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固态没有nand写入 纳米技术走到尽头?为什么你买的固态硬盘不再标注闪存制程信息
发布时间 : 2024-10-07
作者 : 小编
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纳米技术走到尽头?为什么你买的固态硬盘不再标注闪存制程信息

在我们打开一个固态硬盘的产品信息页面时,总是能看到"采用3D NAND闪存"这样的介绍。大家是否想过,为什么3D结构会取代制程微缩成为闪存的发展方向?

15nm制程成为2D与3D闪存的分水岭,在15nm之后闪存不再像CPU那样继续向更先进的10nm、7nm制程迈进。是什么样的原因使得更先进的半导体制程与NAND闪存无缘?现在的3D闪存到底又是什么制程节点制造的?

TLC转折点

各种闪存新技术的出现,本质上都是为了降低每GB容量的成本。NAND闪存相比内存有一个优势,它在一个单元里可以存储多个比特(bit)的数据。这是制程微缩之外的另一种扩容量、降成本手段。当发展到TLC(3bit/cell)后,遇上麻烦了。

闪存单元的FG浮栅结构就像一个可以存储电子的桶,其中容纳的电子数量会影响到闪存单元的读取阈值电压Vth。在TLC中为了表达3比特数据已经需要用到8种不同的阈值电压,如果发展到QLC的4bit/cell结构,更需要区分出16种阈值电压,这就像蝇头小楷一样难以看清。

电子危机

制程微缩的过程进一步加剧了闪存危机,新制程的FG浮栅结构中能容纳的电子总数不断下降,发展到一个非常危险的水平。下图中的红线是过去BCH纠错技术下的可用界限,除非改变闪存结构,否则制程微缩将难以为继:制造出的闪存单元会因为能够容纳的电子数量太少而极其容易出错。

3D闪存架构提出

3D闪存就是攻城狮们找到的新结构出路。早在2007年,东芝就首次提出BiCS三维闪存结构,成功地解决了当代的发展难题。目前市场上在售的固态硬盘几乎全部使用了3D闪存。

3D闪存并不是简单地把闪存单元从平面堆叠成立体状态,而是涉及了基础的结构变化。下图为东芝BiCS三维闪存与传统平面闪存的结构对比。

最终结果使得闪存单元之间的间隙变大、读写干扰得到降低。同时,Charge Trap取代了传统的Floating Gate结构,有力地提升了闪存单元"抓住"电子的能力,降低了漏电速度。

3D闪存的制程信息

很多地方说3D闪存之所以更耐用,是因为使用了更老的制造工艺。这一点其实只适用于初代的3D NAND,40nm的制程使得初代的3D闪存非常昂贵,没有达到扩容量、降成本的初衷。

尽管闪存原厂都不再透露3D闪存的具体制程信息,TechInsights的分析报告还是给出了我们想要的答案:目前的64层堆叠、96层堆叠技术使用的都是19/20 nm制造工艺。

3D闪存的未来

现在3D闪存已经在固态硬盘当中大为普及,未来还会有4D闪存吗?其实4D概念去年就有闪存厂商提出,不过"4D"只是将闪存中的外围电路拿出来,置于存储单元阵列的下方,属于3D工艺的一个小改进。

目前的主流3D闪存拥有64层堆叠层数,东芝在去年率先宣布96层3D TLC。在即将到来的下个节点是96层堆叠与QLC的结合,东芝的96层BiCS4已实现1.33Tb/die的存储密度,如果以8die封装来计算,每个闪存颗粒就可以提供高达1.33TB的海量存储空间,手机和固态硬盘的容量即将迎来又一次爆发式增长。

SSD的中年体检:致钛PC005 Active 305TBW写入后复查

PCEVA评测过很多固态硬盘,它们当中的大多数在测试结束后就会离开评测室。当然也有一些“幸运儿”会被留用下来,参与到各种测试和应用当中。今年4月初评测的致钛PC005 Active 1TB目前写入量已经达到300TBW了,我们来看看它是否“老当益壮”。

CrystalDiskInfo按照1024进制来显示主机写入量,如果按存储行业通行的1000进制来计算的话,下图中SSD写入的数据量已经超过305TBW。致钛PC005 Active 1TB的标称写入耐久度为640TBW,305TB写入大致相当于已近中年。

作为测试样品,我们对PC005 Active的使用强度是很高的,很多家庭用户等到5年质保期结束也写入不了如此多的数据。从SMART信息给出的健康度信息来看,这块致钛固态硬盘还能用很久。

今天我们将这块“盘到中年”的致钛PC005 Active进行一次“体检”,顺便在HWiNFO64的帮助下测试重负载使用情况的散热和性能。测试平台和4月初评测时相同,均为酷睿i9-9900K和Z390主板,致钛PC005 Active通过PCIe转接卡连接到CPU直连通道。

中年体检:

人到中年多多少少会有一些小毛病,那么写入305TB之后的致钛PC005 Active 1TB固态硬盘是否“雄风依旧”?从CrystalDiskMark测速结果来看,致钛PC005 Active性能保持得很不错:

HDTune文件基准测试结果显示,致钛PC005 Active的SLC缓存容量依然是10GB左右。虽然缓存容量不大,但释放算法比较积极,在日常家用中很少会遇到缓存写爆的情况。

305TB写入后的致钛PC005 Active在PCMark 8存储性能测试得分5084,同全新状态时的成绩相同。

披挂再上阵:

既然性能上没有问题,接下来就要加练一些更高难度的项目了:满负荷压力测试。我们为致钛PC005 Active准备了两副“战甲”。第一个是比较常见的三明治结构,正面有一中等厚度的立体金属散热片、背面是一张平面金属散热片,二者通过金属卡扣结合,将SSD夹在中间:

第二个是在购买SSD的时候一些淘宝商家会直接赠送的简易散热片,它只有一块,并且厚度比较薄,通过橡皮筋固定在SSD上。这种散热片成本比较低,绑带长期使用后容易老化导致散热片脱落,优点是空间兼容性比较好:很多M.2插槽底部高度有限制,上图中的那种三明治散热片就无法安装,只能使用下图中的简易散热片。

温度压力测试方法的跟过去一样,采用IOMeter顺序读取的方式进行。理论上SSD在全速写入时的功耗可能比读取时更高,但写入测试的压力并非恒定,SLC缓存用尽之后写入速度相对较慢,压力有可能反不如全速读取时高。

在27度室温、未安装散热片的初始状态下,满载测试开始52秒后致钛PC005 Active温度读数达到70度,首次发生限速。限速23秒后温度被控制到66度以内,限速解除。但6秒后温度再次达到70度,温度管理机制再次介入,此后的测试过程中温度在68度到70度之间波动,未达到限速解除条件。

接下来是安装简易散热片的情况。首次过热限速发生在测试开始190秒后。温控机制介入27秒后,温度得到控制并出现了持续10秒时长的全速读取过程,直到温度再次达到70度并限速。此后的测试过程可以看到,每次读速恢复前的温控介入时间有延长的趋势。

最后是安装三明治散热片的情况,这次测试开始441秒后温度方才上升至70度并引发限速。从下图可以看到,在大致相等的测试时长内,读取速度的上下波动次数明显比安装简易散热片时更多,说明三明治散热片的散热能力更强,SSD获得更多恢复性能的机会。

上面三个测试是在满载情况下进行的,而SSD在作为系统盘使用的情况下,并不会长期满负荷工作,而是会有大量的空闲时间。接下来我们拆除安装在致钛PC005 Active 1TB上的散热片,以其出厂状态进行实际应用测试。

结合PCMark 8存储测试的RAW Result日志同HWiNFO64全程采集的数据,我们整理了以下实际应用中SSD的活动状态分析。

上面的这张图表和smartmontools的记录都可以确认,在整个PCMark 8存储测试的过程中致钛PC005 Active没有发生过热和限速事件,这是一个好消息!接下来我们分析上面这张图标中的更多深度内容。首先是读写速度,从图中我们可以看到峰值是出现在1247秒时,HWiNFO64记录到1101MB/s读取、1550MB/s写入。而在绝大多数时间内,读写速度都在200MB/s甚至更低的水平上。下图中单独把SSD活动时间拿出来看,100%满载的情况出现过很少的几次,而多数时候SSD活动时间是在60%以内,前面的满载测试只是人为创造了一个极端的使用条件,已经远远地超过了正常使用强度,所以才会有频繁的过热和限速发生。

回到读写速度图表来看,整个PCMark 8存储测试其实可以分成两部分,第一部分(黄色框内)是预填充的准备阶段,耗时主要跟SSD的容量有关。红色框内的第二部分有3个测试循环,每个循环都包括了魔兽世界游戏加载、战地3游戏加载、Photoshop轻度应用、Photoshop重度应用、InDesign应用、After Effects应用、Illustrator应用、Word应用、Excel应用和PowerPoint应用过程中SSD的读写负载。

接下来刨除测试准备阶段的读写记录,只看实际性能测试部分的3个测试循环(对应上图中红框内部分)。在将读取和写入分开统计之后不难看出系统盘IO活动具有读多写少的特点,所以在满负荷压力测试中使用顺序读取而非顺序写入,其实也是比较合理的选择。

写入速度峰值的出现位置对应的正是Adobe设计应用测试的部分,而游戏加载以及Office办公应用的写入强度相对则低得多。

分析完以上内容之后,我们来总结一下本次的测试结果,首先是对致钛PC005 Active固态硬盘的一个肯定:在写入超过300TB的数据之后,它的使用性能同新盘出厂态相比基本没有变化,做到了品质如一。

温度测试方面,M.2 NVMe固态硬盘因为发热集中,在满负荷工作时会出现过热保护现象。“温度墙”是NVMe固态硬盘的一种自我保护机制,当过热时主动限制性能输出来保护NAND闪存的正常工作。除了特殊的工控和车规产品之外,NAND闪存的耐温通常是以70度为上限。当闪存温度达到限制时NVMe固态硬盘就会表现出温度墙现象。

不过从上面我们对PCMark 8存储测试过程的分析可以看到,作为电脑系统盘使用的SSD很少有持续满负荷工作的情况,突发的高负荷读写会推高SSD温度,但很快就会在空闲时间内自然冷却降温。所以实际使用中即便是遇到了过热限速,其持续时间也不长,对整体性能的影响非常有限。如果对一些持续大负荷使用下的性能有疑虑,可以通过加装散热片来解决。而普通家用情况下我们无需担忧SSD的温度水平,智能的温控机制会自动打理好一切。

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