游戏下到nand flash 智能座舱之存储篇第三篇---NAND Flash 一眼就看明白了-行情-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

游戏下到nand flash 智能座舱之存储篇第三篇---NAND Flash 一眼就看明白了

发布时间 : 2024-11-23

作者 : 小编

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智能座舱之存储篇第三篇---NAND Flash 一眼就看明白了

上期内容我们重点说了NAND FLASH本身的一些特殊性，比如写之前要进行擦除，而且存在坏块的可能性性，所以很多车厂在评估NAND FLASH的时候，会评估目前容量的冗余量是多少，要保障有足够多的空间去预防坏块的产生后的数据搬移。

这期内容重点说说NAND FLASH的一些操作特性，怎么进行控制和读取的。这期的内容有点硬核，需要有一些专业知识的人进行阅读，科普类的文章咱们下期继续。

NAND FLASH的硬件特性介绍

上图是镁光 NAND FLASH MT29F1G08ABAEAH4的引脚（Pin）所对应的功能，简单翻译如下：

1. I/O0 ~ I/O7：用于输入地址/数据/命令，输出数据

2. CLE：Command Latch Enable，命令锁存使能，在输入命令之前，要先在模式寄存器中，设置CLE使能

3. ALE：Address Latch Enable，地址锁存使能，在输入地址之前，要先在模式寄存器中，设置ALE使能

4. CE#：Chip Enable，芯片使能，在操作Nand Flash之前，要先选中此芯片，才能操作

5. RE#：Read Enable，读使能，在读取数据之前，要先使CE＃有效。

6. WE#：Write Enable，写使能,在写取数据之前，要先使WE＃有效。

7. WP#：Write Protect，写保护

8. R/B#:Ready/Busy Output,就绪/忙,主要用于在发送完编程/擦除命令后,检测这些操作是否完成,忙,表示编程/擦除操作仍在进行中,就绪表示操作完成.

9. Vcc：Power，电源

10. Vss：Ground，接地

11. N.C：Non-Connection,未定义，未连接。

实际项目的NAND FLASH原理图

上图中我们可以发现有两个地方需要上拉电阻R/B#:、WP#，其他都是CPU同nand flash直接相连接。通过查询flash 的datasheet可以发现，这两个引脚是开漏极输出，需要上拉电阻。

而且可以看到电路设计中WP#引脚一端接上拉电阻，一端通过二极管和0欧姆电阻连接到CPU复位引脚，CPU主芯片平台的复位是低电平复位，WP#引脚是低电平的时候写保护有效，这样做的目的就是，在复位期间，即CPU复位引脚为低电平期间此时WP#引脚也为二极管电压（0.7V）为低电平，为写保护状态，在复位期间，CPU引脚状态不定，容易对flash进行误操作。这样做的目的就是硬件实现在CPU复位期间，flash是写保护状态，不允许写入的。

很多时候掉电产生的擦除数据，导致数据丢失无法开机、无法保存掉电记忆等等问题都可以使用这个方案来对策解决问题。

为何需要ALE和CLE

比如命令锁存使能(Command Latch Enable,CLE)和地址锁存使能(Address Latch Enable，ALE)，那是因为，Nand Flash就8个I/O，而且是复用的，也就是，可以传数据，也可以传地址，也可以传命令，为了区分你当前传入的到底是啥，所以，先要用发一个CLE（或ALE）命令，告诉nand Flash的控制器一声，我下面要传的是命令（或地址），这样，里面才能根据传入的内容，进行对应的动作。否则,nand flash内部,怎么知道你传入的是数据,还是地址,还是命令啊,也就无法实现正确的操作了。

Nand Flash只有8个I/O引脚的好处

1. 减少外围引脚：相对于并口(Parellel)的Nor Flash的48或52个引脚来说，的确是大大减小了引脚数目，这样封装后的芯片体积，就小很多。现在芯片在向体积更小，功能更强，功耗更低发展，减小芯片体积，就是很大的优势。同时，减少芯片接口，也意味着使用此芯片的相关的外围电路会更简化，避免了繁琐的硬件连线。

2. 提高系统的可扩展性，因为没有像其他设备一样用物理大小对应的完全数目的addr引脚，在芯片内部换了芯片的大小等的改动，对于用全部的地址addr的引脚，那么就会引起这些引脚数目的增加，比如容量扩大一倍，地址空间/寻址空间扩大一倍，所以，地址线数目/addr引脚数目，就要多加一个，而对于统一用8个I/O的引脚的Nand Flash，由于对外提供的都是统一的8个引脚，内部的芯片大小的变化或者其他的变化，对于外部使用者(比如编写nand flash驱动的人)来说，不需要关心，只是保证新的芯片，还是遵循同样的接口，同样的时序，同样的命令，就可以了。这样就提高了系统的扩展性。

片选无关(CE don’t-care)技术

Nand flash支持一个叫做CE don’t-care的技术，字面意思就是，不关心是否片选，那有人会问了，

如果不片选，那还能对其操作吗？答案就是，这个技术，主要用在当时是不需要选中芯片却还可以继续操作的这些情况：在某些应用，比如录音，音频播放等应用中，外部使用的微秒（us）级的时钟周期，此处假设是比较少的2us，在进行读取一页或者对页编程时，是对Nand Flash操作，这样的串行（Serial Access）访问的周期都是20/30/50ns，都是纳秒（ns）级的，此处假设是50ns，当你已经发了对应的读或写的命令之后，接下来只是需要Nand Flash内部去自己操作，将数据读取除了或写入进去到内部的数据寄存器中而已，此处，如果可以把片选取消，CE#是低电平有效，取消片选就是拉高电平，这样会在下一个外部命令发送过来之前，即微秒量级的时间里面，即2us－50ns≈2us，这段时间的取消片选，可以降低很少的系统功耗，但是多次的操作，就可以在很大程度上降低整体的功耗了。

总结起来简单解释就是：由于某些外部应用的频率比较低，而Nand Flash内部操作速度比较快，所以具体读写操作的大部分时间里面，都是在等待外部命令的输入，同时却选中芯片，产生了多余的功耗，此“不关心片选”技术，就是在Nand Flash的内部的相对快速的操作（读或写）完成之后，就取消片选，以节省系统功耗。待下次外部命令/数据/地址输入来的时候，再选中芯片，即可正常继续操作了。这样，整体上，就可以大大降低系统功耗了。

NAND FLASH 的读操作详细解读

以最简单的read操作为例，解释如何理解时序图，以及将时序图中的要求，转化为代码。解释时序图之前，让我们先要搞清楚，我们要做的事情：那就是，要从nand flash的某个页里面，读取我们要的数据。要实现此功能，会涉及到几部分的知识，至少很容易想到的就是：需要用到哪些命令，怎么发这些命令，怎么计算所需要的地址，怎么读取我们要的数据等等。

就好比你去图书馆借书，想想是一个什么样的流程，首先得告诉馆长你要要借书还是还书、然后把要借书的位置告诉馆长，最后是把图书卡或者借书证件给馆长，此时就耐心等待要借的书籍了。

下面，就一步步的解释，需要做什么，以及如何去做：

1.需要使用何种命令

首先，是要了解，对于读取数据，要用什么命令。

下面是datasheet中的命令集合：

很容易看出，我们要读取数据，要用到Read命令，该命令需要2个周期，第一个周期发0x00，第二个周期发0x30。

2.发送命令前的准备工作以及时序图各个信号的具体含义

知道了用何命令后，再去了解如何发送这些命令。

Nand Flash数据读取操作的时序图

注：此图来自镁光的型号MT29F1G08ABAEAH4:E的nand flash的数据手册(datasheet)。

我们来一起看看，我在图中的特意标注的①边上的红色竖线。

红色竖线所处的时刻，是在发送读操作的第一个周期的命令0x00之前的那一刻。让我们看看，在那一刻，其所穿过好几行都对应什么值，以及进一步理解，为何要那个值。

（1）红色竖线穿过的第一行，是CLE。还记得前面介绍命令所存使能（CLE）那个引脚吧？CLE，将CLE置1，就说明你将要通过I/O复用端口发送进入Nand Flash的，是命令，而不是地址或者其他类型的数据。只有这样将CLE置1，使其有效，才能去通知了内部硬件逻辑，你接下来将收到的是命令，内部硬件逻辑，才会将受到的命令，放到命令寄存器中，才能实现后面正确的操作，否则，不去将CLE置1使其有效，硬件会无所适从，不知道你传入的到底是数据还是命令了。

（2）而第二行，是CE#，那一刻的值是0。这个道理很简单，你既然要向Nand Flash发命令，那么先要选中它，所以，要保证CE#为低电平，使其有效，也就是片选有效。

（3）第三行是WE#，意思是写使能。因为接下来是往nand Flash里面写命令，所以，要使得WE#有效，所以设为低电平。

（4）第四行，是ALE是低电平，而ALE是高电平有效，此时意思就是使其无效。而对应地，前面介绍的，使CLE有效，因为将要数据的是命令，而不是地址。如果在其他某些场合，比如接下来的要输入地址的时候，就要使其有效，而使CLE无效了。

（5）第五行，RE#，此时是高电平，无效。可以看到，知道后面低6阶段，才变成低电平，才有效，因为那时候，要发生读取命令，去读取数据。

（6）第六行，就是我们重点要介绍的，复用的输入输出I/O端口了，此刻，还没有输入数据，接下来，在不同的阶段，会输入或输出不同的数据/地址。

（7）第七行，R/B#,高电平，表示R（Ready）/就绪，因为到了后面的第5阶段，硬件内部，在第四阶段，接受了外界的读取命令后，把该页的数据一点点送到页寄存器中，这段时间，属于系统在忙着干活，属于忙的阶段，所以，R/B#才变成低，表示Busy忙的状态的。

介绍了时刻①的各个信号的值，以及为何是这个值之后，相信，后面的各个时刻，对应的不同信号的各个值，大家就会自己慢慢分析了，也就容易理解具体的操作顺序和原理了。

3.如何计算出，我们要传入的地址

在介绍具体读取数据的详细流程之前，还要做一件事，那就是，先要搞懂我们要访问的地址，以及这些地址，如何分解后，一点点传入进去，使得硬件能识别才行。

此处还是以MT29F1G08ABAEAH4:E为例，此nand flash，一共有1024个块，每个块内有64页，每个页是2K+64 Bytes，假设，我们要访问其中的第1000个块中的第25页中的1208字节处的地址，此时，我们就要先把具体的地址算出来：

物理地址=块大小×块号+页大小×页号+页内地址=1000×128K+2K×25+1208=0x7D0CCB8,接下来，我们就看看，怎么才能把这个实际的物理地址，转化为nand Flash所要求的格式。

在解释地址组成之前，先要来看看其datasheet中关于地址周期的介绍：

图 Nand Flash的地址周期组成

结合时序图的2，3阶段，我们可以看出，此nand flash地址周期共有4个，2个列(Column)周期，2个行（Row）周期。

而对于对应的，我们可以看出，实际上，列地址CA0~CA10，就是页内地址，11位地址范围是从0到2047，即2K,而多出的A11，理论上可以表示2048～4095，但是实际上，上述规格书中说明当CA11为1时，CA【10：6】都必须为0，所以我们最多也只用到了2048～2112，用于表示页内的oob区域，其大小是64字节。

PA0～PA5，称作页号，页的号码，可以定位到具体是哪一个页。由6个位控制，最多寻址64页，符合规格书中的一块有64页。

而其中，BA6～BA15，表示对应的块号，即属于哪个块,有10个位控制，寻址范围为1024个块。

// 可见：地址的传输顺序是是页内地址，页号，块号。从小到大。

简单解释完了地址组成，那么就很容易分析上面例子中的地址了：

0x7D0CCB8 = 0111 1101 0000 1100 0000 1100 1011 1000，分别分配到4个地址周期就是：

1st 周期，CA7～CA0 ：1011 1000 = 0x B8

2nd周期，CA11～CA8 ：0000 1100 = 0x 0C

3rd周期，BA7～PA0 ：0000 1100 = 0x 0C

4th周期，A27～A20 ：0111 1101 = 0x 7D

注意，上图图中对应的，*L，意思是低电平，由于未用到那些位，datasheet中强制要求设为0，所以，才有上面的2nd周期中的高4位是0000.。因此，接下来要介绍的，我们要访问第1000个块中的第25页中的1208字节处的话，所要传入的地址就是分4个周期，分别传入2个列地址的：0xB8，0x0C，然后再传2个行地址的：0x0C，0x7D，这样硬件才能识别。

4.读操作过程的解释

准备工作终于完了，下面就可以开始解释说明，对于读操作的，上面图中标出来的，1-6个阶段，具体是什么含义。

（1）操作准备阶段：此处是读（Read）操作，所以，先发一个图5中读命令的第一个阶段的0x00,表示，让硬件先准备一下，接下来的操作是读。

（2）发送两个周期的列地址。也就是页内地址，表示，我要从一个页的什么位置开始读取数据。

（3）接下来再传入三个行地址。对应的也就是页号。

（4）然后再发一个读操作的第二个周期的命令0x30。接下来，就是硬件内部自己的事情了。

（5）Nand Flash内部硬件逻辑，负责去按照你的要求，根据传入的地址，找到哪个块中的哪个页，然后把整个这一页的数据，都一点点搬运到页缓存中去。而在此期间，你所能做的事，也就只需要去读取状态寄存器，看看对应的位的值，也就是R/B#那一位，是1还是0，0的话，就表示，系统是busy，仍在”忙“（着读取数据），如果是1，就说系统活干完了，忙清了，已经把整个页的数据都搬运到页缓存里去了，你可以接下来读取你要的数据了。

对于这里。估计有人会问了，这一个页一共2048+64字节，如果我传入的页内地址，就像上面给的1028一类的值，只是想读取1028到2011这部分数据，而不是页开始的0地址整个页的数据，那么内部硬件却读取整个页的数据出来，岂不是很浪费吗？答案是，的确很浪费，效率看起来不高，但是实际就是这么做的，而且本身读取整个页的数据，相对时间并不长，而且读出来之后，内部数据指针会定位到你刚才所制定的1208的那个位置。

（6）接下来，就是“窃取“系统忙了半天之后的劳动成果的时候了，呵呵。通过先去Nand Flash的控制器中的数据寄存器中写入你要读取多少个字节(byte)/字(word)，然后就可以去Nand Flash的控制器的FIFO中，一点点读取你要的数据了。

至此，整个Nand Flash的读操作就完成了。

对于其他操作，可以根据上面的分析，一点点自己去看datasheet，根据里面的时序图去分析具体的操作过程，然后对照代码，会更加清楚具体是如何实现的。

NAND FLASH 搭配NOR FLASH的优缺点

常见的应用组合就是，用小容量的Nor Flash存储启动代码，比如uboot，系统启动后,初始化对应的硬件，包括SDRAM等，然后将Nand Flash上的Linux 内核读取到内存中，做好该做的事情后，就跳转到SDRAM中去执行内核了。

这样的好处是由于NAND 本身有坏块的可能性，所以为了保障启动万无一失，很多要求高级安全的产品，标注必须从NOR Flash启动uboot，而且从NOR启动还有一个好处就是启动速度快，NAND Flash的优点是容量大，但是读取速度不快，比不上NOR Flash，比如一些对于开机速度有要求的产品应用，比如车载液晶仪表，这类产品为了快速启动一般都是NOR FLASH+EMMC的配置，当然像赛普拉斯平台直接上hyperflash那就更快了。

NAND Flash的ECC校验简单说明

我们先来说说为什么需要ECC校验这个事情，其实上一篇文章我们说过由于NAND flash的自身的不稳定性，存在位翻转的现象，所以就存在写入到flash中的数据和读出来的数据不一样的情况发生，此时就需要有一个检验的机制，防止读出来的不正确，还可以纠正过来。

其实这个就类似于去银行存钱，你存了1W，过几天去银行去取钱的时候发现只有9000了，这个时候你就会拿出存条找银行理论，上次明明存的就是1W啊，你少的1000必须跟我纠正过来，其实这个就是NAND flash的ECC检验原理，发现有读出来的数据和存进去的数据不正确，此时就需要去纠正回来，当然这里的纠正的数据是有限制的，不是所有数据出错都能纠正过来。

ECC 校验是在奇偶校验的基础上发展而来的，它将数据块看作一个矩阵，利用矩阵的行、列奇偶信息生成 ECC 校验码。它能够检测并纠正单比特错误和检测双比特错误，但对双比特以上的错误不能保证检测。它克服了传统奇偶校验只能检出奇数位出错、校验码冗长、不能纠错的局限性。每 nbit 的 Ecc 数值可满足 2的n次方bit 数据包的校验要求。

当往Nand Flash 的Page 中写入数据的时候，每256字节我们生成一个ECC 校验和，称之为原ECC校验和，保存到 PAGE 的OOB数据区中。当从Nand Flash 中读取数据的时候，每 256 字节我们生成一个ECC校验和，称之为新 ECC 校验和。

校验的时候，根据上述ECC生成原理不难推断：将从 OOB 区中读出的原 ECC校验和新ECC校验和按位异或，若结果为0，则表示不存在错（或是出现了ECC无法检测的错误）：若3个字节异或结果中存在11个比特位为1，表示存在一个比特错误，且可纠正；若3个字节异或结果中只存在1个比特位为1，表示OOB区出错：其他情况均表示出现了无法纠正的错误。

这两期我们基本上把NAND FLASH的相关设计和使用都完整讲了一遍，下期会讲讲车载DRAM和EMMC的相关内容，敬请期待。

升级固态硬盘有何难，铠侠原厂颗粒SSD从选购到安装

无意中亲友问起一个问题，笔记本升级是不是一定也要买原厂的才能兼容。这明显是不科学的，任意一个品牌的电脑本质都是组装机，因为没有一家科技公司能从CPU、GPU、存储、板卡、功能IC全部自研自产。

X86结构处理器就两家，GPU图形处理器就三家，机械硬盘两家，固态硬盘虽然品牌多，但研发生产NAND颗粒的厂家却屈指可数。

99年大二，去网吧上网之前，俩宿舍的同学给我塞软盘。

“狐狸，看到大唐双龙传更新就给我弄回来”

”看看有啥新ROM出了，除了麻将都给我搞回来“”

“帮我看看TNT显卡有无新驱动”

“S3 Savage 3D用户表示驱动和BIOS都要”

“帮我搞几张新壁纸，不要640X480的，要1024X768以上的”

“师姐的C++作业搞不定，喊你做好把软盘送她那边”

没错，老夫就是20多年前那个带着软盘去网吧的冤大头狐狸。以前我们的移动存储就只有软盘，仅有1.44MB的容量。我们做计算机科目的作业用软盘、保存备份用软盘、去网吧下载用软盘。而且，软盘也会因为灰尘或者其他问题读不出来。

读不出来的解决方法就是，拔出来再试一次、换个软驱再试试、格式化之后再试试，再不行就只能再买一张。

万幸，早在1987年，铠侠的前身东芝公司发表了NAND flash结构，在当时EPROM和EEPROM大行其道的时代，NAND发表可谓是跨时代的。

1991年推出首个4Mb NAND型EEPROM;

1999年开发GB级闪存;2001年推出了全球首款商用1Gb MLC NAND闪存芯片。

没错，铠侠在1999年就有1GB的NAND颗粒，但那东西相信多数人摸不起。1999年多数人的硬盘也就是6.4GB到13B左右，甚至早一点的电脑还是3.2GB容量的硬盘。2000年第一次用U盘仅有8MB，但价格接近于四位数。第一次用上GB级别的U盘是2007年，第一次用上GB级别的存储卡是2008年，第一块固态硬盘是2010年左右买东芝的120GB。

从1987首次发明NAND至今已过去35年。NAND闪存已经从4Mb增加到1.33TB——实现了33.3万倍的增长。当年的120GB东芝SSD早就送亲友做系统盘，但至今还运行着。

可以说，NAND颗粒虽然不如CPU、GPU那样长期在镁光灯下出现，毕竟隔着外壳。但对于整机、数码乃至智能技术的发展的意义并不小。

关于固态硬盘的选择：

对于X86处理器+Windows系统的整机而言，升级、加装固态硬盘是非常轻松的事情。基本上认准接口购买就可以了。

SATA3接口一大一小两段金手指的，小的是接SATA3数据线，大的是电源。无论是台式机还是笔记本，接口都是一模一样，通用的。

如果你的电脑具备M.2接口，不用犹豫直接选择M.2 SSD。因为接口的原因，SATA3理论最大速度就是6Gbps，而哪怕上古的PCI-E界面M.2 SSD都能达到10Gbps，已经接近一倍了；PCI-E 3.0 4X的可以达到32Gbps。PCI-E 4.0的速度还能再翻一番。

虽然说市面上还有PCI-E 3.0版本的M.2 SSD,但更推荐大家直接选用技术更新、速度更快的PCI-E 4.0产品。

能满足PCI-E 4.0要求的，自然需要更好的主控以及更出色更稳定的NAND颗粒，在价格相差不大的时候即使没有PCI-E 4.0插槽，选用4.0的SSD也能获取更好的4k存储性能。

铠侠的PCI-E 4.0 M.2 SSD分为两个系列，分别是SE10系列和SD10系列。上图的是高端的SE10系列，传输速度达到了7300MB/s属于PCI-E 4.0的T0梯队产品，适合高端玩家以及需要4k、8K超高清分辨率视频编辑大咖的需求。

铠侠EXCERIA PRO SE10 SSD用的是自研的BiCS FLASH闪存和垂直堆叠的单元结构，官方称这款SSD拥有7300MB/s的读取速度以及6400MB/s的写入速度。主控芯片同样也是铠侠自家造，同时搭载了DRAM作为高速缓存，应该是三星的DRAM颗粒。

SE10是一款自带缓存的高端SSD，如果不需要经常读写4K超清视频或者是50GB单个文件的用户，个人更推荐采用无缓存方案性价比更高的SD10。

有缓存方案和无缓存方案的区别。

说白了，两种方案就是缓存以硬件还是软件实现的问题。

有缓存方案就是额外加入一颗DRAM芯片，其本质就是咱们在电脑内存条上可以看到的内存颗粒而已；与之相反的是，SLC缓存只是一个算法上的概念，并非是具备实体的硬件。

有缓SSD虽然在性能方面更好些，但也不是没有代价的。额外的DRAM缓存颗粒会带来更大的功耗，对主控的性能也提出了更高的要求，由此也带来了更大发热和更高的温度，在价格方面整体也要相比DRAM-Less无缓盘更贵些。

没有独立DRAM缓存的SSD则称之为DRAM-Less无缓SSD，铠侠SD10系列就是属于这一类型。其工作方式为会采用HMB技术，通过占用一小部分电脑内存（一般在40MB以内）来替代SSD上的独立DRAM缓存颗粒，以达成存储简化版的FTL映射表的目的。

由于消费级SSD普遍有着SLC Cache技术的加持，所以在SLC Cache容量范围内可以提供更加精简的FTL映射结构、更低的读写延迟和更高的混合性能，这也使得HMB技术得以借用较小的主机内存容量，来达成接近有缓SSD的FTL映射表查找效率。

DRAM-Less无缓SSD在随机读写性能方面稍弱于有缓SSD，不过在目前日趋成熟的HMB技术和SLC Cache机制的加持下，二者在中轻度负载场景中的使用体验已经非常接近了。

同时，无缓SSD还有价格便宜、发热更低的优点，尤其特别适合适合笔记本、迷你主机等散热空间狭小的设备，这也是目前更推荐大家入手的SSD种类。

铠侠SD10开箱：

作为铠侠的次旗舰，SD10的数据、性能以及用料都是不错的。速度上也能达到5000MB/s的级别，完全可以满足3A大作玩家、设计师、小型工作室的重度使用的需求。颗粒自然也是铠侠原厂BiCS FLASH™ TLC颗粒。

铠侠SD10 SSD是标准的M.2规格，支持PCIe 4.0 x4速率、NVMe 1.4技术，我手上的是1TB容量版本。

采用的是铠侠自研的BiCS TLC原厂颗粒，顺序读写速度上可高达5GB/s、3.9GB/s，还有高达770K IOPS随机读取、950K IOPS随机写入。

由于发热量不大，SD10并没有配备散热片，更利于安装在游戏本一类空间紧凑的场合。

还是单面设计，主控、NAND颗粒均在正面，更利于散热。

通过单面颗粒设计，它可以有效节省存储空间，同时有着极佳的兼容性，能够轻松安装在笔记本、游戏主机内，满足用户想要扩展大容量硬盘空间的需求。

SSD的组成主要就是主控、NAND颗粒、缓存（物理缓存或者软件算法）、固件。其中主控决定了下限、固件决定了上限，而颗粒是稳定性和速度的保障。

铠侠SD10采用的主控是群联PHISON PS5021-E21T主控，使用TSMC 12nm工艺制造，内有32bit ARM Cortex R5处理器，最高支持1600MT/s，最高可实现5GB/s、800K IOPS的持续和随机读取速度。

四颗原厂BiCS TLC 3D闪存颗粒，单个256GB ，四颗合计组成1TB的容量。

铠侠EXCERIA PLUS G3所采用的“BiCS FLASH TLC”3D闪存技术。相较于传统的2D闪存技术，3D闪存技术在存储容量、性能和耐久性方面都有着显著提升。通过垂直堆叠存储单元的方式，3D闪存技术不仅提高了存储密度，还降低了单位存储成本。同时，由于其采用了更先进的制造工艺和更合理的结构设计，因此在读写速度和耐久性方面也有着显著优势。

得益于原厂颗粒的品质，因此铠侠SD10在TBW上面达到了惊人的1200TB（2TB版本）。

TBW是什么？

TBW可以拆开来看，TB代表数据量，W（Written）代表写入，组合起来就是多大的数据写入量，这个写入量不是对闪存的写入量，而是电脑对硬盘的写入量，也就是CDI中的那个“主机写入量总计”。而这个数据一般厂商用来确定保修寿命。

安装与体验：

前面说了，只要具备PCI-E 4.0接口都可以放心使用铠侠SD10系列SSD，甚至是老一点PCI-E 3.0平台，我依然推荐你选用SD10。毕竟在预算不增加的情况下面，选用颗粒更加可靠，性能更上乘的次旗舰级SSD还是很不错的。

而且更好的颗粒，也带来了4k随机读写性能的更优异表现。

至于的兼容性，无论是AMD、Intel平台，搭配DDR4还是DDR5内存，甚至更早的DDR3都毫无问题。

安装其实很简单的说，金手指一端对准防呆口，插进去；另外端用螺丝或者其他方式固定。比方说技嘉近两年的新主板已经有了免工具安装设计，不需要用螺丝。

安装自然是很简单的事情，不过需要注意的是，并不是所有M.2 SSD插槽都是PCI-E 4.0的，而且直连CPU的才是速度最高、延迟最低的，建议大家安装前看说明书获取准确接口信息。

体验篇：

测试项目：

1、CrystalDiskInfo

CrystalDiskInfo硬盘检测工具通过读取S.M.A.R.T了解硬盘健康状况。打开它，您就可以迅速读到本机硬盘的详细信息，包括接口、转速、温度、使用时间等。CrystalDiskInfo还会根据S.M.A.R.T的评分做出评估，当硬盘快要损坏时还会发出警报，支持简体中文，推荐一试。

严格来说，这个属于检测软件，并没有测试跑分项目。在这里主要是为了看运行状态，从传输模式一项里面可以看到，铠侠SD10已经运行在PCI-E 4X带宽下面，妥妥滴满血状态。

值得一说的是，右上角的写入量

2、CrystalDiskMark

CrystalDiskMark是一款硬盘性能测试工具，用于检测硬盘的读写速度。其主要功能如下：

可测试硬盘在不同情况下的速度，如读、写大文件、随机字节等。

可显示硬盘的读写能力，以MB/s为单位。

可查看前五次测试的结果，并以折线图、柱状图等形式显示。

可检测硬盘的随机读取/写入速度，连续读取/写入速度。

可测试随机512KB、2KB、4KB的读取/写入速度。

此外，CrystalDiskMark还有体积小、用户界面直观简单等优点。

连续读取达到了标称的5000MB/s，但写入数据几乎冲到了4000MB/s，不得不说原厂颗粒真的有些不一样。很少见到写入数据能有这级别的1TB SSD。

3、Txbench

TxBench也是一款老牌的硬盘性能测试工具，可以用来测量SSD固态硬盘、HDD机械硬盘和其他驱动器的各项性能。除此之外可以用它来进行深度数据擦除、还原SSD状态以及手动Trim等功能，十分全面且好用。

和CDM测试类似，两者从持续读写到4k读写的成绩都非常接近。值得一说的说，三大测试软件都显示，其4k随机写入能达到250MB/s的级别。

4、ATTO Disk Mark

ATTO Disk Benchmark是一款简单易用的磁盘传输速率检测软件,可以用来检测硬盘, U盘, 存储卡及其它可移动磁盘的读取及写入速率。由于该软件使用了不同大小的数据测试包, 数据包按0.5K, 1.0K, 2.0K直到到8192.0KB进行分别读写测试, 能够真实模拟固态硬盘等存储工具在日常生活中的工作模式，因而能够客观真实的反应固态硬盘的在实际生活中的性能，对于普通用户有一定的参考价值和意义。一盘多用于移动存储卡的测试会多一些。

持续读取达到4.72GB/s,写入达到了3.71GB/s。

总结：

相信看完这篇文章，大家都对SSD升级有一定的理解了。其实并不是太难的事情，台式机、笔记本、PS5拓容均可以自行购买SSD进行升级。尤其是M.2接口SSD，连供电都不用自己折腾，也不需要额外的走线，但速度远高于过往SATA3接口产品。

我们只需要认真颗粒、口碑，直接选用铠侠一类拥有自己原厂颗粒的产品，不仅仅速度有保障，而且还有惊人的TBW值。1200TB对于家用产品来说，简直属于超纲的水平。

单从速度、温度以及稳定性而言，铠侠 SD10表现也是非常好的，5000MB/s传输速度，不俗的4k随机存储速度，足够满足电竞玩家、游戏玩家、设计师、个人工作室的高强度需求。

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