请你列出逻辑电路中的24种表达式

随着时代发展，数字电路的使用频率越来越高，完全不低于模拟电路，因此从事数字电路的工程师越来越多，如果你想成为一名优秀的数字工程师，一定要学会下面的逻辑电路表达式！

1、基本逻辑运算 与运算 (AND): A AND B = AB或运算 (OR): A or B = A+B非运算 (NOT): A' = not A异或运算 (XOR): A xor B = AB'+A'B2、符合逻辑运算 与非运算 (NAND): A NAND B = not (A and B)或非运算 (NOR): A NOR B = not (A or B)与或非运算 (Nand): A Nand B = not (A or B)或与非运算 (Nor): A Nor B = not (A and B)同或运算 (XNOR): A XNOR B = AB'+A'B异或非运算 (XORN): A Xorn B = not (A xor B)3、常用逻辑门 与门 (AND Gate): F(A, B) = AB或门 (OR Gate): F(A, B) = A+B非门 (NOT Gate): F(A) = not A异或门 (XOR Gate): F(A, B) = AB'+A'B同或门 (XNOR Gate): F(A, B) = AB'+A'B4、双输入逻辑门 双与门 (AND-AND): F(A, B, C, D) = AB+CD双或门 (OR-OR): F(A, B, C, D) = A+B+C+D与或非门 (NAND-OR): F(A, B, C, D) = not ((AB+CD))或与非门 (OR-NAND): F(A, B, C, D) = not ((AB'+CD))5、多输入逻辑门 多输入与门 (AND-Many): F(A, B, C) = ABC多输入或门 (OR-Many): F(A, B, C) = A+B+C多输入非门 (NOT-Many): F(A, B, C) = not A not B not C多输入异或门 (XOR-Many): F(A, B, C) = AB'+BC'+AC'D'+AD'E'+AE'F'+AF'G'...（以此类推）多输入同或门 (XNOR-Many): F(A, B, C) = AB'+BC'+AC'D'+AD'E'+AE'F'+AF'G'...（以此类推）

声明： 本文凡亿企业培训原创文章，转载请注明来源！

我们熟知的NAND闪存，还有个“双胞胎兄弟”

【IT168 评论】无论消费者还是企业机构，大多数人在谈到闪存时，首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲，NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。

　　NOR闪存是另一种与NAND不同的闪存类型，它具有不同的设计拓扑结构，某些特定的应用场景下更为适合。在比较NAND和NOR闪存在不同应用中的相对优势和适用性之前，检查其结构差异是很重要的。

　　NAND闪存产品是当今已经达到高水准的存储芯片，是当前市面上嵌入式以及独立式SSD的主要原材料。多层单元(MLC)技术和3D制造工艺的结合，将NAND存储单元垂直蚀刻到硅衬底上，使存储密度和NAND芯片容量呈几何级增长。

　　NAND与NOR电路基础

　　尽管NAND闪存是这两种非易失性内存技术中相对流行的一种，但NAND和NOR都是由同一名东芝公司的工程师在上世纪80年代中期发明的。要理解这两个种类的区别和命名，需要简要回顾一下逻辑门的基础知识。

　　NAND和NOR分别涉及到布尔逻辑函数中的逻辑“和”（and）以及“或”（or）。如下所示，NAND和NOR都生成响应两个二进制输入的输出。

响应两个二进制输入的NAND和NOR输出

　　NAND和NOR逻辑门仅仅为它们各自的功能实现了上面这个真值表。

　　NAND门在概念上是作为AND门实现的——当两个输入都是1时输出1——后面跟着一个NOT门，这是一个逻辑反转。相应的，NOR门在概念上是一个OR门——有任何一个输入是1时输出1，然后是NOT门，这是一个逻辑倒装。

　　布尔逻辑的背景对于理解NAND和NOR闪存至关重要，因为闪存单元被连接到一个行和列的数组中。在NAND闪存中，一组中的所有单元(通常是一个字节的倍数，取决于芯片的大小)共享一条位线，并以串行方式连接每个单元，每个单元连接到一个单独的字行。同一字行连接一个内存块中的多个字节，通常为4 KB到16 KB。因此，只有当所有的字线都是高或单状态时，位线才会降低或变为零状态，这实际上将内存组转换为一个多输入NAND门。

　　与此相反，NOR闪存并行组织位线的方式是，当位线和字线都处于低或零状态时，内存单元只保持高或单状态。

　　NAND单元的串联结构使得它们可以通过导电层(或掺杂层)连接在衬底上，而不需要外部接触，从而显著减少了其横截面积。

　　NAND闪存单元的串联连接意味着它们不需要单元之间通过金属层进行外部接触——而这正是NOR拓扑结构所需的。使用导电层连接硅衬底上的单元意味着NAND闪存的密度通常比NOR高两个数量级，或100倍。此外，组内单元的串联连接使它们可以垂直地堆积在3D数组中，位线类似于垂直管道。

　　相反，由于NOR闪存单元不能单独寻址，因此它们对于随机访问应用程序更快。

　　NAND与NOR产品类型

　　这两种类型的闪存具有明显的特性和性能差异，它们有各自最适合的应用程序类型。除了容量外，NAND和NOR闪存还具有不同的运行、性能和成本特性，如下图所示。

　　这两种闪存中也有几种不同的产品类型，它们在I/O接口、写入持久性、可靠性和嵌入式控制功能方面有所不同。

　　NAND闪存产品类型

　　NAND闪存以单层（SLC）、多层（MLC）、三层（TLC）或四层（QLC）的形式在每个单元（cell）中存储bit，分别为1 bit/cell、2 bit/cell、3 bit/cell、4 bit/cell。要确定哪种类型的NAND最适合于工作负载，简单来说，每个单元的位数越高，其容量就越大——当然，是以数据持久性和稳定性为代价的。

　　NAND设备只是没有任何外围电路的存储芯片，这些外围电路使NAND闪存可以在SSD、U盘或其他存储设备中使用。相比之下，托管型NAND产品嵌入了一个内存控制器来处理必要的功能，比如磨损调平、坏块管理(从使用中消除非功能性内存块)和数据冗余。

　　NOR闪存产品类型

　　串行设备通过只暴露少量(通常是1到8个)I/O信号来减少包的pin数。对于需要快速连续读取的应用程序来说，这是理想的选择。NOR闪存通常用于瘦客户机、机顶盒、打印机和驱动器控制器。

　　并行NOR产品暴露多个字节，而且通常使用内存页而不是单独的字节进行操作，更适用于启动代码和高容量应用程序，包括数码单反相机、存储卡和电话。

　　两种闪存都是不可或缺的

　　NAND是闪存的主力，广泛用于嵌入式系统和SSD等存储设备的大容量数据存储。不过，NOR 闪存在存储可执行的启动代码和需要频繁随机读取小数据集的应用程序方面起着关键作用。显然，这两种类型的闪存将继续在计算机、网络和存储系统的设计中发挥作用。

　　原文作者：Kurt Marko

相关问答

xor是异或门。该门是在不同类型的计算电路中使用的一种特殊类型的门。除了AND,OR,NOT,NAND和NOR门外,还有两个特殊的门,即Ex-OR和Ex-NOR。这些门本身并不是...

[最佳回答]1.A2.D3.C(这个道不是很清楚,我好久没做了,记不太清了)4.B5.D

与或非逻辑运算公式如下:1、与:and的口诀是有0出0,全1出1。例如:1,1=1;1,0=0;0,1=0;0,0=0。2、或:or的口诀是有1出1,全0出0。例如:1,1=1;1,0=...与...

[回答]as"Beijingandbackgarden"ofreputation.HastheGreatWall,coastal,ecologicalsoundtou...

与或非逻辑运算公式如下:1、与:and的口诀是有0出0,全1出1。例如:1,1=1;1,0=0;0,1=0;0,0=0。2、或:or的口诀是有1出1,全0出0。...与或非逻辑运算公式如下:1...

[回答]LiyangislocatedwestofYangtzeriverdelta,betweenthethreeneighboringprovinces,withatotala...

ROMAJIKokoniarunowakimigaimamadeerandamichinoKotaetachiyohorajishinmottesusumebaiit...

与或非逻辑运算口诀如下:1、与:and的口诀是有0出0,全1出1。例如:1,1=1;1,0=0;0,1=0;0,0=0。2、或:or的口诀是有1出1,全0出0。例如:1,1=1;1,0=...与...

[回答]叶在茎或枝条上的排列方式叫叶序(phyllotaxy).常见的有:1.叶互生(alternate).每节上只着生1片叶,如棉花、杨树、苹果等.2.叶对生(opposite).每节...

1、逻辑代数概述:用代数的方式对逻辑变量进行描述和分析的数学工具,也称为布尔代数。逻辑变量的取值只有”真“和”假“,通常以1表示”真“,0表示”假“四...