国际半导体遭遇寒冬 中国存储方队逆势扩张

来源:证券时报

在中美贸易摩擦有所缓和之际，日前紫光集团宣布组建DRAM集团，让市场注意力集中到国内存储器布局上。当前国际存储寡头垄断的格局下，国内存储方队既要面对技术、团队等方面的叠代差距，又要面对当前国际半导体市场势弱，存储大幅降价的风险，迎难而上，逆势扩张。

国际半导体产业降温

6月30日晚间，紫光集团宣布了组建DRAM事业群的计划，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集团“从芯到云”产业链的建设。而如果放眼国际，此时紫光集团布局DRAM可谓迎难而上，逆势扩张。

据美国半导体行业协会官网最新统计，5月全球半导体销售额为331亿美元，同比2018年同期减少14.6%，环比4月有所少量增长；而且相比去年同期，全球所有区域市场的半导体销售均出现下降，其中美洲下降最多，达到27.9%，日本下降13.6%，中国下降9.8%，亚太其他地区下降12.6%。

美国半导体行业协会总裁兼首席执行官约翰·诺伊弗表示：“全球半导体销售额今年5月没有达到去年同月的销售额，这是连续第五个月出现同比负增长。”今年存储器可谓遭遇“寒冬”。其中DRAM（动态随机存取存储器）虽然位居半导体存储领域市占率第一的地位，2017年迎来销售环比大增，但今年情况发生逆转。

TrendForce旗下内存储存研究已连续指出，受到美国禁用华为事件持续发酵，华为智能型手机以及服务器产品在未来的两至三个季度可能将持续遭受严重的出货阻碍，下半年DRAM产品的旺季需求将遭受冲击，行业见底时间或延长。

据预测，第三季DRAM价格展望跌幅由原先预估的10%将扩大至10%到15%。考虑国际存储三家大厂的竞争态势，加上DRAM制程技术已经面临物理极限，预估DRAM价格要跌破供货商的生产总成本可能性极低，但是，中美贸易战升温恐使得今年下半年需求急冻，不确定性氛围提高使得数据中心的资本支出放缓，在今年年底前，体质较弱的DRAM供货商恐怕将遭受库存损失，财务报表可能转亏；预计DRAM价格可能将到2020年有机会出现止跌回升。

国际存储巨头的情况也不容乐观，虽然占据了全球90%以上的DRAM市场份额，但营收普遍下滑。据统计，今年一季度，龙头公司三星受到报价下跌影响，营收较上季下滑26.3%；而SK海力士的营收位出货下滑约8%，第一季营收较上季衰退31.7%；美光营收也下滑了约三成。台系厂商也不容乐观。南亚科第一季营收位出货下跌超过20%，营业利益率几乎减半；力晶科技生产的标准型DRAM产品第一季出货量上升，带动营收逆势成长5.7%，涵盖DRAM代工业务，营收则下滑近15%。

国内企业逆势扩展

国金证券分析师樊志远在研报中指出，今年一季度后，存储器大厂处于高成本库存，导致二季度、三季度运营成本高于市场预期；预计全球存储器行业今年衰退30%～35%，牵动全球半导体衰退14%。

在此背景下，国内主要存储方队选择了逆势布局。本次紫光集团组建的DRAM事业部，紫光集团表示这标志着集团DRAM战略正式起航，将进一步拓宽在存储器领域的相关布局。人事配备上，委任刁石京为紫光集团DRAM事业群董事长，高启全担任紫光集团DRAM事业群CEO。其中，刁石京曾担任工信部电子信息司司长等职位；高启全现担任紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事及代行董事长、武汉新芯CEO，有“台湾存储教父”之称。

经过多年的发展，紫光集团在存储器的设计制造领域已形成一定基础，积累了从设计、生产、测试、方案构建到全球量产销售等研发和产业化经验。在DRAM领域，紫光旗下西安紫光国芯自主创新出全球首系列内嵌自检测修复DRAM存储器产品；开发的存储器芯片产品中有二十余款产品实现全球量产和销售。

另外，在3D NAND闪存领域，紫光旗下长江存储成功研发并已小批量生产了32层3D NAND闪存芯片，其创新的Xtacking TM技术，实现了3D NAND闪存芯片结构的历史性突破。紫光集团表示，基于西安紫光国芯和长江存储的成功经验，集团正探索出一条存储器设计制造的产业发展之路。

芯谋研究首席分析师顾文军指出，相对而言，DRAM更加成熟、高度集中和更加“标准”的产业特性，做DRAM的难度要远超NAND Flash。任何新进入者都面临着技术来源、团队、专业化运营和成本的几大难题。目前来看，中国大陆做DRAM的几家都没有全面解决上述问题；晋华去年的被禁，就是一个警示。

国内存储产业原为三大阵营，分别是紫光集团旗下长江存储，以及合肥长鑫与晋华集成。但是去年10月美国商务部以国家安全为由，对晋华集成实施出口管制，并列入出口管制“实体清单”。

由兆易创新、合肥产投等投资的长鑫存储，目前来看进展相对顺利，预期最快将于今年底或明年初进入量产。据报道，长鑫存储通过购买奇梦达专利部分解决了知识产权问题。

对于如何避免类似晋华事件发生，集邦咨询研究副总经理郭祚荣向证券时报记者表示，只要保证技术来源没问题，列入实体列表机率就低了；而无论是NAND还是DRAM，发展难度都不低，本轮逆势扩张取决于国家是否支持。

集邦咨询指出，紫光并非首次计划进军DRAM产业，早在2014年期间紫光就曾表达出研发DRAM的决心，但当时为了平衡产业与地方发展，确立紫光发展NAND Flash的路线，DRAM研发之路无疾而终。

此次紫光集团重返DRAM研发之路，除了晋华事件影响外，还有产业布局考虑。合肥长鑫5月在上海参加全球半导体联盟存储器论坛时，预计今年底量产8Gb的DRAM产品，但仅有一家正在进行的DRAM厂对中国自主开发DRAM产品的目标是不够的。目前紫光欠缺的是DRAM的制程技术，这部分预计可望借由其新任CEO的业界人脉进行补强。

国产化机遇

从政策方面，国家对集成电路产业的重视可见一斑。6月14日晚间，证监会同意科创板IPO注册，华兴源创、睿创微纳两家集成电路企业拔头筹；另外，科创板申请企业中，还有专注于企业级光存储解决方案的紫晶存储，目前在接受科创板第三轮问询。

5月份，财政部、税务总局发布公告有关企业所得税政策中，集成电路企业获扶持。

资本市场也在孕育半导体国产化机遇。以太极实业为例，2018年6月传闻落地，国家集成电路产业基金（以下简称“大基金”）受让控股股东6.17%股份，成为上市公司第二大股东。此后，太极实业屡次揽获半导体工程承包订单，包括“中国大陆半导体之父”张汝京所创办的青岛芯恩工程总承包订单。

除了建造，半导体关键材料、设备也存在机遇。据介绍，目前各类关键工艺设备国产化差异大，CMP、PVD、刻蚀、清洗设备、热处理的国产化率处于10%～30%，而量测、光刻等设备全部依赖进口。

郭祚荣向记者表示，随着紫光进一步加码存储产业，对半导体设备国产化将会产生助益，关键在于国产设备能否满足相关条件。

国泰君安研报指出，长江存储是目前对于国产设备最为友好的产线之一。2017年至2018年，长江存储共采购了17批共计约2000台设备。其中，中微公司供应刻蚀设备，盛美半导体和北方华创等提供清洗设备等。后续随着产能爬坡，北方华创、中微公司等设备厂商有望加速实现供应。

国产内存终于来了！坐等内存降价？嗯，想多了

长期以来，我国半导体行业发展落后，没有量产芯片颗粒的能力，严重依赖国外芯片颗粒。

在中国的进口贸易中，仅2016年1月份到10月份，中国在进口芯片上就花费了1.2万亿人民币，是花费在原油进口上的两倍。

好在现在中国正在加大在芯片领域的投资，进展尚佳。人们希冀国产内存能够打破DRAM的价格垄断，从而购买更为廉价的内存，但事实果真如此吗？

紫光研发基地

—1 —

国产内存进展一览：良品率低、技术不成熟

DRAM研发是一项极其烧钱的技术。2016年，紫光集团总耗资1000亿相继在武汉、南京、成都开工建设了存储芯片与存储器制造工厂，目标打造国产晶圆及DRAM颗粒和3D NAND。而这其中，DRAM技术研发难度最大，进展也是最缓慢的。

紫光内存产品列表

在2017年末，电商平台流出了少量紫光DDR3内存，其DRAM技术来源于紫光集团收购的英飞凌科技下在存储事业部，并且产能一直不足，良品率低的问题也没解决，所以并未正式售卖。

2018年2月28日，紫光集团宣布旗下的DDR4内存将在年内逐步推向市场，坦然承认其销售规模不会太高，对年度财报影响较小。

紫光DDR4内存前期采用海力士颗粒

目前我们可以购买到未经公开销售的紫光DDR4内存，这款内存还没有采用紫光颗粒，原因当然还是DRAM产能不足。采用紫光颗粒的DDR3内存表现还可以，经过网友们测试，紫光DDR3内存可以在默认电压下超频至2000MHz。不过这也没什么可奇怪的，毕竟DDR3内存的行业标准就这样。

在价格上，紫光内存似乎不太“良心”。DDR4 4GB内存高达420元，和人们希望的国产内存打破国外垄断价格的愿望相差甚远，与其他品牌内存相比也没有什么优势。当然，紫光内存的真正定价还要等正式上市我们才能公正的去评论。

—2 —

国产内存和内存降价无关

内存价格凶猛，一些国人期待国产内存可以打破国外技术垄断，内存价格可以降下来。但这里我要为大家泼一盆冷水，因为国产内存短期内暂时无法影响DRAM的价格走势，原因有三：

1、紫光集团内存产能较小，市场规模也小，无法与三星、美光、海力士等DRAM大厂抗衡。

2、2018年内存需求量依旧非常大，再加上原材料现在正处于供应量大幅增加阶段，这导致了紫光内存的成本很高，实际产品的价格也并不会在短时间内实现下跌。

3、无论是产品的品牌效应还是技术，国产紫光内存的优势都不大，短期难以盈利。无法影响财政，所以也没有能力打价格战。

紫光DDR3内存

看到这儿你可能会问，那国家费这么大力气研发内存有什么用？

对于我们个人而言，内存国产和进口没什么区别，但上升到国家高度上，国产内存的重要性不亚于国产CPU和国产系统。

早在2015年，我国超算行业就遇到美国商务部禁售Intel至强处理器的事件。美国商务部于2015年2月18日发布的一份通知称，使用了两款英特尔微处理器芯片的天河二号系统和早先的天河1号A系统，“据信被用于核爆炸模拟”。

所以我们可以看到，如果技术受制于人，未来必然会面对更多的禁售事件。

此外，内存技术掌握在他国手中也意味国家信息安全上存在阿喀琉斯之踵，风险极大。现代社会电子产品无处不在，内存是电子产品必不可少的关键部件。如果内存存有“后门”程序，将导致国家诸多敏感信息泄露。

所以中国大力研发DRAM、3D NAND是国家级策略，内存降价对中国半导体行业没有一点好处，甚至还有风险，这点我们下文会提到。

—3 —

警惕风险：备战DDR5

前几年很多DRAM厂商纷纷倒闭，只剩下三星、海力士、美光三家，究其原因还是DRAM不赚钱。

2017年市场需求太猛烈，DRAM厂商产能跟不上才导致了供不应求、价格猛涨的“超级利好”时期。然而，全球第一和第二大dram生产商三星电子和sk海力士正在争先恐后地扩大DRAM产量。

报道预计，如果两大巨头继续增产，那么全球DRAM的供求情况就会发生逆转，DRAM价格也将暴跌。一旦内存价格下跌，中国半导体行业很可能亏损甚至被拖垮。

紫光制造的DDR3颗粒

此轮DRAM增厂并不是空穴来风，有台湾企业调查显示“三星为了提高市场进入壁垒，正在试图增加dram产量，防止DRAM价格进一步上涨。”

在2017年第三季度的业绩发布会上三星电子也表示：“将会把华城工厂的nand闪存生产设备转换为DRAM生产设备，此外还会利用平泽工厂的2楼去生产DRAM。”全球最大的金融机构之一美银美林集团预测，三星电子的DRAM生产能力在今后2年内将增长20.3%。

sk海力士也不例外。2017年7月，sk海力士将投资规模增加了近40%，从而把在中国无锡的DRAM工厂的生产能力提升了两倍。不过，报道称，排在dram生产第三位的镁光公司并没有一起跟进。

在业内人士看来，三星和海力士的行为都是在打压中国半导体行业崛起的手段，内存的国产之路，风险重重。

小结：

进入2018年后，内存行业将正式公布DDR5内存规范，下一代DDR内存的带宽和密度都是现在的两倍，技术难度也将达到前所未有的高度，DRAM面临新一轮洗牌，这是中国企业的挑战也是弯道超车的最佳时机，未来希望中国的半导体企业可以在DDR5内存上大有作为，打破行业垄断，彰显大国风采。

—END—

相关问答

2017年7月,sk海力士将投资规模增加了近40%,从而把在中国无锡的DRAM工厂的生产能力提升了两倍。不过,报道称,排在dram生产第三位的镁光公司并没有一起跟进。...

果不其然,只用了2年时间,三星就率先完成4MDRAM的设计,这时和日本的差距缩小到了6个月。又用了4年时间,到了1992年,韩国研发出64M,与日本同步。再过2年...当时...

2.固态硬盘不用磁头,快速随机读取,读延迟极小。根据相关测试:两台电脑在同样win7配置的电脑下,搭载固态硬盘的笔记本从开机到出现桌面一共只用了18秒,而搭...

电子原器件都认识,但为什么不懂看电路图和原理图?★电子元器件都认识,但为什么看不懂电路图和原理图是因为你仅仅只是皮毛的学习它们的基础知识。而一套完整...

这个问题推荐的时机比较巧,最近台积电刚刚推出SoW封装新技术,这是一种不需要基板和PCB(印刷电路板)的新的封装技术。其实严格来说,光刻机表面来看是在生产方...

作为当前最尖端的高科技之一,半导体芯片这几年在国内很热门,不仅在媒体报道上刷屏,而且国内最近几年上马了不少半导体项目,几乎涉及到从设计到制造再到封装在...

欢迎在点击右上角关注:「太平洋电脑网」,更多有趣资讯等着您哦。因为NVIDIA垄断高端市场已经数年了,AMD从Hawaii架构的R9290X那一代开始就落了下风,今年的V...

但值得一提的是,兆易创新对此定下的目标是,该工艺的良率在10%以上。上面说了DRAM内存,顺便再说一下NAND闪存。紫光除了要生产DRAM内存外,还在研发NAND闪存芯...

个已经...根据上面的两种硬盘的组成部分,可以看出机械硬盘的特性:1:机械硬盘相对于固态硬盘价格更便宜!2:机械硬盘没有固态硬盘结构简单,机械硬盘的功耗更高而...

没有机械硬盘的电脑,会采用固态硬盘。固态硬盘比机械硬盘速度快很多,电脑速度也会快不少。不过目前固态硬盘容量很小,并且价格高。所以电脑价格也会比使用...通...