记者梳理发现，大陆营收规模最大的存储厂商江波龙、德明利在2023年第四季度实现扭亏、佰维存储在2024年一季度扭亏。在产业链进入正向发展周期和AI需求驱动下，相关公司的股价近期也有较好表现。

喜忧参半

进入2024年，在市场普遍对多类型终端报以“温和回暖”的预期之下，存储行业迎来新发展周期，其中最大的动能将来自AI大模型普及。

但同时，由于存储价格的涨幅已经超出部分业内人士预期，行业开始出现新的担忧，即如果价格过快上涨，恐怕将一定程度抑制终端市场的需求。

群联电子执行长潘健成就在财报发布时指出，NAND原厂自2024年第一季开始已恢复正常获利，因此目前NAND市场价格如果趋于稳定，对整体NAND产业的供需将比较健康；反之，如果NAND市场价格在短期内急速上升，将可能抑制终端系统用户的NAND储存容量，而造成泡沫化。

他进一步分析，NAND原厂在短期内推升市场价格，的确对消费型NAND储存需求有所影响；不过群联广泛布局NAND储存应用在如工控系统、电竞主机、车载应用、企业级SSD等领域，且近期扩大推广群联独家专利AI方案，均有效提升群联在各种“非消费型”应用的市占率及贡献度。

第三方机构闪存市场认为，随着利润恢复，存储厂商对提高市场份额的诉求也会逐渐增加，那么从2024年二季度起，存储原厂在市场价格策略上将会出现一定的分化。

（三星DS半导体类业务在今年一季度实现扭亏）

根据该机构了解，在存储价格上涨预期下，目前已经出现部分终端厂商下修出货预期以及在部分型号上采取降配策略；现货市场二季度倒挂情形愈发严重，归根结底还是需求尚未复苏。 在服务器方面，北美需求强劲大客户已经开始抢单，但国内市场境遇大不相同，在保有一定库存的情况下对二季度的采购十分谨慎。因此接下来，市场依然面临原厂坚定拉涨价格和消费终端备货需求放缓、供需预期分化的市况。

当然这并不意味着存储价格应当就此停滞，毕竟此前在高库存阶段，存储产业链厂商也曾大力压价以驱动清理库存。有业内人士对21世纪经济报道记者分析，目前存储器的价格尚未处在前一个周期的顶峰水平。只是当前上涨速度略快。

当然，挖掘面向AI大模型的存储需求成长空间，是厂商均在努力的方向。

通常情况下，在终端侧运行大模型更多依赖于运行内存DRAM，看似这与NAND Flash闪存没有直接关系，但越来越多闪存厂商指出，正在为此找寻新机会。

这一方面来自DRAM+NAND Flash原本是相互依存的产品类型，自然会拉动一定闪存需求提升；另一方面则是从技术层面提出更多诉求。

慧荣科技终端与车用存储（CAS）业务群资深副总段喜亭对记者分析道，“LLM（大语言模型）最开始在云端运行，要落地到终端侧，首先要精简和轻量化LLM模型，目前轻量化中很多用到DRAM存储，但这种方式成本很高，慧荣就在思考如何强化SSD（一种NAND闪存）的角色。”

他续称，如何推动NAND从被动式存储进阶到主动式存储，从而令闪存成为AI成本架构破坏式创新的一部分成为NAND厂商发力的关键。“如何强化AI生态圈、优化闪存能力，将DRAM要承担的成本转移到SSD来，降低整体BOM成本，才能让AI大模型真正普及，否则就会令这一进程进展缓慢。慧荣已经有方案在做了。”

这意味着面向生成式AI浪潮，存储产业链的技术和生态竞赛也在陆续开启。

SFC

本期编辑刘雪莹金珊实习生苏锦宜

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