nand堆栈三星计划明年生产第9代V-NAND闪存：沿用双层堆栈架构，超300层-报价-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

nand堆栈三星计划明年生产第9代V-NAND闪存：沿用双层堆栈架构，超300层

发布时间 : 2025-04-19

作者 : 小编

访问数量 : 23

扫码分享至微信

三星计划明年生产第9代V-NAND闪存：沿用双层堆栈架构，超300层

IT之家 8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层。

报道称，这将使三星的进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第 7 代 V-NAND 闪存芯片。

▲ 图源三星

IT之家注：双层堆栈架构指在 300mm 晶圆上生产一个 3D NAND 堆栈，然后在第一个堆栈的基础上建立另一个堆栈 。

而三星即将生产的超 300 层第 9 代 V-NAND 将提高单个晶圆上生产的存储密度，这将有利于降低固态硬盘的成本。

作为竞争对手，SK 海力士的三层堆栈架构则是创建三组不同的 3D NAND 层 ，而这种做法将增加生产步骤和原材料的用量，目的是最大限度提高产量。

另据《首尔经济日报》报道，业界认为三星在推出第 9 代 3D NAND 之后，将有望在第 10 代 430 层的 3D NAND 中采取三层堆栈架构。该报援引业内人士称，若 3D NAND 层数超过 400，原材料用量和晶圆成本也会水涨船高，同时也会保证产量。

在去年 10 月举行的“2022 三星科技日”上，三星曾提出长期愿景：2030 年将层数提升至 1000 层 。

三星明年开始生产第9代V-NAND闪存：继续采用双堆栈架构，超过300层

三星去年末开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比于2020年首次引入双堆栈架构的第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。据DigiTimes报道，三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构。

所谓双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。

此前竞争对手SK海力士在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司。SK海力士透露，打算2025年上半年开始生产这款NAND闪存，采用的是三层堆叠方法。该工艺涉及创建三组不同的3D NAND层，将增加操作步骤和原材料的使用，但其目的是最大限度地提高产量，相比之下更容易生产3D NAND堆栈。

据了解，三星为了保证产量，可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构，层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量，并增加每个3D NAND晶圆的成本。去年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出的长期愿景是，到2030年会将层数提高至1000层。

三星计划明年生产第9代V-NAND闪存：沿用双层堆栈架构，超300层

三星明年开始生产第9代V-NAND闪存：继续采用双堆栈架构，超过300层

关于我们

产品中心

服务与支持