QLC颗粒怎么样?固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识
如今,固态硬盘的发展迅速,技术也逐步成熟,对于选购固态硬盘不再只是容量选择的那么简单,更多人群更在意的是性能与颗粒类型,而对于SSD颗粒类型,相信不少用户对QLC、SLC、MLC、TLC颗粒类型一无所知,而尤其是最新推出的搭载QLC颗粒的固态硬盘来说,不少用户称QLC颗粒不好。那么QLC颗粒怎么样?下面装机之家晓龙分享一下固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识。
固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识
根据NAND闪存中电子单元密度的差异,又可以分为SLC(单层次存储单元)、MLC(双层存储单元)、TLC(三层存储单元)以及最新推出的QLC(四层存储单元)。固态硬盘依靠闪存芯片来存储数据,里面存放数据最小单位叫作“Cell”,SLC每个cell可以存放1bit数据,MLC每个cell可以存放2bit数据,TLC每个cell可以存放3bit数据,而QLC可以存放4bit数据。
为了小白更好的理解其中的意义,我来举个例子,我们将芯片可以看做一张画满格子的纸张,cell相当于纸张上的一个个的格子,数据看做是一个黄豆。也就是说,SLC方案每个格子中只能放入一颗黄豆,所以存储空间较小,MLC方案每个格子可以放入两颗黄豆,TCL方案每个格子可以放入三颗黄豆,而QLC方案每个格子可以存放四个黄豆,成本不变的情况下,存储空间较大。要知道这个纸张(芯片晶圆)价格也十分昂贵的,也就是说同样的晶圆如果做成SLC只有128G,做成MLC就有256G了,做成TLC的话变成512G,而做成QLC我们可以做成更大容量,而成本是相同的。
QLC颗粒
QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比SLC(单层存储单元)
全称是Single-Level Cell,单层电子结构,每个cell可以存放1bit数据,SLC达到1bit/cell,写入数据的时候电压变化区间小,P/E寿命较长,理论擦写次数在10万次以上,但是由于成本最高,所以SLC颗粒多数用于企业级高端产品中。
MLC(双层存储单元)
全称是Multi-Level Cell,使用高低电压的而不同构建的双层电子结构,MLC达到2bit/cell,P/E寿命较长,理论擦写次数在3000-5000次左右,成本相对较高,但是对于消费级来说也可以接受,多用于家用级高端产品中。
TLC(三层存储单元)
全称是Trinary-Level Cell,三层式存储单元,是MLC闪存延伸,TLC达到3bit/cell,由于存储密度较高,所以容量理论上是MLC的1.5倍,成本较低,但是P/E寿命相对要低一些,理论擦写次数在1000-3000次不等,是目前市面上主流的闪存颗粒。
QLC(四层存储单元)
全称是Quad-Level Cell,四层式存储单元,QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度,同时成本上相比TLC更低,优势就是可以将容量做的更大,成本上更低,劣势就是P/E寿命更短,理论擦写次数仅150次。
QLC、SLC、MLC、TLC颗粒对比
QLC颗粒为什么不好?
每一个Cell单元存储数据越多,单位面积容量就越高,但是同时会导致不同电压状态越多,并且越难控制,所以采用QLC颗粒的固态,虽然容量更大价格更便宜,但是稳定性较差,并且P/E寿命较低,速度最慢。
总结:
QLC NAND最大的优势就是在于成本更低,相同的成本下能够做出更大容量的SSD,容量将不再受到限制,1TB容量对于QLC颗粒来说,都是小意思,几十到上百TB才是主流,大容量固态硬盘时代开始了。但是对于P/E寿命和速度来说,这是QLC颗粒最大劣势之处,P/E寿命的公式是擦写次数*容量/每天擦写量/365,但是QLC颗粒的固态硬盘容量都很大,假设1个1TB的QLC颗粒的固态硬盘,每天擦写100G,也就是它的寿命=1024*100/100/365,约2.8年,还有这个最大写入次数也是理论上的,超出不一定就100%坏了,关键电脑不可能每天打开,也有休息的时候,加之每天不可能都擦写100G,所以它的寿命也是不用太担心的,等待固态硬盘坏了,整台电脑也淘汰了。
QLC颗粒相信不少用户会说是技术倒退,但是对于厂商来说,目前用户对存储容量需求随之提高,目前TLC和MLC颗粒大容量的固态硬盘价格偏贵,更低成本更大容量才是未来趋势,相信QLC颗粒会使得固态硬盘进入大容量廉价时代。
3D-NAND表现抢眼 威刚SU800固态硬盘评测
几年前绝大多数玩家还对采用TLC闪存颗粒的固态硬盘嗤之以鼻,几年后在闪存厂商、主控芯片厂商的共同努力下,TLC技术已经趋于成熟,消费者在这样的大环境下变得更加乐于接受TLC闪存的SSD。在闪存颗粒行业技术的发展还未到尽头,2016是革命的一年,三星、SK Hynix、东芝/闪迪、Intel/美光这四大NAND厂商都在TCL颗粒的3D-NAND技术上取得了重大突破。时至今日,3D-NAND已经逐渐开始被运用在消费级产品上,可以预见这种趋势还会继续下去,越来越多的闪存及SSD硬盘都会转向3D NAND技术。
作为科技第一线媒体,天极网很有幸收到了采用镁光最新3D-NAND TLC颗粒的威刚SU800 SSD,这款新概念的产品性能到底如何呢?让我们一睹为快吧!
外观一览:
威刚SU800采用了3D-NAND技术的固态硬盘采用了当下主流的M.2接口,长度为80mm,采用SATA3规格,虽说没有采用PCI-E规格性能表现会有所受限,但优点是基本上能够在各类笔电、台式机主板上兼容。威刚SU800系列固态硬盘拥有128GB、256GB、512GB和1TB四种容量,并且会有2.5英寸版本,不过1TB容量可能会延后上市。
通过产品的正面和背面解析图,我们可以了解到这款产品的颗粒分布。正面是一颗主控芯片,一颗缓存芯片和三颗闪存芯片;背面是一颗闪存芯片。PCB板的做工也是十分靠谱的,上面的元件分布整齐,焊接牢固,让玩家可以非常放心的使用。
PCB板解析:
威刚SU800采用慧荣2258主控芯片,该款主控支持NANDXtend ECC技术,全面支持2D/3D TLC闪存的成品解决方案,根据测算,最大持续读写速率分别可以达到560MB/s和520MB/s。慧荣2258主控基于NANDXtend ECC技术,它能够提供RAID数据恢复、软件解码和硬件解码,三级的错误校正可以将NAND闪存的寿命延长3倍,另外还可以显著提升解码效率,提速达40%,也显著的降低的产品的能耗。
整体来看,慧荣2258主控在具有较强耐久度和低功耗的同时,还整合了ASE 256、可信计算机组织和Opal全驱动加密标准。除了拥有强大的读取能力,在针对TLC闪存颗粒在性能和p/E方面都极具竞争力。
在主控芯片旁边的是缓存芯片,这是一颗南亚科技的256MB的缓存芯片,按照1GB:1MB的比例配制,用于存放映射表,为SSD提供足够大容量做数据缓存,辅助主控工作。
编号为6RB22NW838、容量128GB镁光3D-NAND TLC
在闪存颗粒上,采用4颗镁光科技编号为6RB22NW838的、基于3D技术单颗容量128GB的TLC闪存颗粒,四颗闪存颗粒总容量达512GB。
性能测试:
最后,我们通过几款软件进行性能实测。
1. TxBENCH是一款能够全面评估固态硬盘读写性能的测试软件,除了常规的持续读写和4kb随机读写外,它还支持定制化读写测试,可以根据测试需要,自由定制队列深度,随机读写文件大小,持续读写文件大小以及负载压力,是否全盘等,功能强大。
评价:TxBench 测试中,威刚SU800 SSD的表现给力,持续传输测试中达到了同级产品的高分水平,同时4K测试结果也与MLC SSD并驾齐驱,性能表现十分给力。
2.AS SSD Benchmark是一个专门为SSD测试而设计的标准检测程序,它涵盖了持续性读写、单线程4KB随机读写、64线程4KB随机读写以及磁盘寻道时间等关键数据的测试,最后还会根据公式将成绩标准化,能比较科学的反映固态硬盘的真实性能。
评价:在AS SSD测试中,威刚SU800轻松破一千分,随机4k读取速度为32.82MB/s,随机写入速度为115.7MB/s,与TxBench的测试成绩相当。
3.ATTO Disk Benchmark是一款简单易用的磁盘传输速率检测软件,可以用来检测硬盘, U盘, 存储卡及其它可移动磁盘的读取及写入速率。由于该软件使用了不同大小的数据测试包, 数据包按0.5K, 1.0K, 2.0K直到到8192.0KB进行分别读写测试, 能够真实模拟固态硬盘等存储工具在日常生活中的工作模式,因而能够客观真实的反应固态硬盘的在实际生活中的性能,对于普通用户有一定的参考价值和意义。
评价:在ATTO测试中,最大读取速度为560mb/s左右,而最大写入速度为520MB/S左右,基本上达到了SATA3的读写极限。
4.CrystalDiskInfo通过读取S.M.A.R.T了解硬盘健康状况,可以迅速读到本机硬盘的详细信息,包括接口、转速、温度、使用时间等.软件还会根据S.M.A.R.T的评分做出评估,当硬盘快要损坏时还会发出警报。
评价:经过测试,我们可以看到这款产品的全部信息,包括使用过的时间、运行温度,健康状态,各方面的数据都非常优秀,让用户可以放心使用。另外这款SSD平均无故障时间提高到了200万小时,质保3年。
评测总结:
威刚SU800 SSD凭借着全新的3D-NAND技术,展现出了令人惊喜的成绩,让我对威刚这品牌的产品印象加分。得益于镁光原厂最新的3D NAND TLC芯片,反映出TLC颗粒和3D NAND的技术上的成熟和务实的进步,无论是耐久度和性能和两年前的产品都有极大的提高。特别是连续读写不掉速这个特点,可以满足很多用户针对直播游戏和剪辑4K影片的需求。
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