因特尔nand编号小Z聊固态：NAND闪存颗粒的打开方式-报价-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

因特尔nand编号小Z聊固态：NAND闪存颗粒的打开方式

发布时间 : 2025-04-20

作者 : 小编

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小Z聊固态：NAND闪存颗粒的打开方式

关注固态硬盘产品的各位朋友应该发现了，近来几乎各大品牌的固态硬盘产品都涨价了！虽然涨幅不算太大，但是在价格十分敏感的电子消费产业，还是十分耐人寻味的，特别是一些经典热销产品的涨价就更是让人看不懂了。

下图是笔者统计过的，从6月15日起到6月30日止，京东商城上热销的部分品牌的销量最高产品的价格变化图。通过图表可以看到，除了金士顿和浦科特旗下的两款固态硬盘在统计中没有大的变化外，其余各大品牌，诸如三星、东芝、闪迪、ocz等都有着不同幅度的涨价。

在前面几期的“小Z聊固态”中，我们知道固态硬盘最大的制造成本其实在于闪存颗粒，闪存颗粒的价格变化直接影响到固态硬盘产品的价格变化。看到这里，我想部分朋友已经可以猜到为什么此次固态硬盘产品集体涨价了。

没错，原因就和上次机械硬盘因为泰国洪水淹没大部分机械硬件加工商导致全行业涨价一样，此次三星位于西安的全球最大的NAND闪存制造厂的停电事故，影响了NAND的正常生产，再加上处于闪存颗粒生产的旺季，市场上的NAND闪存供不应求，因而出现了大范围的固态硬盘价格上扬。

那么又有人问了，“一个三星NAND闪存厂竟能影响到全行业？难道没有其他闪存厂能够替代它吗？”

今天，小Z就借着这个话题和大家一起聊聊闪存颗粒和闪存厂的那些事。

在固态硬盘领域，掌握了闪存颗粒几乎可以说就掌控了固态市场。目前，全球范围内从事NAND flash的厂商大大小小不计其数，但具有统治地位的就只有区区六家，他们分别是三星（Samsung）、东芝（Toshiba）、英特尔（intel）、海力士（SK hynix）、美光（Micron）、闪迪（SanDisk），这六家从事NAND FLASH制造的厂商几乎垄断了全球大部分的市场份额，接下来我们就一一介绍。

半导体霸主：英特尔（intel）

英特尔公司（IntelCorporation）总部位于美国加州，工程技术部和销售部以及6个芯片制造工厂位于美国俄勒冈州波特兰。

英特尔的创始人罗伯特·诺伊斯RobertNoyce和戈登·摩尔GordonMoore原本希望他们新公司的名称为两人名字的组合——MooreNoyce，但当他们去工商局登记时，却发现这个名字已经被一家连锁酒店抢先注册。不得已，他们采取了“IntegratedElectronics（集成电子）”两个单词的缩写为公司名称。现任CEO是BrianKrzanich。

英特尔公司在随着个人电脑普及，英特尔公司成为世界上最大设计和生产半导体的科技巨擘。除了为全球日益发展的计算机工业提供建筑模块，包括微处理器、芯片组、板卡、系统及软件等，公司在半导体顶层技术的研发中始终处于世界领先地位，拥有多项半导体生产专利技术，长期位列全球半导体厂商排行榜的首位。

intel早期闪存颗粒的编号信息

在固态硬盘领域，早期的英特尔自产自研的闪存颗粒，多用于自家高端产品，或是合作紧密的友商产品中，几乎很少输出。

到了中期，英特尔和美国著名的半导体厂商美光进行了深度合作，共建晶圆制造厂，并将晶圆厂中品质和纯度较高的闪存颗粒用于自家的产品，如intel 710系列就是采用的eMLC企业级颗粒，而将品质低的颗粒用于低端产品和输出到第三方，例如intel 320系列以及部分威刚、OCZ产品，在此就不一一论述了。

intel 540s采用海力士16nm闪存颗粒

到了后期，也就是现在intel几乎已经很少在中低端产品中使用自家颗粒了，会根据产品定位不同，灵活选择。例如，最新发布的针对消费级市场的INTEL 540S系列就是采用的海力士16nm闪存颗粒，而面向高性能和安全应用的SSD Pro 5400s则是采用美光和intel合资的16nm闪存。

晶圆之光：美光（Micron）

美光科技（MicronTechnology，以下简称美光科技）位于美国爱德荷州首府波伊西市，于1978年由WardParkinson、JoeParkinson、DennisWilson和DougPitman创立，1981年成立自有晶圆制造厂。

美光科技是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供针对性的解决方案。

在1990年代初期，美光科技成立MicronComputers（美光电脑）子公司来制造个人电脑，该公司即后来的MicronElectronics（美光电子）。

1998年亦并购了Rendition公司来制造3D加速芯片。

2002年美光卷入了内存价格操纵丑闻。

2007年3月21日首次在中国西安成立了工厂，主要生产DRAM和NAND快闪存储器。

美光flash颗粒的命名规则

在固态硬盘领域，美光和intel进行了深度合作，并于2006年在美国犹他州Lehi地区合资共建，25nm工艺闪存制造厂IMFT，而根据相关文件披露，IMFT生产的晶元，49%销售给Intel，另外51%则归美光。

除了生产闪存颗粒，美光还拥有固态硬盘生产线以及市场终端品牌英睿达。不同于intel闪存颗粒，多用于自家产品，美光的闪存颗粒因其性能稳定，深受OEM厂商热捧，并大量输出到各大OEM厂商以及各大品牌固态硬盘厂商。

自产自销：三星（Samsung）

如果说英特尔是半导体行业的绝对领路人和开创者的话，那么三星毫无疑问是最强的追逐者和竞争者。

三星电子（SamsungElectronics）作为韩国电子产品生产企业，是韩国规模最大的企业，同时也是三星集团子公司中规模最大且在国际市场处于领先地位的企业。

该公司在全世界共65个国家拥有生产和销售法人网络，员工数多达157，000人，早在2009年超越惠普（HP）跃升为世界最大的IT企业，其中LCDTV、LEDTV和半导体等产品的销售额均在世界上高居榜首。

在庞大的三星集团内部，半导体事业部可谓是打造三星帝国的一等功臣。

三星集团创始人李秉哲不顾公司众人反对，毅然决然地于1983年在日本东京正式开始进军半导体行业。对此他曾经表示，三星符合韩国缺乏资源的自然条件，只有开发高附加值、技术含量高的产品才能实现企业的第二次飞跃。

在此后的10个月内，三星电子在世界上第三个推出64KDRAM，这在国内外经济界引起强烈反响。然而，日后由于半导体价格暴跌，企业在事业之初陷入困境。尽管如此，三星的存储器半导体依然取得了长足的发展，1992年率先开发成功64MDRAM，终于在世界上确保了最强的技术实力；1993年如愿以偿地荣登存储器半导体世界第一的宝座。此后于1994年和1996年连续开发成功256M和1GDRAM，这同样拥有‘世界最先开发’的荣耀，这样，半导体逐渐成为韩国具有代表性的产业。2002年NANDFlash位居世界榜首；2006年与2007年分别在世界上率先研制成功50纳米级DRAM和30纳米级NAND等，三星电子在存储器领域的占有率超过30%，成为业界的强者。

三星750evo采用自家闪存颗粒

拥有大量的世界顶尖的半导体专利技术的三星，近些年也没有停止研发的脚步。就固态硬盘行业而言，三星是业界首个将TLC闪存颗粒运用于固态硬盘产品的厂商，同时研发出全球领先的3D-NAND闪存颗粒技术，极大的提升了闪存颗粒的实际使用容量，进一步压缩了闪存颗粒的体积，引发了闪存颗粒的又一次革命。

三星flash颗粒编号信息表

作为半导体厂商，三星也和intel一样，有着完整的闪存颗粒生产线，却都仅将颗粒运用于自家产品，三星家更是做得彻底，所有原产颗粒都不允许输出，仅装备于自家固态品牌。因而，很多关于三星闪存的具体参数信息很少见诸于网络。

闪存缔造者：东芝（Toshiba）

作为我们的邻居，韩国在闪存制造上有三星，而日本则有东芝。

东芝（TOSHIBA）是日本最大的半导体制造商，亦是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团旗下。东芝原名东京芝浦电气株式会社，1939年由株式会社芝浦制作所和东京电气株式会社合并而成；从1875年开创至今，已经走过了133年的漫长历程。

早在80年代东芝与NEC是世界上最大的两家半导体制造商，同时东芝还是闪存存储标准SD协会的董事会成员之一，是多项规格标准的制定者和推动者，拥有着半导体闪存行业多项世界第一和生产专利，到了90年代，东芝已经成长为世界排名前5的芯片厂，在2008年东芝排名第3，仅次于英特尔和三星，但排在德州仪器和意法之前，到了今天东芝依旧在世界半导体行业、芯片制造行业有着举足轻重的作用。

具体到固态硬盘领域，东芝原厂闪存颗粒几乎占领了主流的固态硬盘市场，成为有一定实力的固态硬盘厂商首选颗粒。究其缘由，一则是东芝近百年的生产制造经验带来的严格的品控，二则是东芝乐于向外输出优质原厂闪存颗粒。

目前，几乎所有大品牌的固态硬盘厂商都使用过东芝相关型号的闪存颗粒。例如浦科特全系列M6V/M7V/M6S PLUS等产品，还有金士顿的v300/uv400，OCZ几乎全系列等。

东芝flash颗粒编号示意图

除了制造原厂闪存颗粒外，还有更多的二线厂商使用东芝原厂的白片颗粒，以及部分厂商使用的东芝黑片，可以说几乎所有主流固态硬盘厂商都使用过东芝制造的闪存颗粒。

同时和三星、intel一样，东芝自家也有固态硬盘终端产品，从开山之作东芝Q系列，东芝Q200，东芝Q300一直到东芝Q300 PRO,每一款源自东芝的新品都带给消费者许多惊喜。

性价比之王：海力士（SK Hynix）

闪存颗粒作为固态硬盘制造中最花费成本的核心器件，提供极高性价比的产品也是能有极大的市场。

海力士脱胎于韩国另一家半导体制造企业现代内存,并于2001年更名为海力士，2012年正式更名为SK hynix。

海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。

海力士半导体多年前已经在韩国制造了4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸晶圆生产线，并在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。并在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人。

海力士部分flash颗粒产品编号示意图

如今的海力士半导体，一直以行业最高水平的投资效率、生产效率、销售效率，在竞争激烈的半导体行业站稳脚跟，并以快速的更新能力和极高的性价比，成为众多固态硬盘厂商欢迎的原厂颗粒提供商。

目前，intel旗下多款产品采用了海力士颗粒，例如从intel pro 2500到最新的intel 540s。同时国内许多新兴厂商都在使用有着高性价比的SK Hynix闪存颗粒，例如金泰克等。

闪存帝国：闪迪（SanDisk）

在闪存卡领域，闪迪绝对是行业的巨擘，而在固态硬盘领域，闪迪也凭借着其拥有着完整的闪存颗粒加工体系，成为固态硬盘行业的巨头之一。

SanDisk (闪迪)公司是全球最大的闪速数据存储卡产品供应商。诞生于1988年加利福尼亚帕罗奥多，该公司由非易失性存储技术领域的国际权威Harari Eli博士在1988年创立。

闪迪作为全球唯一一家有权制造和销售所有主要闪存卡格式的公司，拥有超过4900多项关于存储、闪存颗粒等相关技术的专利，并在全球各地拥有着多条闪存颗粒加工制造厂。

闪迪至尊极速系列采用闪迪颗粒

早在2005年，就和日本存储大厂东芝合作，在位于日本四日市运营处的建立起NAND flash闪存 300mm工艺的晶片制造厂，并与2011年正式投入生产。

鉴于闪迪在闪存卡拥有着全球唯一的全系列生产线，因而闪迪原厂的闪存颗粒多用于自身产品消化，并没有大规模投入市场。同时鉴于在NAND flash生产上，闪迪几乎和东芝成为一家人，许多相关产品编号信息暂时无法查询。

总结：

intel和美光、东芝和闪迪、自产自销的三星、性价比的海力士，目前市场上存在的闪存颗粒六大巨头都根据自己的实际特点，你追我赶的占领市场高地，近乎垄断了固态硬盘闪存颗粒的所有市场份额。

然而就六大品牌内部比较，由于各大品牌的侧重点不同，主攻方向的差异。在没有限定的前提下，无法区分到底谁家颗粒好，谁家颗粒烂，但是唯一具有参考意义的便是，下次选购固态硬盘的时候，有这六大厂商的品牌logo，至少要比没有品牌logo来路不明的颗粒强得多得多。

224核+36TB内存+3D NAND闪存盘+FPGA=？Intel发布三代至强平台

2020年6月19日，英特尔公司在“‘芯’存高远，智者更强”的英特尔®数据创新峰会暨新品发布会上，围绕最新推出的第三代至强可扩展处理平台和人工智能（AI）应用，推出了包括全新处理器、内存、存储、FPGA的解决方案，21ic中国电子网记者应邀参加本次发布会。

第三代英特尔至强可扩展处理器

首先介绍英特尔全新的第三代英特尔®至强®可扩展处理器，新产品的代号为“Cooper Lake”，仍然采用的是14nm的工艺制造，最高28核心、56线程，这意味着用于8路服务器将支持多达224个处理器内核、448线程。而第三代产品线，在今年下半年将有基于10nm Ice Lake的单路、双路市场产品推出，补充构成完整的第三代家族。

图1：第三代至强可扩展处理器

提到英特尔，个人用户首先想到的是“酷睿”（Core）或“奔腾”（Pentium），而作为经常与服务器和工作站打交道的电子工程师，则首先会想到“至强”（Xeon）或“傲腾”（Optane）。

正如字面意思，至强处理器的侧重点便是数据处理和稳定性，在很久以前至强处理器细分为E3、E5、E7几个系列，名称刚好对应了i3、i5、i7。但与酷睿不同的是，至强并不集成核心显卡，另外照顾到全天候运行的大型服务器，普遍来说主频和超频性能会低于酷睿系列，只搭载一个睿频加速功能，追求极致的稳定性。

而在2017年，英特尔推出了全新的产品线英特尔至强可扩展处理器，命名上也采用了更加符合主流、直观易懂的“铜牌”、“银牌”、“金牌”、“铂金”的分级。

至强处理器到底强在哪？多核心、多线程，支持多路CPU，支持更大内存和内存带宽，支持更高缓存，更丰富的指令集，更稳定出色的性能。

英特尔表示，第三代产品与5年前的平台相比拥有1.9倍的平均性能提升与1.98倍的数据库性能提升。

图2：第三代英特尔可扩展处理器详解

需要注意的是，本次推出的第三代至强可扩展处理器不单纯的是频率、核心数、内存支持的硬参数提升，新产品的核心关键点是首批内置bfloat16的主流服务器CPU，还支持最新一代的英特尔®傲腾™持久内存200系列（在第二节将深入讲解），部分型号还支持英特尔Speed Select技术优化处理资源、提高工作负载和性能利用率。而第三代至强主要面向的主要是四路和八路系统。

图3：第三代至强处理器的主要突破

所谓bfloat16即是英特尔®深度学习加速（英特尔®DL Boost）功能当前主打的指令集技术，简单来说，bfloat16这项技术可以通过一半的比特数对软件做出很小的修改，便可达到与32位浮点数（FP32）同等水平的模型精度。

图4：第三代至强处理器内置bfloat16

据英特尔公司数据中心事业部副总裁、英特尔至强处理器和存储事业部总经理Lisa Spelman介绍，bfloat16这项功能主要面向人工智能（AI）应用训练和推理性能加速，搭载4颗第三代至强铂金8380H处理器的英特尔参考平台下，ResNet-50图像分类训练吞吐量性能提升达1.93倍，BERT Squad推理吞吐量性能提升高达1.9倍。

图5：Lisa Spelman对bfloat16的性能讲解

从型号方面来讲，Cooper Lake第三代至强可扩展处理器拥有11种不同的型号，分为至强铂金8300、至强金牌6300、至强5300三个子系列，均以H和HL编号结尾，区别在于HL支持单路最多4.5 TB内存，H支持1.12 TB内存。

图6：第三代至强可扩展处理器具体型号

从型号上来看，参数最为强大的至强铂金8380HL拥有28核心56线程，高速缓存达38.5MB，最高睿频频率4.3GHz，支持四路到八路扩展。而其他型号方面，则根据需求不同，拥有不同截然不同的参数选择，主要针对AI训练、内存密集型应用、虚拟机三种不同应用场景平衡成本。

第二代傲腾持久内存

上文也提及第三代至强可扩展处理器的一大亮点就是支持傲腾持久内存200系列，是傲腾持久内存的第二代产品，单条最大容量为512GB，热设计功耗可达12-15瓦。英特尔表示，在傲腾持久内存200系列与上一代持久内存相比，内存带宽平均增幅25%，在运行要求严苛的工作负载时带宽增加多达39%。

图7：英特尔傲腾持久内存200系列模组

傲腾200系列单条容量上拥有128GB、256GB、512GB三种选择，热设计功耗分别为15W、18W、18W，最高温度84℃，而在外部也拥有散热外壳。

图8：英特尔傲腾200系列单条参数

傲腾系列为何被称之为持久内存？这主要是从特性方面所讲的，众所周知存储器分为易失存储器（DRAM为主）和非易失存储器（NAND为主），而傲腾则属于介于DRAM和NAND之间的PMem（Persistent memory），断电也不会丢失数据。不过，傲腾系列并非要取代DRAM和NAND，而是与之共存，填补二者之间在容量和性能的空档。

图9：傲腾技术与DRAM和NAND共存

因此，需要注意的是，傲腾200系列能够与传统DDR 4 DIMM共存，共有1.5 TB的DRAM并排占用相同的主板插槽，而第三代至强处理器平台支持每个通道一个IntelOptanePMem 200系列模块，而这一模块则是单个插槽可支持6条傲腾200内存，即每个插槽提供3TB的PMem。

DRAM与6条傲腾200内存，相当于每个插槽（路）提供4.5 TB的总存储容量！而每路4.5TB，八路系统就是36 TB的内存！

图10：英特尔傲腾持久内存200系列详解

Lisa Spelman表示，自去年2019年4月傲腾持久内存问世以来，目前已收货超过270份订单，200多家世界500强企业已采用这项技术，从POC到销售转换率超过85%。软银、SK Telecom、西门子均从傲腾技术中获益，国内企业则主要包括金山云、快手、平安云、中通快递等。

图11：Lisa Spelman讲解傲腾持久内存

先进的TLC 3D NAND固态盘

除了PMem内存以外，英特尔还推出了一款基于最先进的96层TLC 3D NAND介质的固态盘（SSD），采用Intel PCle Gen4控制器，具有增强的管理功能和可扩展性，可为AI和大数据分析负载实现性能与容量的更优平衡。

英特尔表示，与上一代NVme NAND相比，在PCle-3的表现上拥有高达33%的性能提升以及40%的延迟降低。

图12：采用TLC 3D NAND介质的优势

从参数来看，这些SSD具有U.2 15mm的尺寸，D7-P5500提供1.92 TB、3.84 TB、7.68 TB三种选择，而D7-5600则拥有1.6 TB、3.2 TB、6.4 TB三种选择。

图13：两个系列SSD产品的具体参数

从功能方面来看，两个系列SSD产品内置TCG Opal 2.0和AES-XTS 256 bit加密，拥有增强的SMART监控功能，可使用Telemetry 2.0访问各种存储数据，拥有优化的TRIM架构作为后台运行而不会干扰工作负载，具有内置的自检Power-Loss imminent（PLI）功能从而防止在低电量或故障情况下丢失数据。

与众不同的英特尔Stratix® 10 NX FPGA

不难看出，上文所发布的新产品都是专门为人工智能（AI）而生的，针对AI英特尔也即将发布新品Stratix 10 NX FPGA。

Stratix® 10 FPGA家族的这款新产品也是第一款专为AI优化的FPGA。Stratix 10 NX FPGA核心芯片采用14nm工艺，与标准的Stratix 10 FPGA DSP模块相比拥有高达15倍的INT8吞吐量，可实现高带宽、低延迟的AI加速。

图14：Stratix 10 NX产品

Stratix® 10 NX FPGA为何能在AI上性能如此暴增？关键点有三：

其一，内置的AI张量块是针对AI算法进行调整的。模块包含AI应用程序中通常使用的密集的较低精度乘法器，而在架构上则针对广泛AI计算的通用矩阵-矩阵或矢量-矩阵乘法进行了调整，从而高效支持大小矩阵。

另外，AI张量块乘法器具有INT8和INT4的基本精度，通过共享指数支持硬件支持FP16和FP12数字格式。所有加法或累加都可以使用INT32或IEEE754单精度浮点（FP32）精度执行，并且多个AI张量块可以级联在一起以支持更大的矩阵。

图15：AI张量块高层示意图

其二，使用了EMIB堆叠了HBM2和高带宽DRAM。集成的内存堆栈允许将大型的持久AI模型存储在芯片上，从而通过较大内存带宽降低延迟，帮助解决大型模型中的内存受限性能挑战。

图16：Stratix 10 NX FPGA使用EMIB技术

其三，拥有高达57.8G PAM4收发器，并采用了硬知识产权（IP）。提供了多节点的AI推理解决方案所需的可扩展性和灵活性，从而减少或消除在多节点设计中的带宽连接这一限制因素。

新产品成效明显

随着第三代至强可扩展处理器平台及相关产品的发布，国内厂商也在跟进之中。

会上，腾讯云副总裁刘颖表示，从1998年腾讯成立之初就已携手英特尔持续在数据中心的基础设施建设领域进行了技术合作。

他表示，随着第三代至强的发布，也将推出一系列的全新云产品。基于第三代英特尔至强可扩展处理器，腾讯星星海实验室自研了首款四路服务器。这个服务器采用了腾讯全新定制的英特尔高密CPU，整机密度较上一代提升了116%。

基于新的英特尔处理器，腾讯云推出的云开发Serverless服务启动时间不超过100毫秒，处于行业领先。

图17：腾讯云与英特尔在数据中心计算上已合作22年

这款四路服务器通过差异化的散热器方案，使CPU单点的散热能力提升22%，大幅降低了CPU温度；风扇节能达30%。同时，继续使用英特尔RAS技术，使得设备宕机率下降高达50%，大幅提升了系统稳定性。

无独有偶，金山云CDN及视频云产品中心总经理宗劼表示，金山云也与英特尔持续在优化AI处理效果，在使用英特尔各种技术后，整体媒体处理效应上提升130%。

“在边缘服务器上，金山云与英特尔紧密合作，通过使用最新的SSD技术，利用 SSD+MemCache+AIO的第三代DMA技术，使得整个边缘的处理能力提升400%。同时在网络传输上面，通过与英特尔的合作，使得PAAS的边缘处理效能提升了超过200%。”

国电南瑞集团子能技术团队首席架构师徐戟表示，传统的运维自动化系统只是针对一些单一指标进行计算，这种CPU的消耗量是很小的。但如果每个模型都需计算，就是大量的计算资源。如果数据中心当中有几十万台设备，这样的计算量是相当大的，所以要通过分布式的方法进行计算。在此方面，正在与英特尔的联合团队进行健康模型进行深度分析和优化。通过目前的效果来看，取得了不错的效果，对预测的准确性和时长都有了很大的提高。

为何都是AI相关产品

英特尔缘何在本次发布会上一口气发布如此多AI相关产品？英特尔公司市场营销集团副总裁兼中国区总经理王锐告诉记者，这是因为英特尔目前是一家以数据为驱动力的厂商，而智能技术的洞察则围绕在终端客户的需求上，因为现在是行业转折性技术的历史交汇，推动智能进入新的发展拐点，AI、5G、智能边缘的三方汇合，创造了智能技术飞速更新迭代的需求和条件。

众所周知，英特尔是一家产品覆盖CPU、FPGA、ASIC、封装、存储、软件等方面的IDM厂商，拥有着构建全面产品的领导力。因此基于趋势和挑战，英特尔推出了一套的解决方案。

图18：王锐在现场

在发布会的最后，王瑞表示，英特尔的2030年战略及目标建立在持续履行企业社会责任的承诺上，并诚邀大家通过科技赋能，集体行动创造一个负责任的、包容的和可持续的未来。

图19：英特尔2030年目标和实现路径

21ic中国电子网

记者：付斌