2023Q4 NAND闪存产值环比增长245%：三星环比增长448% 居首位

IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨询近日发布市场研究报告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 闪存产值 114.9 亿美元，环比增长 24.5%， 2024 年第 1 季度 NAND 产值将继续保持上涨，预估环比会继续增长两成。

三星

第四季营收以三星（Samsung）增长幅度最高，主要是服务器、笔记本电脑与智能手机需求均大幅增长。

三星该季度出货量环比增加 35%，平均销售价格环比增加 12%，带动营收上升至 42 亿美元，环比增加 44.8%。

SK 集团

SK 集团（SK Group）受惠于价格大幅回升，第四季营收达 24.8 亿美元，环比增加 33.1%，位居第二名。

西部数据

西部数据（Western Digital）第四季出货量环比减少 2%，但平均售价环比增加 10%，带动 NAND Flash 部门营收来到 16.7 亿美元，环比增长 7%。

铠侠

铠侠（Kioxia）获 PC 及智能手机客户备货订单，出货小幅成长，第四季营收为 14.4 亿美元，环比增长 8%。

美光

美光（Micron）为了改善获利，明显减量供应，出货量环比减少 10%，影响营收下滑至 11.4 亿美元，环比减少 1.1%。

NAND 闪存现货市场继续低迷。卖方考虑到销售天数延长，一直在积极报价，为达成交易提供议价空间；而买方由于急单减少，加上有充足库存应对相应需求，一直不愿进行上述报价。总体而言，NAND 闪存晶圆在低迷中经历了一定程度的增长。512Gb TLC 晶圆本周上涨了 4.28%，报 3.585 美元。

IT之家附上报告原文地址，感兴趣的用户可以深入阅读。

全球存储巨头争相扩产，中国厂商入局能否打破“铁三角”格局？

作为芯片进口大国，中国一年3000亿美元的芯片进口中，就有超过800亿美元来自于内存芯片，包括了DRAM芯片和NAND芯片。而在芯片缺货潮下，全球市场对于存储芯片的需求更是不断攀升。

6月29日，有消息称韩国存储器巨头SK 海力士将针对 2 月份才落成的 M16 新晶圆厂投资 8000 亿韩元 （约人民币 45亿元），用以采购包含 EUV 在内的生产设备。该工厂预计在今年年底前达到每月量产 1.8 万片 12 寸晶圆的目标。

而在此前，三星以及美光均对外发布了相关芯片的扩产计划。

同样在国内，也形成了以长江存储、合肥长鑫和福建晋华为首的国产存储阵营。根据世界半导体贸易统计组织数据显示，我国存储芯片市场规模从2015年的45.2亿美元已上升至2020年的183.6亿美元，业内预测，到2024年，国内存储芯片的市场规模有望突破500亿美元。

存储芯片价格两个月涨20%

炒内存条曾经被业内称为“比炒房还要赚钱的生意”。”

随着智能手机、服务器等终端的需求量激增，DRAM（主要包括PC内存、移动式内存、服务器内存）价格一路飙升。分析机构指出，DRAM Q2报价涨幅已进入全年峰值，从4月至6月累计涨幅将达到20-25%。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询表示，受今年上半年各终端买方积极备库存的带动，使存储器原厂库存偏低，目前DRAM原厂平均库存仅3~4周，NAND Flash供应商平均库存则为4~5周。存储器供应吃紧，上半年DRAM涨幅达20%。该机构预估，第三季整体DRAM价格将续涨约3~8%，NAND Flash则受enterprise SSD及wafer需求攀升，整体价格季涨幅将由原先的3~8%，上调至5~10%。

“目前仍在涨价阶段。”TrendForce集邦咨询分析师吴雅婷对第一财经记者表示，受惠于制程转换不易导致供给缩减等因素带动，供给位元成长低于需求位元成长，使得今年度DRAM呈现供货吃紧市况，价格持续走高。

吴雅婷对记者表示，目前的DRAM市场仍然由三星、SK 海力士以及美光三强鼎立，呈现“寡占”市场格局。

可以看到，存储产业一直是韩国半导体产业构成中重要的一环。在今年年初，韩国政府公布的半导体强国目标十年规划中就提到，到2030年，以三星和海力士为首的153家公司将总计投资超过4500亿美元用于半导体研发和生产。而海力士此次对EUV光刻机的投资也被业内视为存储器芯片扩产计划中的重要一步。

此外，过去EUV光刻机设备主要用于逻辑芯片代工，但随着三星在2020年将EUV光刻机导入第一代10纳米级（1x）DRAM存储器芯片量产的举动，标志着DRAM存储器芯片进入EUV时代。除此以外，三星还计划将在2021年大量生产基于第四代10纳米（1a）EUV工艺的16Gb DDR5/LPDDR5。

巨头的不断投入也在推高市场的整体增长。世界半导体贸易统计组织预计，2021年全球半导体总产值有望达到5272亿美元（约33700亿人民币），同比增长19.7%，其中存储芯片的产值将以31.7%的增幅高居第一。

国产企业追赶

在国家大力支持半导体产业发展的大背景下，中国半导体存储器基地于2016年开工建设，中国存储芯片也迎来了大发展。

虽然达到“技术自主研发”与“稳定量产规模”的目标仍需要时间，但目前国内企业已经形成了以长江存储、合肥长鑫以及利福建晋华为主的国产存储阵营。

6月28日，合肥长鑫第二期12寸厂房举行奠基仪式，有消息称新厂房是为未来进入1y nm以下工艺节点（接近15纳米工艺）所做的前期准备。但官方并未对这一消息予以确定。

不过可以看到，过去几年，合肥长鑫正在寻求DRAM内存芯的技术突破。

在2019年，合肥长鑫量产了19nm工艺的DDR4、LPDDR4内存，也是全球第四家DRAM产品采用20nm以下工艺的厂商。根据目标规划，今年将完成17nm技术研发。

而在今年3月，合肥产投集团在其官微提到合肥长鑫发展情况时指出，目前长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资1500亿元，截至2020年底，合肥长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目提前达到预期产能。

而另一家存储企业，长江存储CEO杨士宁(Simon)曾说过：“存储不是一个好做的行业，比我在英特尔做CPU还要难。”

但经过三年的技术攻坚，长江存储芯片月产能已达到30万片，产品覆盖64层3D NAND闪存和128层3D NAND闪存规格多款产品。此前华为mate40系列使用的闪存，出自长江存储的64 层 3D NAND。

此外，国家已出台一系列产业政策，支持存储产业发展。

但随着中国存储器厂商陆续进入设备安装阶段，市场的变动也在“挑战”着国际巨头们的神经。

半导体调研机构IC Insights总裁曾表示，三星、海力士和美光占据着市场95%以上的份额，在专利侵权方面倾向于相互之间睁一只眼闭一只眼，理论上，由于它们都拥有如此庞大的专利库，所以彼此之间的专利争夺战是没有任何意义的。“但是，如果一家新公司进入市场，他们将不会给予这样的优待。”对于三星和海力士来说尤其如此。

换言之，目前国产存储企业面对的挑战是一场长距离赛跑，当面对巨头们打出的“反周期定律价格战”、“技术专利战”时应该随时有所准备。

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