「正点原子FPGA连载」第十一章QSPI Flash读写测试

1）摘自【正点原子】领航者 ZYNQ 之嵌入式开发指南

2）实验平台：正点原子领航者ZYNQ开发板3）平台购买地址：https://item.taobao.com/item.htm?&id=6061601087614）全套实验源码+手册+视频下载:http://www.openedv.com/docs/boards/fpga/zdyz_linhanz.html5）对正点原子FPGA感兴趣的同学可以加群讨论：8767449006）关注正点原子公众号，获取最新资料

第十一章QSPI Flash读写测试实验

Quad-SPI Flash控制器是PS内部输入/输出外设（IOP）的一部分，用来访问多位串行Flash存储器件，适合于使用较少的引脚数目达到较高数据带宽的应用场景。本章我们将通过QSPI Flash控制器，来完成对QSPI Flash的读写操作。本章包括以下几个部分：1111.1简介11.2实验任务11.3硬件设计11.4软件设计11.5下载验证11.1简介ZYNQ中的QSPI Flash控制器可以工作在三种模式下：I/O模式、线性地址模式，以及传统SPI模式。在I/O模式中，软件负责实现Flash器件的通信协议。软件需要将Flash命令和数据写到控制器中的TXD寄存器中，然后将接收到的数据从RXD寄存器中读出。而线性地址模式则使用一组器件操作来减小软件从Flash中读取数据的开销。线性模式使用硬件来实现来自AXI接口的命令到Flash指令的转换。对用户来说，在线性模式下读QSPI Flash就像读取ROM一样简单。但是该模式只支持读操作，不支持写操作。传统模式下的QSPI Flash控制器就像一个普通的SPI控制器，这个模式用的相对较少。QSPI Flash控制器的系统框图如下所示：

图 11.1.1 QSPI系统框图

从图 11.1.1中可以看到，QSPI Flash控制器通过MIO与外部Flash器件连接，支持三种模式：单个从器件模式、双从器件并行模式和双从器件堆模式。通过使用双从器件模式可以扩展QSPI Flash的存储容量。在使用单个器件的时候，直接存储访问Flash器件的地址映射FC00_0000到FCFF_FFFF（16MB）。在使用双器件模式时，地址空间可以扩展为FC00_0000至FDFF_FFFF（32MB）。另外，在上图中可以看到控制器左侧有两种类型的接口：AXI接口和APB接口。其中AXI接口用于线性地址模式，而APB接口用于I/O模式。QSPI Flash控制器的模块示意图如图 11.1.2所示。从中我们可以清晰的看出QSPI Flash控制器两种模式的差异。由于线性地址模式不支持写操作，因此本次实验重点介绍I/O模式。在I/O模式下，软件需要把命令和数据转化成QSPI Flash协议下的指令，转换之后的指令将被写入Tx FIFO。然后发送逻辑将Tx FIFO中的内容按照QSPI接口规范进行并串转换，最后通过MIO将转换后的数据送到Flash存储器中。在发送逻辑将Tx FIFO中的数据发送出去的同时，接收逻辑会采样所发送的串行数据，进行串并转换后存储到Rx FIFO里面。如果执行的是读操作，在发送读指令和读地址之后，MIO会在发送逻辑的控制下由输出模式切换成输入模式，从Flash中读出的数据将被存储丰Rx FIFO中。由于Rx FIFO中会同时接收由软件发出的指令，因此我们需要对Rx FIFO中的原始数据进行过滤，从而得到从Flash中读出的有效数据。

图 11.1.2 QSPI Flash控制器功能框图

11.2实验任务本章的实验任务是使用QSPI Flash控制器，先后对领航者核心板上的QSPI Flash进行写、读操作。通过对比读出的数据是否等于写入的数据，从而验证读写操作是否正确。11.3硬件设计根据实验任务我们可以画出本次实验的系统框图，如下图所示：

图 11.3.1 系统框图

从图 11.3.1中可以看出，本次实验是在“Hello Wold”实验的基础上增加了一个QSPI Flash控制器。我们将通过该控制器对QSPI Flash进行读写操作，并通过串口打印读写数据对比之后的结果。首先创建Vivado工程，工程名为“qspi_rw_test”，然后创建Block Design设计（system.bd）并添加ZYNQ7 Processing System模块。接下来按照《“Hello World”实验》中的步骤对ZYNQ PS模块进行配置，配置完成 后我们要添加本次实验所使用的QSPI Flash控制器模块。如下图所示：

图 11.3.2 QSPI配置界面

如图 11.3.2所示，在左侧导航栏中选择“Peripheral I/O Pins”，然后在右侧勾选“Quad SPI Flash”，并选择“Single SS 4bit IO”模式。“Single SS 4bit IO”指的是单个从器件模式，其中“SS”为“Slave Select”的缩写。看以看出，该模式下控制器使用了MIO1至MIO6共6个引脚。最后点击右下角的“OK”，本次实验ZYNQ处理系统就配置完成了。接下来在Diagram窗口中选择自动连接PS模块端口，连接完成后模块如下图所示：

图 11.3.3 ZYNQ7模块

到这里我们的Block Design就设计完成了，在Diagram窗口空白处右击，然后选择“Validate Design”验证设计。验证完成后弹出对话框提示“Validation Successful”表明设计无误，点击“OK”确认。最后按快捷键“Ctrl + S”保存设计。接下来在Source窗口中右键点击Block Design设计文件“system.bd”，然后依次执行“Generate Output Products”和“Create HDL Wrapper”。然后在菜单栏中选择 File > Export > Export hardware导出硬件，最后在菜单栏选择File > Launch SDK，启动SDK软件。11.4软件设计在SDK软件中新建一个BSP工程和一个空的应用工程，应用工程名为“qspi_Flash_test”。然后为应用工程新建一个源文件“main.c”，我们在新建的main.c文件中输入本次实验的代码。代码的主体部分如下所示：

1 #include "xparameters.h" /* SDK generated parameters */2 #include "xqspips.h" /* QSPI device driver */3 #include "xil_printf.h"4 5 #define QSPI_DEVICE_ID XPAR_XQSPIPS_0_DEVICE_ID6 7 //发送到Flash器件的指令8 #define WRITE_STATUS_CMD 0x019 #define WRITE_CMD 0x0210 #define READ_CMD 0x0311 #define WRITE_DISABLE_CMD 0x0412 #define READ_STATUS_CMD 0x0513 #define WRITE_ENABLE_CMD 0x0614 #define FAST_READ_CMD 0x0B15 #define DUAL_READ_CMD 0x3B16 #define QUAD_READ_CMD 0x6B17 #define BULK_ERASE_CMD 0xC718 #define SEC_ERASE_CMD 0xD819 #define READ_ID 0x9F20 21 //Flash BUFFER中各数据的偏移量22 #define COMMAND_OFFSET 0 // Flash instruction23 #define ADDRESS_1_OFFSET 1 // MSB byte of address to read or write24 #define ADDRESS_2_OFFSET 2 // Middle byte of address to read or write25 #define ADDRESS_3_OFFSET 3 // LSB byte of address to read or write26 #define DATA_OFFSET 4 // Start of Data for Read/Write27 #define DUMMY_OFFSET 4 // Dummy byte offset for reads28 29 #define DUMMY_SIZE 1 // Number of dummy bytes for reads30 #define RD_ID_SIZE 4 // Read ID command + 3 bytes ID response31 #define BULK_ERASE_SIZE 1 // Bulk Erase command size32 #define SEC_ERASE_SIZE 4 // Sector Erase command + Sector address33 34 #define OVERHEAD_SIZE 4 // control information: command and address35 36 #define SECTOR_SIZE 0x1000037 #define NUM_SECTORS 0x10038 #define NUM_PAGES 0x1000039 #define PAGE_SIZE 25640 41 /* Number of Flash pages to be written.*/42 #define PAGE_COUNT 1643 44 /* Flash address to which data is to be written.*/45 #define TEST_ADDRESS 0x0005500046 #define UNIQUE_VALUE 0x0547 48 #define MAX_DATA (PAGE_COUNT * PAGE_SIZE)49 50 void FlashErase(XQspiPs *QspiPtr, u32 Address, u32 ByteCount);51 void FlashWrite(XQspiPs *QspiPtr, u32 Address, u32 ByteCount, u8 Command);52 void FlashRead(XQspiPs *QspiPtr, u32 Address, u32 ByteCount, u8 Command);53 int FlashReadID(void);54 void FlashQuadEnable(XQspiPs *QspiPtr);55 int QspiFlashPolledExample(XQspiPs *QspiInstancePtr, u16 QspiDeviceId);56 57 static XQspiPs QspiInstance;58 59 int Test = 5;60 61 u8 ReadBuffer[MAX_DATA + DATA_OFFSET + DUMMY_SIZE];62 u8 WriteBuffer[PAGE_SIZE + DATA_OFFSET];63 64 int main(void)65 {66 int Status;67 68 xil_printf("QSPI Flash Polled Example Test \r\n");69 70 /* Run the Qspi Interrupt example.*/71 Status = QspiFlashPolledExample(&QspiInstance, QSPI_DEVICE_ID);72 if (Status != XST_SUCCESS) {73 xil_printf("QSPI Flash Polled Example Test Failed\r\n");74 return XST_FAILURE;75 }76 77 xil_printf("Successfully ran QSPI Flash Polled Example Test\r\n");78 return XST_SUCCESS;79 }

首先，本次实验的C程序是在官方提供的示例程序“xqspips_Flash_polled_example.c”的基础上修改得到的，该示例程序演示了如何使用轮询模式对QSPI Flash进行读写操作。在程序的开头，我们定义了一系列的参数，包括Flash器件的指令、Flash BUFFER中各数据段的偏移量、Flash器件PAGE、SECTOR的数目和大小等信息。这些信息针对不同型号的Flash器件有所不同，需要通过查看器件的数据手册得到。接下来在程序第50至55行声明了六个函数，这些函数是前面我们提到的示例程序中所提供的。我们对其中最后一个函数QspiFlashPolledExample(XQspiPs *QspiInstancePtr, u16 QspiDeviceId)进行修改，从而简化读写测试过程。而其他的函数如擦除FlashErase( )、写操作FlashWrite( )、读操作FlashRead( )等，我们可以将其当作库函数来使用。程序的主函数特别简单，就是通过调用修改之后的示例函数QspiFlashPolledExample( )来对Flash进行读写测试，并打印最终的测试结果。下面是该示例函数的代码：

81 int QspiFlashPolledExample(XQspiPs *QspiInstancePtr, u16 QspiDeviceId)82 {83 int Status;84 u8 *BufferPtr;85 u8 UniqueValue;86 int Count;87 int Page;88 XQspiPs_Config *QspiConfig;89 90 //初始化QSPI驱动91 QspiConfig = XQspiPs_LookupConfig(QspiDeviceId);92 XQspiPs_CfgInitialize(QspiInstancePtr, QspiConfig, QspiConfig->BaseAddress);93 //初始化读写BUFFER94 for (UniqueValue = UNIQUE_VALUE, Count = 0; Count < PAGE_SIZE;95 Count++, UniqueValue++) {96 WriteBuffer[DATA_OFFSET + Count] = (u8)(UniqueValue + Test);97 }98 memset(ReadBuffer, 0x00, sizeof(ReadBuffer));99 100 //设置手动启动和手动片选模式101 XQspiPs_SetOptions(QspiInstancePtr, XQSPIPS_MANUAL_START_OPTION |102 XQSPIPS_FORCE_SSELECT_OPTION |103 XQSPIPS_HOLD_B_DRIVE_OPTION);104 //设置QSPI时钟的分频系数105 XQspiPs_SetClkPrescaler(QspiInstancePtr, XQSPIPS_CLK_PRESCALE_8);106 //片选信号置为有效107 XQspiPs_SetSlaveSelect(QspiInstancePtr);108 //读Flash ID109 FlashReadID();110 //使能Flash Quad模式111 FlashQuadEnable(QspiInstancePtr);112 //擦除Flash113 FlashErase(QspiInstancePtr, TEST_ADDRESS, MAX_DATA);114 //向Flash中写入数据115 for (Page = 0; Page < PAGE_COUNT; Page++) {116 FlashWrite(QspiInstancePtr, (Page * PAGE_SIZE) + TEST_ADDRESS,117 PAGE_SIZE, WRITE_CMD);118 }119 //使用QUAD模式从Flash中读出数据120 FlashRead(QspiInstancePtr, TEST_ADDRESS, MAX_DATA, QUAD_READ_CMD);121 122 //对比写入Flash与从Flash中读出的数据123 BufferPtr = &ReadBuffer[DATA_OFFSET + DUMMY_SIZE];124 for (UniqueValue = UNIQUE_VALUE, Count = 0; Count < MAX_DATA;125 Count++, UniqueValue++) {126 if (BufferPtr[Count] != (u8)(UniqueValue + Test)) {127 return XST_FAILURE;128 }129 }130 131 return XST_SUCCESS;132 }在示例函数中，首先对QSPI Flash控制器驱动进行初始化。然后对读写BUFFER进行初始化，初始化完成后WriteBuffer中为需要写入Flash的测试数据；而ReadBuffer则全部清零，准备用于接收从Flash中读回的数据，进而与WriteBuffer中的数据进行对比。接下来，通过调用xqspips.h头文件中的库函数来对QSPI Flash控制器进行配置。将其配置成手动启动和手动片选模式，并将片选信号置为有效状态。QSPI Flash控制器在I/O模式下，有两种流控（Flow Control）方法：手动模式和自动模式。手动模式下，将由用户来控制数据传输的开始。而在手动模式下，又分为“手动片选”和“自动片选”，它们指的是片选信号的控制权。自动片选所传输的数据量受限于Tx FIFO的深度，而手动片选更适合批量数据的传输。片选信号置为有效状态意味着Flash传输序列的开始。在程序的108至120行，我们调用示例程序“xqspips_Flash_polled_example.c”所提供的函数，来执行一系列Flash操作，包括读Flash ID、使能Flash Quad模式、擦除Flash等。其中最核心的是通过FlashWrite( )函数向Flash指定地址写入测试数据，然后通过FlashRead( )函数将数据从该地址读出，放至读BUFFER中。最后，在程序的122至129行，通过对比写BUFFER与读BUFFER中的数据是否一致，从而判断Flash读写测试实验是否成功。程序的剩余部分是前面所声明的一系列操作Flash的函数的实现，因为我们将其当作库函数直接调用，因此代码就不再贴出来了。大家有兴趣的话也可以研究一下，这些函数是如何将读写指令和数据转换成QSPI Flash所要求的命令格式的。实际上，这些函数的功能也都是通过调用xqspips.h头文件中的库函数XQspiPs_PolledTransfer( )来实现的。11.5下载验证首先我们将下载器与领航者底板上的JTAG接口连接，下载器另外一端与电脑连接。然后使用Mini USB连接线将开发板左侧的USB_UART接口与电脑连接，用于串口通信。最后连接开发板的电源，并打开电源开关。在SDK软件下方的SDK Terminal窗口中点击右上角的加号设置并连接串口。然后下载本次实验软件程序，下载完成后，在下方的SDK Terminal中可以看到应用程序打印的信息如下图所示：

图 11.5.1 串口打印结果

从图 11.5.1中可以看出，本次实验所实现的QSPI Flash读写测试功能，在领航者ZYNQ开发板上面下载验证成功。

基于AM335X开发板 ARM Cortex-A8——NAND FLASH版本核心板使用说明

前 言：

NAND FLASH版本和eMMC版本核心板使用方法基本一致。本文主要描述U-Boot编译、基础设备树文件编译、固化Linux系统NAND FLASH分区说明和NAND FLASH启动系统、固化Linux系统、AND FLASH读写测试等，NAND FLASH版本与eMMC版本核心板在使用方面的不同之处，相同之处将不重复描述。

创龙科技TL335x-EVM-S是一款基于TI Sitara系列AM3352/AM3354/AM3359 ARM Cortex-A8高性能低功耗处理器设计的评估板。

评估板接口资源丰富，引出双路千兆网口、LCD、HDMI、GPMC、CAN等接口，方便用户快速进行产品方案评估与技术预研，应用在通讯管理、数据采集、人机交互、运动控制、智能电力等典型领域。

U-Boot编译

进行U-Boot编译选项配置时，请执行如下命令。

Host# make ARCH=arm CROSS_COMPILE=arm-linux-gnueabihf- am335x_evm_s_nandboot_defconfig

图 1

我司提供经过验证的U-Boot镜像文件位于产品资料“4-软件资料\Linux\U-Boot\image\u-boot-2017.01-[Git系列号]-[版本号]\”目录下，分别为MLO-nand、u-boot.img-nand。系统启动卡制作完成后，请将MLO-nand和u-boot.img-nand文件复制到系统启动卡BOOT分区下，备份原有的eMMC版本MLO、u-boot.img文件，并将MLO-nand和u-boot.img-nand文件重命名为MLO、u-boot.img。

图 2

Host# sudo cp MLO-nand MLO

Host# sudo cp u-boot.img-nand u-boot.img

图 3

基础设备树文件编译

基础设备树源文件为内核源码“arch/arm/boot/dts/”目录下的tl335x-evm-s-nandflash.dts和tl335x-evm-s-nandflash-hdmi.dts，重新编译基础设备树时请使用此文件。我司提供经过验证的基础设备树文件为产品资料“4-软件资料\Linux\Kernel\image\linux-rt-4.9.65-[Git系列号]-[版本号]\”目录下的tl335x-evm-s-nandflash.dtb和tl335x-evm-s-nandflash-hdmi.dtb，请将其分别复制到系统启动卡rootfs分区以及rootfs-backup分区的boot目录下。

图 4

请执行如下命令将tl335x-evm.dtb软链到tl335x-evm-s-nandflash.dtb文件。tl335x-evm-s-nandflash.dtb支持LCD显示，如需使用HDMI显示，则将tl335x-evm.dtb软链到tl335x-evm-nandflash-hdmi.dtb文件即可。

Host# sudo rm tl335x-evm.dtb

Host# sudo ln -s tl335x-evm-s-nandflash.dtb tl335x-evm.dtb

Host# ls -l

图 5

使用替换了U-Boot和基础设备树文件的Linux系统启动卡启动评估板，进入文件系统执行如下命令可查看到NAND FLASH分区信息，即说明文件替换成功。

Target# cat /proc/mtd

图 6

固化Linux系统

本章节介绍Linux系统固化过程，包括固化U-Boot、内核、设备树和文件系统至NAND FLASH。

NAND FLASH分区说明

进入评估板系统后执行如下命令，查看NAND FLASH分区信息。

Target# cat /proc/mtd

图 7

表 1

NAND FLASH

MTD0

nand.spl：存放U-Boot第一阶段启动文件MLO

MTD1

nand.u-boot：存放U-Boot第二阶段启动文件u-boot.img

MTD2

nand.env：存放环境变量

MTD3

nand.devicetree：存放设备树文件

MTD4

nand.kernel：存放内核镜像

MTD5

nand.logo：存放LOGO文件

MTD6

nand.mini-fs：备用分区，一般存放小型文件系统（暂未使用）

MTD7

nand.rootfs：存放文件系统

固化Linux系统

Linux系统启动卡制作时，已将系统固化的脚本文件mknandboot.sh复制到了Linux系统启动卡文件系统的“/opt/tools/”目录下。

图 8

执行如下命令进行一键固化。

Target# /opt/tools/mknandboot.sh

图 9

脚本会进行如下操作：

擦除NAND FLASH。将Linux系统启动卡BOOT分区中的U-Boot、LOGO固化至NAND FLASH对应分区。将Linux系统启动卡rootfs-backup分区中的文件系统boot目录下的内核镜像和基础设备树文件固化至NAND FLASH对应分区。将Linux系统启动卡rootfs-backup分区中的文件系统固化至NAND FLASH对应分区。

用时约5~10min，Linux系统固化成功，同时串口调试终端打印提示信息。

从NAND FLASH启动系统

评估板断电，将Linux系统启动卡从评估板Micro SD卡槽中取出，根据评估底板丝印将拨码开关拨为10110(1~5)，此档位为NAND FLASH启动模式。评估板上电，串口调试终端将会打印如下类似启动信息。

图 10

图 11

NAND FLASH读写测试

本章节对NAND FLASH的MTD6分区进行读写速度测试。MTD6是NAND FLASH的备用分区，一般存放小型文件系统，大小为32MByte。读写测试会将该分区内容擦除，请做好数据备份。

执行如下命令查询NAND FLASH分区，确认MTD6分区大小（读写请勿超出分区大小），将该分区内容擦除。

Target# cat /proc/mtd

Target# flash_erase /dev/mtd6 0 0

图 12

NAND FLASH写速度测试

进入评估板文件系统，执行如下命令对NAND FLASH进行写速度测试。

Target# time dd if=/dev/zero of=/dev/mtd6 bs=1024k count=30

图 13

此处一共写30MByte测试数据到NAND FLASH的MTD6分区下，可看到本次测试的NAND FLASH写速度约为：30MByte/7.79s=3.85MB/s。

NAND FLASH读速度测试

重启评估板，进入评估板文件系统，执行如下命令对NAND FLASH进行读速度测试。

Target# time dd if=/dev/mtd6 of=/dev/null bs=1024k count=30

图 14

此处从NAND FLASH的MTD6分区读取30MByte数据，可看到本次测试的NAND FLASH读速度约为：30MByte/4.44s=6.75MB/s。

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