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mmc nand 存储芯片 emmc，Nand flash，Nor flash之间有什么区别

发布时间 : 2024-11-23

作者 : 小编

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存储芯片 emmc、Nand flash、Nor flash之间有什么区别

随着存储领域的发展，有很多不同的存储介质，今天ICMAX就带大家来分一分emmc、Nand flash、Nor flash之间的区别。

一、定义及区别

emmc：全称为embeded MultiMedia Card，是一种嵌入式非易失性存储器系统，由Nand flash和Nand flash控制器组成，以BGA方式封装在一款chip上。

Nand flash：一种存储数据介质；若要读取其中的数据，需要外接的主控电路。

Nor flash：也是一种存储介质；它的存储空间一般比较小，但它可以不用初始化，可以在其内部运行程序，一般在其存储一些初始化内存的固件代码。

这里主要重点讲的是emmc 和Nand flash 之间的区别，主要区别如下：

(1) 在组成结构上：emmc存储芯片简化了存储器的设计，将NAND Flash芯片和控制芯片以MCP技术封装在一起，省去零组件耗用电路板的面积，同时也让手机厂商或是计算机厂商在设计新产品时的便利性大大提高。而NAND Flash仅仅只是一块存储设备，若要进行数据传输的话，只能通过主机端的控制器来进行操作，两者的结构图如下：

(2) 在功能上：eMMC则在其内部集成了 Flash Controller，包括了协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能。相比于直接将NAND Flash接入到Host 端，eMMC屏蔽了 NAND Flash 的物理特性，可以减少 Host 端软件的复杂度，让 Host 端专注于上层业务，省去对 NAND Flash 进行特殊的处理。同时，eMMC通过使用Cache、Memory Array 等技术，在读写性能上也比 NAND Flash要好很多。而NAND Flash 是直接接入 Host 端的，Host 端通常需要有 NAND Flash Translation Layer，即 NFTL 或者 NAND Flash 文件系统来做坏块管理、ECC等的功能。另一方面，emmc的读写速度也比NAND Flash的读写速度快，emmc的读写可高达每秒50MB到100MB以上；

二、emmc的初始化和数据通信

emmc与主机之间通信的结构图：

其中包括Card Interface（CMD，DATA，CLK）、Memory core interface、总线接口控制（Card Interface Controller）、电源控制、寄存器组。

图中寄存器组的功能见下表：

CID: 卡身份识别寄存器 128bit,只读，厂家号，产品号，串号，生产日期。

RCA: 卡地址寄存器，可写的16bit寄存器，存有Device identification模式由host分配的通信地址，host会在代码里面记录这个地址，MMC则存入RCA寄存器，默认值为0x0001。保留0x0000以用来将all device设置为等待CMD7命令状态。

CSD: 卡专有数据寄存器部分可读写128bit，卡容量，最大传输速率，读写操作的最大电流、电压，读写擦出块的最大长度等。

SCR: 卡配置寄存器，可写的 64bit 是否用Security特性(LINUX不支持)，以及数据位宽（1bit或4bit）。

OCR: 卡操作电压寄存器 32位，只读，每隔0.1V占1位，第31位卡上电过程是否完成。

（5）Device Identification Mode和初始化

MMC通过发CMD的方式来实现卡的初始化和数据通信

Device Identification Mode包括3个阶段Idle State、Ready State、Identification State。

Idle State下，eMMC Device会进行内部初始化，Host需要持续发送CMD1命令，查询eMMC Device是否已经完成初始化，同时进行工作电压和寻址模式协商：eMMC Device 在接收到这些信息后，会将OCR的内容（MMC出厂就烧录在里面的卡的操作电压值）通过 Response 返回给 Host，其中包含了 eMMC Device 是否完成初始化的标志位、设备工作电压范围 Voltage Range 和存储访问模式 Memory Access Mode 信息。

如果 eMMC Devcie 和 Host 所支持的工作电压和寻址模式不匹配，那么 eMMC Device 会进入Inactive State。

Ready State，MMC完成初始化后，就会进入该阶段。

在该 State 下，Host 会发送 CMD2命令，获取eMMC Device 的CID。

CID，即 Device identification number，用于标识一个 eMMC Device。它包含了 eMMC Device 的制造商、OEM、设备名称、设备序列号、生产年份等信息，每一个 eMMC Device 的 CID 都是唯一的，不会与其他的 eMMC Device 完全相同。

eMMC Device 接收到CMD2后，会将 127 Bits 的CID的内容通过 Response返回给 Host。

Identification State，发送完 CID 后，eMMC Device就会进入该阶段。

Host 会发送参数包含 16 Bits RCA 的CMD3命令，为eMMC Device 分配 RCA。设定完 RCA 后，eMMC Devcie 就完成了 Devcie Identification，进入 Data Transfer Mode。

注：emmc初始化和数据通信的过程，有点类似USB协议，USB控制器去发送请求给USB设备，以IN包和OUT包的形式去建立与USB设备之间的通信，默认状态下，USB设备也是0地址的，与控制器分配设备地址。（感兴趣的可以看一下USB2.0的协议，主要是第8和9章内容）

三、eMMC工作电压和上电过程

根据工作电压的不同，MMC卡可以分为两类：

High Voltage MultiMediaCard，工作电压为3.3V左右。

Dual Voltage MultiMediaCard，工作电压有两种，1.70V~1.95V和2.7V~3.6V，CPU可以根据需要切换

我所使用的eMMC实测工作电压VCC为2.80V~2.96V，VCCQ为1.70V~1.82V。

其中VCC为MMC Controller/Flash Controller的供电电压，VCCQ为Memory和Controller之间I/O的供电。

上电初始化阶段MMC时钟频率为400KHz，需要等电压调整到它要求的VCC时（host去获取OCR中记录的电压值，上面有说），MMC时钟才会调整到更高的正常工作频率。

随笔20：中国半导体产业的思考：2018年存储高景气持续-1

随笔20：中国半导体产业的思考：2018年存储高景气持续，编码型存储器>DRAM>NAND

科技真相科技红利及方向型资产研究 2018-03-18

伴随着《中国半导体产业的思考-随笔》的推出，2017年半导体产业走出了凌厉的增长态势。时间来到2018年，市场很多朋友对于2018年的产业走势又一次周期性的产生了担忧；为什么说是周期性呢？如果跟踪《随笔》更新接近快1年的朋友，一定记得，市场其实一直在担心后续市场景气度（比如，17Q1担心2季度淡季，17H1担心下半年景气下滑；17H2担心2018年景气不支）而我们从2017年1季度末推出“第一篇随笔”开始，就明确提出，随笔逻辑至少看3年以上，这是一轮十年大周期，驱动因素来自于“硅片供需剪刀差”，具体可以参见《随笔1和2》的核心逻辑。那么进入到2018年，半导体行业特别是存储行业景气度到底如何？我们此篇随笔将详细为大家呈现。

到目前为止，全球主要的半导体17Q3/Q4数据均已披露，此篇将全面分析半导体存储器核心厂商，包括中国台湾的旺宏、华邦电、南亚科；韩国的三星、海力士；美国的美光；中国大陆的兆易创新等7家公司财报（由于大陆兆易创新年报4月底发布，暂缺单独分析；到时等年报披露后深入解析）我们将2018年的全球存储芯片行业总结为高景气全面/大幅创历史，细分子行业景气程度排序：编码型存储器（NOR FLASH + SLC NAND FLASH）>DRAM>NAND FALSH。

17Q3/Q4各大主要存储器厂商继续全面、大幅创下历史新高： 1）旺宏——连续2个季度创历史新高，较上一次高点提升25%；2）华邦电——连续3个季度创历史新高，较上一次高点提升22%；；3）三星、海力士——连续5个季度创历史新高，较上一次高点分别提升98%、75%；4）美光——连续4个季度创历史新高，较上一次高点分别提升49%；在一个看似没有所谓“爆款”电子产品的时代，为什么会出现全面、大幅超越历史高点的情况？随笔鲜明指出的两大逻辑“硅片剪刀差”（供给端）+“第四次硅含量提升”（成长端）=Super Cycle。驱动因素的变动，将是这波高景气“亮瞎”所谓周期分析师眼的原因，随笔逻辑至少看3年以上 。17Q3/4各家厂商纷纷创出历史新高财报，对于2018年的景气度持续无一例外的做出积极展望。各细分产业链乐观程度排序为：编码型存储器（NOR FLASH+SLC NAND FLASH）>DRAM>NAND FALSH。本轮涨价在十年来的景气高度是需要重点关注的。1）编码型存储器方面，龙头大厂虽然未明确表明配销模式，但从库存高企与行业景气度展望至少到2019年的反差说明，实际仍然在执行惜售涨价战略；旺宏与华邦电纷纷判断行业进入成长模式 ，需求来自于数据中心、人脸识别、车载产品、智能音箱、5G/物联网等。 2）DRAM方面，继续淡季出现十年来首次的惜售涨趋势之后，在旺季海力士17Q4、美光17Q3又纷纷出现惜售涨价的趋势；各大厂商均乐观看待后市，特别是服务器市场与低功耗等市场的旺盛。 3）NAND方面，由于消费级传导不佳，使得部分厂商价格微跌，但目前放量仍比较克制，仍处于较好的供需结构；后续重点关注回避消费级执行不佳的部分，带来的影响情况。 半导体十年一遇的超级景气周期才刚上路！ 在17Q3/Q4从库存的角度，DRAM与NAND是比较正常的高增长、低库存增速的超高景气模式。编码型存储器公司相关产业链库存与收入关系最为优秀（景气尚处于抢夺库存的第一阶段）， 龙头公司经历过上半年配售模式之后，依然执行惜售涨价战略；在2018年的展望中，我们可以看到新增产能完全由大陆厂商把控，即产业链话语权已交给了兆易创新等公司 。追赶者兆易创新即使在公司大幅增长的2017年，库存增长依然做到了与收入的匹配；加上“国家队类IDM”的供应体系，2018年在面对高景气战争的第二年，足够的弹药意味着市场份额快速提升的能力、意味着客户与新增市场抢夺的能力。 最高景气子行业——编码型存储器行业对比：兆易创新最为优秀。 1）存货周转天数对比：旺宏与华邦电存货周转天数旺季开始之后进入下降通道，与俩家公司对2018年作出的高景气判断，形成了鲜明反差；我们大胆预测2018年为了把控市场与核心客户，编码型存储器公司有可能重回惜售涨价的战略。而兆易创新作为大陆唯一的存储器量产供应商，表现出面对巨大进口替代与行业成长空间足够的“饥渴度”—— 存货周转天数持续提升，2018年在美光等核心大厂正式退出编码型存储器领域之际，其具备了足够的能力去迎接巨大的产业供需缺口。 2）应收账款周期天数对比：超高景气背景下，大客户战略拖累旺宏与华邦电，应收账款周期天数上升；兆易创新作为后进入者在面对高景气周期之时表现出优秀的客户把控力 。话语权从终端转向上游芯片是这一波景气周期价值量转移的核心表现，能够做好这种价值量转移准备的公司，将在2018年（高景气第二年）获得更优秀的客户/市场份额弹性。

强调结论：半导体存储器涨价引发的趋势的力量，进而带来的业绩弹性的力量！随笔系列中，我们一直告诉大家的是，十年高景气的半导体涨价中，受益最大、最确定的投资机会就是存储器，存储器领域最具有弹性的就是编码型存储器（NOR+SLC NAND）。买入存储器，编码型存储器（NOR+SLC NAND），回避消费级。

注：力求动态展现主要存储器厂商的季度变动情况，本文将分别依次做17Q3-17Q4的经营分析

图表：17Q3全球主要存储器厂商量价季度变动统计：旺季呈现量价齐升

图表：17Q4全球主要存储器厂商量价季度变动统计：旺季呈现量价齐升

正文：

下面我们一一进行分析，通过海外同行业公司2017年3季报与4季报分析，感受一下超级景气周期的力量，趋势的力量！

1、17Q3/Q4继续全面/大幅创历史新高，超高景气周期SuperCycle进行时

在一个看似没有所谓“爆款”电子产品的时代，为什么会出现全面、大幅超越历史高点的情况？随笔鲜明指出的两大逻辑“硅片剪刀差”（供给端）+“第四次硅含量提升”（成长端）=SuperCycle。驱动因素的变动，将是这波高景气“亮瞎”所谓周期分析师眼的原因，具体推荐阅读《中国半导体产业的思考—随笔》系列报告。

17Q3/4各家厂商纷纷创出历史新高财报，对于2018年的景气度持续无一例外的做出积极展望。各细分产业链乐观程度排序为：编码型存储器（NORFLASH+SLC NAND FLASH）>DRAM>NAND FALSH。本轮涨价在十年来的景气高度是需要重点关注的。1）编码型存储器方面，龙头大厂虽然未明确表明配销模式，但从库存高企与行业景气度展望至少到2019年的反差说明，实际仍然在执行惜售涨价战略；旺宏与华邦电纷纷判断行业进入成长模式 ，需求来自于数据中心、人脸识别、车载产品、智能音箱、5G/物联网等。 2）DRAM方面，继续淡季出现十年来首次的惜售涨趋势之后，在旺季海力士17Q4、美光17Q3又纷纷出现惜售涨价的趋势；各大厂商均乐观看待后市，特别是服务器市场与低功耗等市场的旺盛。 3）NAND方面，由于消费级传导不佳，使得部分厂商价格微跌，但目前放量仍比较克制，仍处于较好的供需结构；后续重点关注回避消费级执行不佳的部分，带来的影响情况。

我们在随笔第二篇《涨价谁最受益？谁受损？》中，提示风险“分析了半导体硅片涨价受益品种的路径传导图后，我们看好存储器、晶圆前端制造、易耗品，设备、回避消费级芯片 ”。在17Q3/Q4，旺宏提提升物联网相关与汽车业务比例，降低消费级比例；华邦电行动记忆体(Mobile DRAM)表现一般，消费级在旺季依然未能实现扭转。三星战略没有提及手机市场，而是专注于大数据/AI需求的数据中心市场。 美光DRAM手机的占比持续下降，服务器领域的占比持续提升；NAND消费级占比超过50%，虽然在Q2针对性调整，但随着旺季到来，消费级提升较大，因此拖累其业务表现、价格微跌。

1.1、台湾旺宏：旺季业绩创下十年最夯，编码型FLASH开启长期成长模式

1）17Q3：旺季业绩创下十年最夯，NOR/SLC NAND FLASH全面缺货

17Q3单季度，公司实现收入104.67亿新台币，同比增长48%，环比增长59%。我们在2季度展望中预测，“此轮景气周期中公司的收入水平将大幅超过历史最高值 ”。17年旺季的第一个季度即大幅创下了历史最高的收入水平，公司之前的季度收入历史最高值为08-10年的80-85亿新台币；即此轮景气周期刚启动的第一个旺季，公司收入水平即轻松大幅突破了历史十年季度高点，较最高点提升了23-31%的幅度。

公司在此前17Q1-Q2连续两个季度实行配销制度，此次法说会并没有明确再提及此公司战略，但我们从库存的分析中仍然可以看到，即使在传统旺季，公司的产品释放仍然“比较克制” （后续库存分析部分我们会作出对比）。公司表示，目前各产品均处于缺货状态，预计4季度仍然将环比景气持续提升。 公司的表态受制于商业竞争因素等考虑，我们预计此轮十年之景气周期才刚上路，NOR/SLCNAND FLASH全球龙头将在未来的几个季度继续创出历史新高的收入水平。

图：旺宏收入季度情况

惜售涨价的背景下，盈利能力迎来快速提升。 收入虽然创下了历史季度新高，但公司盈利能力尚未恢复到十年历史新高水平；我们认为，此于公司“比较克制”的产品出货，后续有望见到持续的产品线盈利能力提升。2017年3季度公司盈利能力依然十分亮眼，实现净利润21.23亿新台币，同比增长235%，环比增长245%；单季度毛利率38.4%，同比提升7.7个百分点，环比提升4.7个百分点；净利润率20.3%，同比提升11.4个百分点，环比提升10.9个百分点。公司的惜售涨价策略仍将维持较长时间，盈利能力有望继续大幅提升，我们预计盈利能力将在未来几个季度创下十年周期之最亦在情理之中。

图：旺宏盈利季度情况

分产品来看，三大业务均实现较好增长。17Q3，NOR同比增长36%，环比增长23%；NAND同比增长78%，环比增长100%；ROM同比增长70%，环比增长209%。

NOR产品方面，1）公司预计将继续保持全球龙头位置。 （旺宏作为串行NOR FLASH龙头在性价比优势方面明显，后续随笔我们会对于NOR FLASH发展历史做进一步分析，解读台湾与大陆企业在串行NOR崛起之原因）2）≤75nm制程产品占17Q3 NOR收入54%，环比提升4个百分点。3）公司以业界最佳的产品品质与效能，在全球客户获得更多业务与市占率。4）公司表示，产品缺货将持续。 5）应用领域来看，17Q3物联网相关的consumer与I.M.A.板块提升了3个百分点。

SLC NAND FLASH产品方面，继17Q2公司产品进入配销模式后，17Q3出现量价齐升局面，收入环比翻番；实际需求高于了公司预期 。先进制程方面，19nm SLCNAND FLASH可望于明年下半年量产。

2）17Q4：继续创历史季度新高，编码型FLASH开启长期成长模式

17Q4单季度，公司实现收入105.57亿新台币，同比增长56%，环比增长1%。在17Q3大幅创下历史十年季度新高之后，继续创历史季度新高。我们发现，在十年前次高点的09-10年度，公司季节性因素一般在17Q3旺季之后，Q4会有比较快速的回落，09Q4、10Q4环比下降幅度分别为12%、33%；而此次超级景气周期中，旺宏Q4依然维持了环比增长。数据告诉我们这次十年景气周期确实不一样！（具体请阅读随笔前序文章）

作为目前NOR/SLC NAND FLASH龙头企业之一，公司2017年实现收入342亿新台币，创历史新高，同比增长42%；较10-11年280亿左右的历史高点收入水平，增长了22%。 与3季度一致，通过库存分析依然可以看到，公司的产品释放依然“比较克制” （后续库存分析部分我们会作出对比）。公司表示，2018年的成长动能来自于数据中心、电信与车载产品等，2018年需求仍然强劲。此结论，亦符合我们对于2018年需求侧的判断，编码型FLASH（包括NOR/SLC NAND FALSH）已开启了长期成长模式，后续我们将分别在后续随笔中作出分析。

图：旺宏收入季度情况

惜售涨价的背景下，盈利能力迎来快速提升。 收入虽然创下了历史季度新高，但公司盈利能力尚未恢复到十年历史新高水平；我们认为，此于公司“比较克制”的产品出货，后续有望见到持续的产品线盈利能力提升。2017年4季度公司盈利能力依然十分亮眼，实现净利润25.76亿新台币，同比增长266%，环比增长21%；单季度毛利率43.4%，同比提升11.4个百分点，环比提升5.0个百分点；净利润率24.4%，同比提升14.0个百分点，环比提升4.1个百分点。我们预计盈利能力将在未来几个季度创下十年周期之最亦在情理之中。

图：旺宏盈利季度情况

分产品来看，NAND业务增长最好。17Q4，NOR同比增长36%，环比增长0%；NAND同比增长165%，环比增长48%；ROM同比增长63%，环比下滑23%。

NOR产品方面，1）≤75nm制程产品占17Q4 NOR收入60%，环比提升6个百分点。3）公司强调是业界最佳的产品品质与效能，专注于高品质/高容量的产品市场。3）公司表示，2018年成长动能来自于数据中心、电信与车载产品等。 5）应用领域来看，17Q4物联网相关的consumer与I.M.A.板块继续环比提升，提升了2个百分点；汽车领域环比提升1个百分点。6）消费级领域，环比下滑4个百分点 ；回避消费级一直是我们在本轮超级景气中重点强调回避之领域。

SLC NAND FLASH产品方面， 17Q4继续呈现量价齐升局面，环比增长48% 。公司预计2018年需求仍然强劲，将成为2018年的主要成长动力。

旺宏判断，NOR FLASH供不应求至少要到2019年才有望解决。 公司表示，NOR FLASH、SLC NAND FLASH持续供不应求，预计缺货状况将延续到明年。公司暂时没有扩产计划，希望能让好的生态环境持续较长时间。旺宏表示，2018年全球产能扩充仅来自于大陆，因此其对于大陆优势领域的中低容量产品价格没有话语权。我们认为，NOR FLASH产能话语权已悄然交至大陆厂商兆易创新手中，期待2018年精彩的中国存储芯片崛起之路。

旺宏法说会第一次提及5G应用，MCU+存储的成长之路，将获得5G通信产业的加持。 旺宏表示，“5G产业一定需要内存，可以是NOR、SLC NAND或者是e.MMC NAND等。”公司认为，除供给端美系大厂的退出的因素外，同时终端需求面也不断成长，包括物联网的应用增加、TDDI芯片搭载NOR FLASH需求等，此次增加5G需求之加持，未来几年NOR FLASH应用面需求还会持续增加。供需缺口扩大的趋势，短期改变的可能性不高。公司的表态符合随笔逻辑判断，剪刀差导致的高景气才刚刚开始。

1.2、台湾华邦电：连续3个季度刷新十年最夯，编码型FLASH/利基型DRAM 2018年供需格局优秀

注：华邦电未披露17Q3数据，17Q4/Q3合并分析

17Q3单季度看，公司实现收入125.5亿新台币，同比增长17%，环比增长10%；其中，内存业务实现收入100.77亿新台币，同比增长19%，环比增长13%。公司整体营收以及内存营收均实现，继17Q2突破历史最高季度收入记录之后，Q3继续创下历史新高记录。

17Q4单季度看，公司实现收入132.06亿新台币，同比增长23%，环比增长5%；其中，内存业务实现收入108.35亿新台币，同比增长26%，环比增长8%。公司整体营收以及内存营收均实现，连续3个季度创下历史新高记录。

图：华邦电收入季度情况

图：华邦电存储芯片季度收入

17Q3/Q4盈利能力连续创十年季度最佳。 2017年3季度财报，单季度净利润21.66亿新台币，同比增长228%、环比增长99%；毛利率36.9%，同比上升9.2个百分点，环比上升4.3个百分点。相较于十年历史最高的2010年3季度，净利润与毛利率均创下新高。

2017年4季度财报，单季度净利润18.47亿新台币，同比增长112%、环比下降15%；毛利率37.8%，同比上升9.6个百分点，环比上升0.9个百分点。毛利率继续创下十年新高，净利润环比略有下滑，预计与年底计提各项费用与奖金有关。

内存盈利能力方面，2017年第三季度财报，毛利率达34.7%，同比提升11个百分点，环比提升5个百分点；2017年第四季度财报，毛利率达36.4%，同比提升12个百分点，环比提升2个百分点。公司十年间内存最高毛利率为29%，公司连续2个季度刷新历史季度新高。

图：华邦电盈利能力季度情况

图：华邦电存储芯片毛利率季度变动

华邦电内存包括三类产品：包括利基型DRAM、行动记忆体(Mobile DRAM)、以及快闪记忆体(Flash Memory)。快闪记忆体表现亮眼，继17Q2首次成为公司最大比重业务之后，在17Q3Q4，分别占营收比重提升到49%、52%，成为公司主要驱动业务板块。

17Q3快闪记忆体(Flash Memory)，收入环比上升23%，同比增长56%；17Q4快闪记忆体(Flash Memory)，收入环比上升15%，同比增长73%。1）强劲需求带动有利于平均价格上涨，同时产能增加。2）各种应用与终端产品的位元搭载量增加，带动NOR FLASH与SLC NAND的需求成长。 17Q3利基型DRAM，收入环比增长6%，同比下降6%；17Q4利基型DRAM，收入环比下降1%，同比下降2%。营收季度增长受限于产能。产能调配到景气度更高的快闪记忆体领域； 毛利率提升，源自于更优秀的产品组合。17Q3行动记忆体(Mobile DRAM)，收入环比下降1%，同比增长1%；17Q4行动记忆体(Mobile DRAM)，收入环比增长6%，同比下降2%。低密度行动记忆体需求持续增加；手持应用的业务扩大。消费级在旺季依然未能实现扭转。

图：华邦电存储芯片季度收入占比

华邦电对于编码型FLASH（快闪记忆体）和利基型记忆体2018年判断持续乐观：

1）编码型FLASH（快闪记忆体）：

需求方面，来自于位元搭载数量提升+新应用拓展

位元搭载数量提升：在智能安防、XPON光接入、PC BIOS系统等领域快速提升。 新应用：智能音箱、人脸识别、无线蓝牙耳机、AMOLED、车载应用等

供给方面，新增产能有限，主要来自于中国大陆厂商

对于SPI NOR FLASH，主要厂商铸件不再关注此市场或是产能扩张有限，且5X/4Xnm技术提升速度减缓；晶圆产能预计增长13%，主要来自于中国大陆厂商（我们预计即是兆易创新，符合我们的供需格局判断，2018年开始话语权将转移到大陆厂商手中——兆易创新“类IDM模式”下的国家队产业链）。 对于SLC NAND FLASH，全球晶圆产能持续平，主要大厂聚焦于3D NAND。

2）利基型DRAM：

需求方面，来自于位元搭载数量提升+新应用拓展

位元搭载数量提升：在PON光接入、HDD等领域提升。 新应用：智能音箱、人工智能ASIC、挖坑机、工业4.0（物联网、车载等）等

供给方面，摩尔定律失效，中低密度扩充更为有效；但智能手机产能转移会增加部分产能。

整体DRAM：HIS预计2018年DRAM晶圆产出增长2.8%；先进制程转换速度趋缓（摩尔定律失效）。 中低密度DRAM：新产能规划主要为密度（＞4G）DRAM；智能手机市场放缓导致主要DRAM厂商将部分产能转移至利基型DRAM。

1.3、台湾南亚科：计划中的量价齐升，2018年供需平稳且健康

1）17Q3：预计17Q4价格续升，2018年供需平稳且健康

17Q3收入快速增长，消费旺季、汽车与工规占比仍然提升。 17Q3单季度看，公司实现收入132.93亿新台币，同比增长30%，环比增长5%。公司3季度20nm产品开出；此外，汽车与工规产品环比提升0.8个百分点至9.1%。公司曾在中报将年度低功耗产品比重由1季度定下的20%提升至20-30%。密切关注低功耗产品的市场增长能力以及涨价的传导能力，符合我们在随笔2涨价传导逻辑的判断。

图：南亚科收入季度情况

图：南亚科产品应用占比17Q2/Q3变动情况

惜售涨价趋势持续，2018年逐步放量。 DRAM均价季度增加2.3%，位元销售量季度增加2.9%；虽然位元销售量较均价提升幅度略高，但考虑到旺季放量的季节性因素，销售增速仍处于惜售涨价战略范畴。公司计划Q4位元季度十位数增加；预计2017年位元销量与2016年持平；2018年位元销售量预计增长45%。

惜售涨价带来毛利率大幅提升，盈利显著！ 17Q3毛利率44.2%，环比增加0.3个百分点，同比增加13.2个百分点；公司自13年实现产品线量产扭亏以来的季度最高毛利率48.6%，预计有望突破毛利率历史高位。17Q3实现净利润85.74亿新台币，环比增长33%、同比增长512%。

图：南亚科盈利季度变动情况

南亚科对于17Q4/2018年DRAM后市判断乐观：

供给面：17Q4持续持续吃紧，位元成长主要来自于制程转换。2018年预计DRAM供给温和成长，年增速约21%-23% 。需求面：17Q4：1）服务器与大数据中心需求热度不减，随着AI需求发酵，后续成长可期，存储容量持续攀升。 2）PC市场以商务为主，消费市场为辅，明年仍侧重商务NB市场需求。3）各大品牌推出旗舰新机等利多因素，带动终端需求动能；内存容量维持约3-6GB。4）消费性市场进入传统旺季，需求增加；另外，游戏机与智能语音助手等需求有望推升另一波需求动能。需求面：2018年DRAM需求成长稳健，预计年增长约22-24%。价格：供给持续吃紧，维持Q4产品均价持续上涨格局，2018年DRAM整体市场供需平稳且健康。

2）17Q4：计划中的量价齐升，2018年依旧美妙

17Q4收入接近十年最高点。 17Q4单季度看，公司实现收入167.83亿新台币，同比增长39%，环比增长26%；接近09Q4十年历史最高季度的169亿新台币。

计划中的量价齐升，2018年依旧美妙。 DRAM均价季度增加6.9%，位元销售量季度增加18.7%；4季度迎来了量价齐升的美妙阶段，但从库存角度来看，公司仍处于良性发展趋势中；这从公司后面2018年的展望以及库存分析亦能佐证。公司计划18Q1位元季度增长约高个位数百分比；维持2018年位元销售量预计增长45%的成长计划。

图：南亚科收入季度情况

毛利率创下历史新高！ 17Q4毛利率49.8%，环比增加5.5个百分点，同比增加18.8个百分点；公司顺利突破毛利率历史高位，创下13年盈利以来新高。17Q3实现净利润219.78亿新台币，考虑到有较大一部分的出售股票等一次性收益，不对净利润做展开分析。

图：南亚科盈利季度变动情况

注：提出一次性投资收益较多的季度

南亚科对于18Q1/2018年DRAM后市判断乐观：

18Q1供货将持续吃紧，平均销售单价走势稳健；预计2018年上半年整体DRAM市场供需稳定 。需求面：2018：1）2018年伺服器及PC市场：伺服器成长来自资料中心，另有电信商换机潮等潜在商机。随着5G、人工智能（AI）的兴起及各种云端服务增加，伺服器DRAM需求成长可期；PC市场仍以商务机（换机潮）及电竞机种（吃鸡游戏带动的PC升级）销售为主。 2）2018年手机市场：人工智能（AI） 逐步导入高阶手机，可持续带动记忆体搭载量攀升中高阶Android手机，DRAM搭载量容量维持约4-6GB。3）2018年消费性市场：运动赛事来临，有望刺激电视、机顶盒及相关网通产品需求增加；另外，挖矿机、游戏机及智能语音助理等需求有望持续推进DRAM需求动能。供给面：预计2018年DRAM供给温和成长；数家DRAM厂已公告，规划于2018年下半年增加产能。

1.4、韩国海力士：DRAM重回惜售涨价，NAND旺季放量仍不足

1）17Q3：连续2个淡季惜售涨价之后，旺季放量仍不足

海力士收入连续第四个季度创历史新高！ 17Q3实现收入8.1万亿韩元，同比增长91%，环比增长21%，继16Q4、17Q1-17Q2连续创历史新高之后，连续第四个季度创历史新高记录！

DRAM与NAND市场环境保持良好状况，收入持续增长。

DRAM方面，创纪录的需求量来自于两份面：1）手机市场传统旺季需求；2）持续强劲的服务器市场需求。DRAM在3季度的价格上涨来自于所有应用领域。 NAND方面，位元出货量增长来自于手机市场的季节性需求提升，3季度是传统意义上新手机发布季节，而NAND用量显著提升。均价略有下滑是因为在3季度占比较大的高密度手机产品，其位元价格相对较低，各个产品线价格依然持续紧张。

图：海力士收入季度情况

需求与涨价共振，盈利连续第三个季度创历史！ 净利润， 2017Q3，单季度为3.06万亿韩元，同比增长411%、环比增长24%；毛利率58%，同比提升24个百分点，环比提升1个百分点；净利润率38%，同比提升24个百分点，环比提升1个百分点。公司盈利情况继续表现出惊人弹性，毛利率、净利率均创历史新高。

图：海力士盈利季度变动

连续2个淡季惜售涨价之后，旺季放量仍不足！我们统计了海力士十年来的DRAM与NAND量价季度变动情况发现，十年来公司第一次出现惜售涨价战略，17Q1-Q2连续2个季度在淡季出现惜售涨价趋势；在经历惜售涨价的淡季准备之后，17Q3旺季依然放量不足。我们认为，即使最先启动存储器景气周期的DRAM/NAND芯片，目前的量价关系依然处于十分优秀的状态。此轮涨价周期的景气将超过十年来任何一次的景气周期。

图：海力士DRAM芯片量价季度变动情况

图：海力士NAND芯片量价季度变动情况

2）17Q4：DRAM重回惜售涨价，NAND旺季放量仍不足

海力士收入连续第五个季度创历史新高！ 17Q4实现收入9.0万亿韩元，同比增长69%，环比增长11%，继16Q4、17Q1-17Q3连续创历史新高之后，连续第五个季度创历史新高记录！

DRAM与NAND市场环境保持良好状况，收入持续增长。

DRAM方面，创纪录的需求量来自于两份面：1）PC与服务器市场DRAM需求持续增长；2）新机型发布导致手机市场需求增加。DRAM在4季度的价格上涨亦来自于所有应用领域。 NAND方面，位元出货量增长来自于手机市场的季节性需求提升，4季度是传统意义上新手机发布季节；超薄NB对SSD需求依然增长；3D NAND在SSD使用比例在增加。整体来看，手机旺季开始之后，手机市场特别是中国手机市场需求提升，加上手机存储器提升即手机PC化的进程，内存与闪存均将表现出强劲走势。此外，未来服务器市场是海力士持续看好的强劲需求领域，将是市场需求持续走强的重要保证 。

图：海力士收入季度情况

需求与涨价共振，盈利连续第四个季度创历史！ 净利润， 2017Q4，单季度为3.22万亿韩元，同比增长98%、环比增长5%；毛利率62%，同比提升17个百分点，环比提升4个百分点；净利润率36%，同比提升5个百分点，环比下降2个百分点。毛利率继续大幅创历史新高、净利率略有下滑预计是由于费用与奖金等增加。

图：海力士盈利季度变动

DRAM重回惜售涨价，NAND旺季放量仍不足！我们统计了海力士十年来的DRAM与NAND量价季度变动情况发现，十年来公司第一次出现惜售涨价战略，17Q1-Q2连续2个季度在淡季出现惜售涨价趋势。DRAM在17Q4重回惜售涨价格局；NAND旺季放量仍不足。 我们认为，即使最先启动存储器景气周期的DRAM/NAND芯片，目前的量价关系依然处于十分优秀的状态，DRAM的市况还要优于NAND。此轮涨价周期的景气将远超十年来任何一次的景气周期。

图：海力士DRAM芯片量价季度变动情况

图：海力士NAND芯片量价季度变动情况

未完待续，请继续关注随笔20：中国半导体产业的思考：2018年存储高景气持续-2

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随笔20：中国半导体产业的思考：2018年存储高景气持续-1

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