浅谈3D-NAND、QLC和SCM介质技术和新产品

Hardy 架构师技术联盟

NAND Flash技术的发展完全沿着技术演进、商业价值和需求匹配的车辙在不断行驶。诸如SRAM，DRAM，EEPROM等 产品和技术。在每个存储器单元存储一位的二进制数据的NAND Flash 技术被称为单级单元(SLC)。但是由于SLC在容量和价格等原因，促使MLC、eMLC及TLC这三种闪存颗粒 迅速发展起来，关于Flash颗粒介绍请参考文章“闪存技术最全面解析”。

NAND Flash在应用普及和全面替换HDD遇到最直接的一个问题还是价格，从SLC、MLC到TLC一直才寻求价格的平衡点，尽管TLC能够解决SSD容量瓶颈，却还是不能完全解决SSD价格的难题。大容量SSD仍旧昂贵，小容量SSD+大容量便宜HDD的混合存储解决方案也层出不穷，但在体验上终究没有单纯大容量SSD来得好。目前来看，TLC还是相对来说在性能和价格方面平衡不错的方案，再说随着容量的增加、技术的改善，TLC闪存的擦写次数逐渐等到优化，也并没有想象中那么容易失效 。

结合实际应用发现，SSD在处理数据写入时，每次都写到新的物理地址，从而使得所有的闪存物理空间被均匀使用。假设一块600GB的SSD，其闪存介质写次数为1万次，那么该SSD可以写入的数据总量达到6PB(600GB*10000)；在实际企业级环境中的硬盘，整个生命周期的写入数据总量远小于200TB，这意味着这块600GB的SSD使用10年以上。

技术永远无法脱离实际应用，TLC颗粒在3D-NAND Flash的产品应用非常广泛，先后出现了32，64，72，96层的基于TLC的3D NAND Flash产品 ，起初这些TLC产品只要应用在消费级产品，但目前很多存储厂商已经把TLC颗粒引入企业级存储产品。下面我们看看主流3D-NAND Flash厂商(三星、东芝、WD和SK Hynix 四大厂商)的新产品和动态。

东芝(Toshiba)携手SanDisk 研发出全球首款采用堆栈 96 层制程技术的TLC 3D NAND Flash 产品，且已完成产品试作。该款堆栈 96 层的 3D NAND试制品单颗芯片容量为 256Gb(32GB)，预计于 2017 年下半年送样、2018 年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用 SSD和PC桌面SSD等市场。

三星在 3D NAND Flash一直处于领先地位，在去年就发布64 层 3D NAND 。但前不久SK Hynix 推出第四代 72 层的 3D NAND 进入量产，主要用于行动设备，并已交货给客户。韩国对3D NAND Flash技术和市场的控制力是不容忽视的。

Intel发布了新一代SATA SSD 545s产品 ，采用64层堆叠闪存的SSD取代去年的SSD 540s，当时Intel自己的3D堆叠闪存技术还不成熟，所以采用了SK海力士的16nm TLC和慧荣主控SM2258。SSD 545s采用的是Intel第二代3D TLC闪存颗粒(Intel的第一代3D闪存是32层堆叠)，64层堆叠设计，具有浮动栅极存储单元，单颗容量256Gb(32GB)。SSD 545s的主控采用了升级版慧荣主控SM2259，加入了对端到端数据保护和ECC的支持(主控SRAM和外部DRAM均有)，同时搭配Intel定制固件 。支持每天0.3次全盘写入，终生写入量288TB。

为了延长SSD磨损寿命，多数厂商提供容量超配 。例如一块100GB容量的SSD，其内部的闪存颗粒的物理容量是大于100GB，企业级SSD一般可以达到128G或者更多，超出的那部分就被称为冗余。或者采用较好的部件，如更好的颗粒、更好的控制芯片 ，提供强力的LDPC纠错算法等 ，但是SSD寿命并非单纯取决于闪存的类型，而是多个因素综合作用的结果。

闪存介质中，保存数据的基本单元被称为Cell。每个Cell通过注入、释放电子来记录不同的数据。电子在Cell中进出，会对Cell产生磨损；随着磨损程度的增加 ，Cell中的电子出现逃逸的概率会不断增加，进而导致Cell所保存的数据出现跳变。例如某个Cell最开始保存的二进制数据是10，一段时间后再读取该Cell，二进制数据可能就变成了11。因为闪存中保存的数据有一定的概率出现跳变，因此需要配合ECC算法(Error Correcting Code)来使用，SSD内部需要有ECC引擎进行数据检错和纠错 。

写入SSD颗粒数据时，ECC引擎基于原始数据计算出冗余数据，并将原始数据和冗余数据同时保存 。从SSD读取数据时，原始数据和冗余数据一并被读出，并通过ECC引擎检查错误并纠正错误，最终得到正确的原始数据。

闪存所保存的数据出现跳变的数量，随着擦写次数的增加而增加 。当擦写次数达到一定的阈值后，闪存中保存的数据出现跳变的数量会增大到ECC引擎无法纠正的程度，进而导致数据无法被读出。这个阈值就是闪存的最大擦写次数 。

在SSD领域，当前标准的ECC算法是BCH算法(以三位作者的名字首字母命名)，可以满足绝大多数SSD的纠错需求。大多数产品中，闪存介质所宣称的最大擦写次数，就是基于BCH算法来给出 的，但是BCH算法的纠错数据位比较有限，所以目前纠错能力更强的算法也被应用，如LDPC(Low Density Parity Check Code) 是一个纠错能力很强的算法，可以纠正更多的数据跳变。

SLC、MLC及TLC这三种闪存芯片，大家都很清楚，但接下来QLC闪存芯片要开启它的逆袭之路，而东芝和西数已经率先做出表率 ，目前主要针对智能型手机(如iPhone等)、平板计算机和记忆卡市场。

东芝今后也计划推出采用堆栈 96 层制程技术的 512Gb(64GB)3D NAND 产品以及采用全球首见的QLC(Quad-Level Cell)技术的 3D NAND 产品 。该款QLC试作品为采用堆栈 64 层制程技术，实现业界最大容量的 768Gb(96GB)产品，已经提供给 SSD 厂、控制器厂进行研发使用。

西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代BiCS 4技术(预计下半年出样，2018年开始量产)，除了TLC类型外，其还会支持QLC ，这个意义是重大的。西数已经用实际行动表明会支持QLC，而接下来三星、Intel、SK Hynix等厂商也势必会跟进(目前还没有正式公布QLC的进展)，为何厂商会跟进可靠性、寿命比TLC还差的QLC 。

目前来看，QLC闪存单位存储密度是TLC的2倍，单颗芯片可达到256GB甚至512GB。但是QLC闪存的电压更难控制，写入速度更低，可靠、稳定性及寿命比TLC更差。个人觉得主要的原因是成本和闪存对寿命SSD的不断优化，随着SSD控制对QLC技术优化，也有理由相信QLC跟TLC走同样的路，也有可能被用在企业产品 。

从长远来看，能不能将SSD的价格拉下来，我个人对QLC是寄予厚望的，但具体时间目前却无法预知，从TLC到QLC的技术过度 需要时间，需要双倍的精度才能确保足够高的稳定性、寿命和性能。如果参考TLC的历程，价格优势更难在短期内体现出来，QLC大批量上市并且明显带动降价节奏的时间也是我所期待的。

对于存储介质的未来除了NAND Flash外，还要有很多技术值得期待。 SCM( Storage -Class-Memory)产品已经出现在大众视野 ，如美光、英特尔自2016年开始量产的3D-Xpoint ，威腾、东芝合作开发的3D-ReRAM 。SCM的读写速度是3D-NAND的千倍，但在产品测试结果显示只有几十倍，这也说明SCM在读写性能上还有较大的提升空间值得期待。然而3D-NAND+类DRAM混合型的4D-NAND集前端高速度DRAM和后端低价大容量的3D-NAND于一身，也将会在容量和性能中找到一个很好的折中点。

NANDXtend ECC 技术

NANDXtend™

新一代NANDXtend™-为TLC NAND提供更具可靠性、高效能及低功耗的ECC技术

慧荣专利的 NANDXtend™ ECC 技术，包括 LDPC 硬解码和软解码以及 RAID 保护，这些技术增强了 2D/3D TLC NAND 的 P/E 周期 - 延迟 SSD 使用寿命并确保数据的完整性。NAND 闪存在使用中不可避免会出现误码，而新一代 NANDXtend™ 包括 2KB LDPC 引擎及高级软件算法，提供了较高的功率效率、解码效率和纠错能力，以保持整个数据的一致性，并提供了更好的用户体验。

NANDXtend™ - 领航未来的三维解错修正技术

NANDXtand™是慧荣科技专为TLC SSD产品的需求设计，所独家开发的先进韧体技术。NANDXtand™三维解错修正机制，结合了LDPC（低密度奇偶修正码）及RAID Data Recover修正技术，能高速平行译码并且精准修正错误。

NANDXtand™独特的三维多层次解错机制，可依解错难易度分层开启错误修正－透过先进的LDPC译码校正执行数据写入，并且分别开启LDPC硬译码（Hard Decode）LDPC软译码（Soft Decode）及Raid Data Recovery进行数据读取。与现有的BCH译码单层错误校正相比较，更能有效提升数据稳定度，同时大幅强化TLC NAND的P/E Cycle，为TLC SSD产品带来更长的使用寿命及稳定度，满足客户设计出最佳市场口碑的TLC SSD产品。

LDPC提升ECC解错效能

为了协助客户面对TLC SSD的ECC（错误码修正）设计挑战，在NANDXtend韧体技术中独家导入最先进的LDPC（低密度奇偶修正码）。比起现有的BCH ECC算法，LDPC拥有更高的解错效能，同时所使用的功耗比BCH更低。透过LDPC新一代错误修正技术，将能为TLC NAND带来更高的错误较验能力，进一步提升数据稳定性及P/E Cycle，有效提升TLC SSD产品的使用寿命及可靠度。

RAID Data Recover保留完整SSD空间

控制芯片是SSD产品的核心所在，TLC NAND的限制使得必须透过先进控制芯片的执行运算处理，才能发挥最佳稳定效能。而随着TLC NAND制程进步所带来的精简体积，更要求无需预留容量空间（Over-provisioning）也能进行纠错及校准，达成优化SSD效能与稳定度的目标。

不同于其他竞争对手产品为了增加解错能力，需要预留SSD容量空间执行数据修正。NANDXtand独家韧体结合RAID Data Recover技术，整合于慧荣科技最新一代TLC SSD控制芯片中。RAID Data Recover无需预留解错校验空间，就可以为用户保留更为完整的SSD容量，让消费者更能感受到高容量TLC SSD产品的优势。

NANDXtand™为TLC SSD提高三倍使用寿命

根据Silicon Motion内部实验室测试证明，透过NANDXtend™韧体技术的协助，在84小时的耐受度中，TLC NAND拥有1800次P/E Cycle的惊人寿命；比起没有NANDXtend™技术加持的TLC NAND，只有600次P/E Cycle的寿命，差距达到三倍。即使在其他的耐受度时间中，NANDXtend™仍然能够提供最优异的P/E Cycle数据，提供最佳的使用寿命保障。

性价比，已经成为消费者抉择SSD产品的判断标准，因此TLC SSD产品需求将是未来市场大势所趋。如何在TLC NAND主流中，为消费者提供更具效能、耐力及可靠度的SSD产品，将是制造商未来的决胜关键所在。

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