华为链的第三个IPO，净利润暴增十倍，奈何市场并不买账，东芯股份SGI指数评分77分

　　1月17日东芯股份发公告称，预计2021年1-12月业绩预增，归属净利润约2.25亿元至2.4亿元，营业收入约11亿元至11.5亿元，同比上升40.25%至46.63%，扣非净利润约2.18亿元至2.33亿元，同比增长十倍多。

　　统计发现，在目前已经出炉业绩预告的A股半导体公司中，士兰微(600460)业绩增幅排在首位，亚军是东芯股份。

　　存储芯片是数据的载体，是电子系统的“粮仓”。在A股市场，存储企业设计公司也深受追捧，比如兆易创新(603986)这样国内存储芯片龙头，市值已超千亿。

　　华为哈勃、中芯国际先后入股

　　而在东芯股份的发展过程中，华为的角色也十分微妙，最为直接的关联便是哈勃的直接入股。

　　哈勃的投资路径是华为寻找供应链国产替代,而对东芯股份的投资，显然也是这条产业链上的一环。

　　华为哈勃自成立两年多以来，入股40多家半导体产业相关的公司，这个速度和力度是任何一家投资机构都比不上的，更关键的是，华为投资不是简单的入股而是给订单给技术，东芯股份就是一个良好的例子。

　　哈勃投资成立至今动作频频，投资版图巨大，重点投资半导体芯片领域的初创型企业，涉及芯片设计、EDA、封装、测试、材料和设备等各环节。截至目前，哈勃科技已经拿下5个IPO，包括思瑞浦、灿勤科技、东芯股份、炬光科技和天岳先进。

　　目前，哈勃投资还有纳芯微、好达电子、长光华芯等多个项目已经过会，正在等待挂牌上市。

　　战略投资者方面，国家大基金二期和上汽集团(600104)分别获配3296967股，获配金额9950万元。

　　值得一提的是，在东芯股份的股东中，更不乏行业龙头。除哈勃持股4%之外，聚源聚芯亦持有其8.46%的股份，而中芯国际旗下的中芯聚源正是其管理人。

　　东芯股份的控股股东为东方恒信资本控股集团有限公司（下称“东方恒信”），后者直接持有东芯股份43.18%的股份；实际控制人蒋学明通过东方恒信、东芯科创控制公司49.96%的表决权，担任东芯股份的董事长。记者从天眼查了解到，蒋学明目前在28家公司担任法定代表人，旗下有超过40家公司。

　　东芯半导体司是一家存储芯片设计公司，主要为客户提供NAND、NOR、DRAM、MCP等存储芯片，聚焦于中小容量存储芯片的研发、设计和销售，产品广泛应用于5G通信、物联网终端、消费电子、汽车电子类产品等领域。其中，NAND Flash产品主要为SLC NAND，NOR Flash系列主要为消费级产品，DRAM产品则主要针对利基型市场。

　　目前，东芯股份已通过高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正(300223)、恒玄科技等各大主流平台验证，并已打入三星电子、海康威视(002415)、歌尔股份(002241)、传音控股等知名客户的供应链体系。

　　华为链的第三个IPO，市场并不买账

　　本次科创板IPO，东芯股份发行价为30.18元/股，对应市盈率为760.38倍；预期募资33.37亿元，较原计划金额超募3.45倍。招股书显示，东芯股份本次募投项目包括1xnm闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目、研发中心建设项目、及补充流动资金。

　　2021年12月10日，存储芯片企业东芯股份正式登录资本市场。截至收盘，东芯股份股价为46.75元，涨幅为54.90%，市值达到206.75亿元。

　　截止1月28日，东芯股份收盘报价35.82元，市值158.4亿元，市盈率92.53倍。从股价整体走势来看，自上市以来股价曾一度站上52.67元，但是好景不长，随之而来的就是下滑。2021年10倍净利润增长都难以成为股价上涨的支撑点，究竟是为什么？

　　业绩长期亏损，靠持续输血

　　从重要财务数据加权净资产收益率中看,东芯股份2019年作为分水岭，2019年后公司发展蒸蒸日上，尤其是2021年，面对全球“缺芯”，公司可以说是吃尽红利。

　　从图中反映东芯股份在进一步开拓市场的过程中运营能力、盈利能力、资本结构方面基础不稳固，尤其在盈利方面潜力不足。

　　2018年至2021年前三季度，东芯股份分别实现营业收入5.1亿元、5.13亿元、7.84亿元和4.54亿元。其中2018年至2020年复合增长率达到 24.01%，尤其是在闪存芯片方面，公司分别实现销售收入 2.74亿元、3.15亿元和5.8亿元，复合增长率达到45.54%。

　　业绩攀升，盈利能力也在持续释放，2018年至2021年H1，东芯股份的归母净利润分别为-2180.22万元、-6383.73万元、1953.31万元和7989.08万元，2020年成功实现了扭亏为盈。

　　从数据上不难看出，东芯股份在进入2021年后发展速度进一步提升。前三季度实现营业收入达7.85亿元，同比增长32.75%，实现归母净利润1.68亿万元，同比增长923.57%。

　　就盈利来看，东芯股份长期亏损，主要由于产品导入周期长、成本不具备优势、产品价格波动下滑、研发投入等，在2020年终于守的云看见月明，在营收增长的同时净利润扭亏为盈。

　　2018-2019年，东芯股份综合毛利率分别为22.28%、15.00%，而行业平均水平为34.25%、29.30%。对比同行业企业，公司毛利率竟然为行业“垫底”，亦远远低于行业平均水平。反观净利率两年持续为负数，公司造血能力不足。

　　进入2020年东芯股份接受华为哈勃投资入股，公司毛利率和行业平均值持平，2021年受益于全球“缺芯”，公司进入狂飙式发展，毛利率大幅领先行业平均水平。

　　“薄利”并未带来“多销”

　　从东芯股份的主营业务构成来看，近几年NAND和NOR产品业务保持增长趋势，其中NOR增长速度较。不过，DRAM的营收近几年一直处于下降趋势。

　　对于DRAM业务发展趋势与市场相悖，东芯股份表示，主要系公司产品结构调整所致。据招股书披露，东芯股份DRAM系列产品主要包括LPDRAM、DDR3、PSRAM、SDRAM等，东芯股份根据市场竞争情况，逐步收缩LPDRAM、DDR3产品线，因此，其对应收入在报告期逐步下降.

　　值得一提的是，收缩DRAM业务的同时，东芯股份也将面临丢失LG、瑞萨、索喜、惠尔丰、伟创力等下游客户的风险。而对上游单一供应商的依赖，则让其面临产品量产更高的不确定性。

　　近年来东芯股份产品的价格在不断下降。2019年，NAND系列产品、NOR系列产品、DRAM系列产品平均单价分别为3.74元/颗、2.01元/颗、3.82元/颗，较2018年下降31.6%、2.9%、36.5%。

　　但是，“薄利”并未给公司带来“多销”，其存货反而却不断增加。

　　应收款账库存金额节节攀升，影响现金流

　　2017年至2021年三季度，东芯股份的应收账款余额分别为4205.76万元、9773.15万元、1.47亿元和8955万元、2.7亿。占营业收入的比值分别为11.75%、19.16%、28.62%和11.4%、34.00%。可见其赊销力度正在加大，但回款效率却越来越低。

　　东芯股份在拓展市场、扩大产品占有率是通过让渡公司财务健康来达成的。

　　一旦出现应收账款回收周期延长甚至发生坏账的情况，将会给公司业绩和生产经营造成一定的影响；另一方面，较高应收账款余额将占用公司的营运资金，减少了公司经营活动产生的现金流量。

　　2017年至2021年三季度公司的存货的账面价值分别为1.88元、3.24元、4.16元及2.95、3.07，占总资产的比例分别为50.46%、49.58%、58.95%、38.9%、31%。对应的存货周转率分别为1.49、1.55、1.18、1.72、1.6，同样呈现持续下滑的态势。

　　东芯股份库存在2020年后占比虽有大幅下滑，但是金额确实非常庞大，高库存对于一个高科技公司来说并不是一件好事。

　　除了东芯股份日常备货之外，库存商品激增的另一个原因可能是东芯股份产品在拓展市场并非一帆风顺，在日益激烈的市场竞争中，产品或许处于劣势地位。

　　存货价值的激增意味东芯股份面临着存货跌价风险，若其未来不能有效地实施库存管理，或产品市场环境变化出现原材料、库存商品价格大幅下跌的情形，则存货价值存在进一步下跌的风险。

　　应收账款、库存金额的居高不下直接影响到东芯股份的现金流。

　　东芯股份的经营现金流多年为负值，2020年之前周转资金非常紧张。

　　技术人员离职，研发投入逐年下滑

　　1月28日公司董事、高级管理人员暨核心技术人员蒋铭先生因个人原因申请辞去相关职务，离职后将不再担任东芯股份任何职务。

　　2017年到2021年东芯股份三季度研发费用分别为6373.12万元、5019.60万元、4848.55万元、2389.20万元、4738万，占营业收入比例为17.80%、9.84%、9.44%、7.66%、6%，同时亦低于同行业平均研发费用率。

　　近年来，东芯股份研发投入停滞不前，研发实力与投入不及同行。芯片行业存在技术、产品更新周期较快的特点，企业需持续加大研发投入力度，进行新技术、新产品的开发。若未来公司的研发进度不及行业发展趋势的演进速度，业绩能否持续高增长犹未可知。

　　作为身处研发要求极高的半导体行业，持续下滑的研发费用，不知东芯股份是出于何种考虑？截止2020年上半年，东芯股份的发明专利仅有77项，而其列举的兆易创新，通过天眼查显示高达1449项，华邦电子超过2200个，在研发实力明显处于下风，专利和技术处于追赶期的情况下，东芯股份的研发投入显然太低了，未来与行业头部企业的差距可能越拉越大。

　　晶圆业务高度依赖中芯国际

　　东芯股份采用Fabless经营模式，产品生产相关环节委托晶圆代工厂、封测厂进行。2017年-2020年H1，东芯股份向前五大供应商的采购金额占采购总额的比例分别为88.44%、83.16%、83.81%及88.73%，集中度较高。

　　在晶圆制造方面，东芯股份主要委托中芯国际、力积电等晶圆代工厂进行晶圆加工制造。晶圆制造完成后，交由晶圆测试厂商按照东芯股份设计的测试方案进行晶圆测试。从近三年晶圆制造供应商情况来看，东芯股份将更多的晶圆代工业务往中芯国际转移。

　　从披露信息可知，2017年，东芯股份在中芯国际的晶圆采购额为7692.58万元，占采购总额的24.4%。2018年，东芯股份突然加大中芯国际的晶圆采购，当期采购额翻了近3倍至2.19亿元，占采购总额的四成；2019年继续追加中芯国际的采购额至3.04亿元。从逐年增加的数据可以看出，东芯股份的晶圆业务高度依赖中芯国际。

　　海外巨头的退出，成就东芯股份

　　存储芯片是应用面较广、市场比例较高的集成电路基础性产品之一，而国内如东芯股份这般提供完整存储解决方案的企业，则更为稀有。据悉，目前主流存储芯片主要为闪存与内存，闪存主要是NAND Flash、NOR Flash，内存便是DRAM。

　　东芯股份主攻中小容量市场，NAND Flash领域主要产品便是SLC NAND（NAND Flash可以分为SLC、MLC、TLC、QLC，其中中小容量主要使用SLC NAND，大容量SSD等产品主要使用MLC NAND、TLC NAND。）。其他两个存储芯片，也分别主攻中小容量NOR Flash以及利基型DRAM。

　　目前，东芯股份已进入三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系，产品被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备等终端应用。

　　整体看，东芯股份占中小容量存储芯片市场比例约为 0.54%，其中SLC NAND Flash 市场份额约为 1.26%，NOR Flash 产品市场份额约为 0.86%，利基型 DRAM 产品市场份额仅有 0.16%，与行业领先企业相比差距甚远。

　　除了市场份额差距外，东芯股份技术水平与与国际龙头厂商存在较大差距。从产品线上看，东芯股份在 2D NAND 方面主要为 SLC NAND，尚未涉及大容量的 MLC/TLC NAND。

　　从制程来看，三星电子已达到 16nm，美光科技已达到 19nm 制程，东芯股份尚只有24nm 制程；此外，东芯股份在NOR 方面亦落后于华邦电子的 45nm 制程；在 DDR/LPDDR 方面，东芯股份则全面落后于三星电子、海力士、美光科技的 1z nm 制程。

　　2021年前两季度，东芯股份NAND、NOR和DRAM产品营收分别为2.33亿元、8547.02万元和3127.35万元，营收占比分别为51.32%、18.80%和6.88%。东芯股份设计研发的24nm NAND、48nm NOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程，已达到可量产水平，实现了国内存储芯片的技术突破。”

　　不过，东芯股份并非在PC、手机、服务器等主流存储市场与国际龙头竞争，而是主攻中小容量市场。近年来，三星、SK海力士、镁光等厂商陆续从中小容量存储市场离场，将产能转向DRAM、NAND Flash以及高毛利的大容量NOR Flash市场。

　　巨头离场留下的市场空间，也成就了兆易创新、华邦电子等二线存储厂商。对于东芯股份来说，同样存在着广阔的发展空间。特别是随着国产化需求的不断提高，国内企业将迎来良好的发展契机。

　　巨头的离场并不意味着中小容量市场是个“鸡肋”。与之相反，5G、物联网以及汽车电子已成为推动中小容量市场发展的重要驱动力量。比如5G通讯设备、物联网都需要高速且稳定可靠的存储芯片作为各类数据站点。5G宏基站为例，其部署环境复杂恶劣，且需要全天候工作，中小容量SLC NAND在性能稳定性上具有明显的优势。

　　东芯股份和讯SGI指数评分出炉，公司获得77分,从整体上看近八个季度得分处于上升趋势，尤其是2021年发展后劲很足。

华为Mate40系列“自研闪存”源自长江存储？

本月初的时候，芯智讯报道了华为Mate40系列疑似采用了华为自研的闪存的消息，由此也引发了一些争论。而现在，最新的消息显示，华为Mate40系列有望采用长江存储的64层3D NAND闪存。

回顾此前的报道，根据网友对于华为Mate40 Pro的闪存性能的实际测试显示，华为Mate40 Pro的持续读取、写入速度分别达到了1966MB/s、1280MB/s，远高于其他旗舰手机。作为对比，采用UFS3.1闪存的小米10至尊版的读写速度分别为1772MB/s、789MB/s；三星Note20 Ultra分别为1750MB/s、736MB/s。从数据对比上来看，华为Mate40 Pro闪存写入提升十分明显，相比竞品的闪存性能，部分增幅甚至超过了70%。

对于Mate 40 Pro的闪存读写速度大幅优于其他旗舰机所采用的最新的UFS 3.1标准的闪存的测试结果，有网友爆料称，华为Mate 40 Pro、Mate 40 Pro+以及Mate40 RS保时捷设计均采用华为自研的一种新型闪存（或为sfs 1.0）。

而根据艾奥科技对于华为Mate40 RS保时捷设计的拆解也显示，其内部采用了印有海思Logo的闪存。也就是说，这款闪存芯片可能是基于华为自研的技术。

但是，我们都知道华为自己并不是存储芯片厂商，并且也不具备研发和生产闪存芯片的能力。而目前像三星、SK海力士、铠侠等主流的闪存厂商基本都是自研、自产、自销，也不存在为第三方代工存储芯片的业务。

不过，目前在存储领域，存在着另一种生意模式，就是一些不具备闪存颗粒生产能力的厂商，向三星、SK海力士、铠侠等主流的闪存厂采购闪存颗粒，然后加上自研的或者第三方的闪存控制器及固件，然后自己（或者委外）进行封装测试，印上自己的LOGO。比如江波龙、佰维存储、时创意等厂商。

所以，对于华为来说，其Mate40系列上出现的印有华为海思自己LOGO的闪存芯片，很可能就是向某些闪存大厂采购了闪存颗粒，然后加上了自研的闪存控制器（华为一直都有自己的自研闪存控制芯片），再通过第三方的封测厂来进行封装。这也能解释，为何Mate40 Pro的闪存性能远超其他UFS 3.1标准的闪存。

那么问题来了，华为是采用的哪家存储芯片厂商的闪存颗粒？

在11月18日的北京微电子国际探讨会上，长江存储CEO杨士宁公开表示，与国际存储大厂相比，该公司用短短3年时间实现从32层到64层再到128层的跨越，3年完成他们6年走过的路。此外，杨士宁还证实了一件事，那就是他们的64层闪存已经成功打入了华为Mate40系列的供应链，意味着未来有望使用在Mate40手机当中。他还借用一句网络用语，表示“出道即巅峰”。

资料显示，2019年9月，长江存储正式宣布，其64层堆栈3D NAND闪存已开始量产。该闪存全球首款基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存，即每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的3D闪存。

得益于长江存储自研的Xtacking技术，使得长江存储的64层3D NAND闪存则在读写速度和存储密度上得到了大幅的提升。

在I/O速度方面，目前NAND闪存主要沿用两种I/O接口标准，分别是Intel/索尼/SK海力士/群联/西数/美光主推的ONFi，去年12月发布的最新ONFi 4.1规范中，I/O接口速度最大1200MT/s（1.2Gbps）。第二种标准是三星/东芝主推的Toggle DDR，I/O速度最高1.4Gbps。不过，大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的I/O速度。而长江存储的Xtacking架构成功将I/O接口的速度提升到了3Gbps，实现与DRAM DDR4的I/O速度相当。

在存储密度方面，传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度（长江的64层密度仅比竞品96层低10~20%）。

今年4月，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。与此同时，长江存储的自研的Xtacking技术也进展到了第二代。

另外，在产能方面，根据TrendForce的数据显示，长江存储的目前的投片量已经达到了5万片/月，预计到明年年底将可提高到10万片/月。

而长江存储的64层3D NAND闪存自去年量产之后，目前已经获得了众多SSD品牌厂商的采用，不久前，长江存储还推出了自己的SSD品牌“致钛”，相关的产品也已经上市开售。不过，此次长江存储的64层3D NAND闪存打入华为Mate40系列供应链确实有点令人意外。

受去年5月美国禁令的影响，笔者认为，在去年长江存储64层3D NAND闪存成功量产之后，华为方面应该就已经开始了与长江存储的合作。虽然在今年8月，美国方面升级了对华为的禁令，禁止第三方基于美国技术的芯片或零组件厂商在没有获得许可的情况下向华为供货。但是，长江存储向华为供应的这批64层3D NAND很可能是在9月15日的最终期限之前完成交付的，所以没有违反禁令。

当然，长江存储肯定不是Mate40系列闪存的独家供应商，华为此前也储备了很多其他原厂的闪存芯片。据芯智讯了解，长江存储之前只是小批量向华为Mate40系列供应了一些闪存，至于是否是以闪存晶圆的形式供应的就不清楚了。另外，华为是否也向三星、SK海力士等购买了闪存晶圆也不得而知。

当然，从另一方面来看，存储芯片相比CPU等逻辑芯片来说，在设计的复杂度上可能要低一些，对于美系EDA软件的依赖度也较低，而且长江存储的闪存核心技术也主要是基于自研，同时，存储芯片对于制程工艺的要求也要比手机CPU更低。在从设计到生产的整个过程当中，对于美系软件、技术及设备的依赖度较低。

编辑：芯智讯-浪客剑

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